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    一种用于碲镉汞材料的腐蚀液及配制方法
    1.
    发明公开
    一种用于碲镉汞材料的腐蚀液及配制方法 无效

    公开(公告)号：CN104032304A

    公开(公告)日：2014-09-10

    申请号：CN201410258916.7

    申请日：2014-06-12

    申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

    发明人： 樊华 ,  廖清君 ,  刘丹 ,  杨勇斌 ,  黄悦 ,  周松敏 ,  孙常鸿 ,  解晓辉 ,  胡晓宁

    IPC分类号： C23F1/30

    摘要： 本发明公开一种用于碲镉汞材料的腐蚀液及配制方法，该腐蚀液由溴、氢溴酸和乙二醇三种溶液组成。先按比例将氢溴酸溶液倒入乙二醇溶液中，静置5～10分钟，再按比例将溴溶液倒入氢溴酸和乙二醇的混合溶液中，待颜色稳定后，得到碲镉汞材料腐蚀液。该腐蚀液不仅可用于碲镉汞材料的表面腐蚀还可用于台面腐蚀，解决了现有技术中存在的对氢溴酸纯度要求过高和对腐蚀环境温度范围要求过于严格的问题，实现了在室温下对碲镉汞材料的可控腐蚀。

    一种碲镉汞器件埋结工艺
    3.
    发明授权
    一种碲镉汞器件埋结工艺 有权

    公开(公告)号：CN105762221B

    公开(公告)日：2017-06-27

    申请号：CN201610236474.5

    申请日：2016-04-15

    申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

    发明人： 张姗 ,  胡晓宁 ,  樊华 ,  廖清君 ,  叶振华 ,  林春 ,  丁瑞军 ,  何力

    IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种碲镉汞器件埋结方法，该方法是在光刻注入孔后，采用湿法腐蚀方法在碲镉汞薄膜上制备腐蚀坑后直接生长离子注入阻挡层并进行离子注入，最终在碲镉汞腐蚀坑内部制备p‑n结。本发明通过腐蚀和离子注入共用一次光刻窗口的方法，将p‑n结精确注入至腐蚀孔内部，避免了两次光刻造成的注入偏差问题，简化了操作步骤，并且离子注入前光刻胶上覆盖的ZnS阻挡层减弱了离子注入对光刻胶的改性作用，使光刻胶去除更加方便。

    低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片
    6.
    实用新型
    低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片 失效

    公开(公告)号：CN205609536U

    公开(公告)日：2016-09-28

    申请号：CN201620319396.0

    申请日：2016-04-15

    申请人： 中国科学院上海技术物理研究所

    发明人： 胡晓宁 ,  张姗 ,  樊华 ,  廖清君 ,  叶振华 ,  林春 ,  丁瑞军 ,  何力

    IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/103

    摘要： 本专利公开了一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，它包括衬底，碲镉汞p型外延薄膜，离子注入n型区，钝化层，n型区电极，p型区电极，铟柱阵列，它涉及光电探测器件技术。本专利采用将p‑n结制备至碲镉汞材料腐蚀坑内部的结构方案，使得结区位置远离材料表面，避免了清洗、去胶等工艺对光敏元区的作用力导致的缺陷增值引起的探测器性能下降、盲元增加等问题。本专利对降低碲镉汞焦平面的盲元率有很大帮助。