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公开(公告)号：CN114200373B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111498630.2
申请日：2021-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种小型量子电阻标准器，包括固定背板、固定槽板、芯片托槽、磁体模块、量子霍尔电阻芯片及屏蔽罩，固定槽板固定于固定背板上，固定槽板上设置有凹槽，芯片托槽位于凹槽内；芯片托槽上设置有芯片容纳槽、电性连接点及导线孔，量子霍尔电阻芯片位于芯片容纳槽内，且量子霍尔电阻芯片与电性连接点电连接；磁体模块位于固定槽板及芯片托槽上；屏蔽罩罩设于磁体模块外围，且与固定背板相固定，固定背板和固定槽板同时作为导热机构。本发明可以实现量子电阻芯片的快速更替，可以实现内部固有磁场和外部施加磁场的多方调控，大大优化简化了量子电阻的环境要求，使产品集成化而无需复杂实验室条件，有利于量子电阻标准器的推广与应用。
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公开(公告)号：CN114200373A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111498630.2
申请日：2021-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种小型量子电阻标准器，包括固定背板、固定槽板、芯片托槽、磁体模块、量子霍尔电阻芯片及屏蔽罩，固定槽板固定于固定背板上，固定槽板上设置有凹槽，芯片托槽位于凹槽内；芯片托槽上设置有芯片容纳槽、电性连接点及导线孔，量子霍尔电阻芯片位于芯片容纳槽内，且量子霍尔电阻芯片与电性连接点电连接；磁体模块位于固定槽板及芯片托槽上；屏蔽罩罩设于磁体模块外围，且与固定背板相固定，固定背板和固定槽板同时作为导热机构。本发明可以实现量子电阻芯片的快速更替，可以实现内部固有磁场和外部施加磁场的多方调控，大大优化简化了量子电阻的环境要求，使产品集成化而无需复杂实验室条件，有利于量子电阻标准器的推广与应用。
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公开(公告)号：CN116110771A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310162842.6
申请日：2023-02-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种可提供低能注入离子的石墨烯处理装置，包括放样仓、处理仓，以及隔离阀；放样仓包括第一腔体、样品座和样品输送杆，样品座位于第一腔体内；处理仓包括第二腔体、样品台、等离子体线圈，以及上电极网和下电极网；样品台、上电极网和下电极网位于第二腔体内，上电极网和下电极上下间隔设置且高度可调；样品输送杆可将样品座传送至样品台上，和/或自样品台将样品座传出，通过等离子体线圈放电产生的等离子体可通过上电极网和下电极网，以在处理仓内对位于样品座上的样品进行处理。本发明可以提供较高质量的等离子体发生真空环境，减少大气环境污染，提升等离子体产生的效率，保证等离子体的纯度与可靠性，满足不同的处理需要。
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公开(公告)号：CN113979429B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111215650.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种六方氮化硼表面扭转双层石墨烯及其制备方法，通过先对六方氮化硼衬底退火处理进行清洁，然后在六方氮化硼衬底表面涂覆辅助材料同时对该辅助材料进行加热及减量处理，使保留在六方氮化硼衬底上的辅助材料含量保持在合适的厚度范围内，通过选择合适的辅助材料种类以及合适的保留厚度，以辅助后续石墨烯的形核成长，然后再结合特定的催化气体材料实现在六方氮化硼衬底表面直接制备形成具有多转角的双层石墨烯。解决了六方氮化硼衬底表面石墨烯形核困难以及难以直接制备多转角的双层石墨烯的问题，为基于石墨烯的转角电子学研究提供基础。
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公开(公告)号：CN113979429A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111215650.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种六方氮化硼表面扭转双层石墨烯及其制备方法，通过先对六方氮化硼衬底退火处理进行清洁，然后在六方氮化硼衬底表面涂覆辅助材料同时对该辅助材料进行加热及减量处理，使保留在六方氮化硼衬底上的辅助材料含量保持在合适的厚度范围内，通过选择合适的辅助材料种类以及合适的保留厚度，以辅助后续石墨烯的形核成长，然后再结合特定的催化气体材料实现在六方氮化硼衬底表面直接制备形成具有多转角的双层石墨烯。解决了六方氮化硼衬底表面石墨烯形核困难以及难以直接制备多转角的双层石墨烯的问题，为基于石墨烯的转角电子学研究提供基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102324586B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201110180076.3
申请日：2011-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01M10/46 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种高重量比能量密度微能源系统、方法及应用。其特征在于所述的系统组成为：(1)在GaAs电池背表面溅射生长Al薄膜；(2)在Al膜表面溅射沉积氮化镍钴，其通式为ComNi1-mN，式中0＜m＜1；(3)在氮化镍钴薄膜表面溅射沉积Li1.3Ti1.7Al0.3(PO4)3薄膜；(4)在Li1.3Ti1.7Al0.3(PO4)3薄膜上沉积金属Li薄膜；(5)在Li薄膜表面溅射成膜一层Cu薄膜；(6)溅射(2)-(5)时在Al膜表面用不锈钢掩模板紧贴在露出未覆盖多层膜的Al表面，依次要装能源管理电路和RF模块，用金线连接GaAs电池正极、Li电池阳极、能源管理模块输出端和RF收发模块输出端。提供的高重量比能量密度高达438wh/kg，可连续5天在阴天条件下工作，为物联网节点微型化长时间供电及野外应用提供技术手段。
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公开(公告)号：CN104199019A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410378111.6
申请日：2014-08-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01S13/06
CPC classification number: G01S7/4052 , G01S13/584 , G01S2007/4039
Abstract: 本发明涉及一种连续波探测器测试系统，其中接收/发射天线用于接收与发射信号；所述接收/发射天线接收到的信号通过所述环形器至低噪声放大器进行放大，用于所述混频器的本振输入；所述波形发生器根据目标探测过程中距离信息或多普勒频率设定相应频率的波形信号；所述混频器将所述低噪声放大器放大后的本振信号与所述波形发生器产生的波形信号进行混频，得出调制信号并输出至所述可调衰减器；所述可调衰减器根据模拟目标的远近、大小设定衰减系数，模拟得到不同目标条件下的发射信号；所述环形器将模拟发射信号传送至接收/发射天线进行发射。本发明可基于地面条件下实现调频连续波距离探测与运动目标多普勒速度检测。
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公开(公告)号：CN102347518B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201110180049.6
申请日：2011-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01M10/46 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种高体积比能量微能源系统及制作方法，其特征在于所述的系统由a)用金刚石钻头在玻璃衬底上打孔，孔为两个相对的空心圆台；b)在玻璃衬底正面和背面溅射Al薄膜，Al膜的厚度填满空洞深度，实现双面Al互联；c)在Al背面依次沉积氮化钴镍、LiPON薄膜、Li薄膜和Al薄膜；d)在未覆盖电池多层膜的Al膜表面安装能源管理模块和RF收发模块；e)在玻璃正面Al表面依次沉积n型微晶硅、i型GexSi1-x，0＜x＜1，p型非晶硅和含3％Al的AZO；f)用Au线连接AZO、Li电池阳极、能源管理模块输出端、RF收发模块输出端。采用方法为溅射沉积方法，制作微能源系统体积比能量密度大于291.9W/L，为物联网节点微型化、便携性、长时供电及野外应用提供技术手段。
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公开(公告)号：CN102386239B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010271246.4
申请日：2010-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/868 , H01L29/36 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法，其结构包括：半绝缘的磷化铟衬底上面依次为InP缓冲层、N型InGaAs高掺杂层、I型InGaAs不掺杂层以及采用碳重掺杂的P型InGaAs高掺杂层；P型高掺杂层上沉积低介电常数材料保护层，二极管的阳极和阴极处于保护层之上的同一平面，通过开窗口分别与P型和N型高掺杂层形成欧姆接触；阳极的接触电极和引出电极之间连接区域的下方刻蚀有沟槽可实现平面的空气桥结构。利用本发明，在不影响器件关断电容的情况下能有效降低导通电阻，同时，平面结构有效降低了工艺难度，提高了工艺成品率，更有利于实现开关二极管的互联集成以及开关单片电路的制备。
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公开(公告)号：CN102721959A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210225835.8
申请日：2012-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种毫米波单片集成探测器组件，包括射频压控振荡器、驱动电路、低噪声放大器、混频器和收发天线，所述射频压控振荡器用于根据外部系统通过不同电压波型的调节得到射频信号；所述驱动电路用于对产生的射频信号进行放大；所述收发天线用于发送放大后的射频信号；发送出的射频信号遇到探测物后产生回波信号；所述收发天线还用于接收所述回波信号；所述低噪声放大器用于放大收到的回波信号；所述混频器用于将放大后的回波信号和本振信号进行混频，得到发射时间与当前时间的射频信号的频差。本发明能够对物体尺寸进行探测，并且在目标探测过程中实现对距离、速度和加速度的测量。
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