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公开(公告)号：CN111244755A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010052456.8
申请日：2020-01-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种介质光学微腔嵌埋黑磷的红外激光器及其制备方法。该结构自下而上依次包括衬底、底层介质布拉格反射镜、底层介质腔层、黑磷二维材料、顶层介质腔层和顶层介质布拉格反射镜。其中底层和顶层介质布拉格反射镜是辐射波段透过的高低折射率材料交替生长而成；底层和顶层介质腔层也是辐射波段透过的材料；光增益材料为黑磷(BP)二维材料。介质布拉格反射镜和介质腔层的制备方法可以采用磁控溅射、电子束蒸发等方法。这种黑磷二维材料嵌埋型微腔激光器具有红外波段发射、单模、低阈值、可室温工作等一系列优点，在光谱学、光通信、信号处理、高通量传感和集成光学系统上有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110044846A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910246106.2
申请日：2019-03-29
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种基于光学微腔的低维材料折射率测定样品及测定方法，通过镀膜方法来制备获得法布里-珀罗腔(F-P)的光学微腔结构，只需将二维材料、纳米片、纳米带、薄膜等低维材料嵌埋到光学微腔中，应用显微光谱仪对比测量有、无低维材料区域的透射谱或反射谱，通过腔模峰位的移动获得低维材料对光程差的改变信息，就可以精确计算出低维材料的折射率。本发明解决了微米尺度低维材料折射率的测量难题并实现精确测量，具有很好的普适性，能够应用于各种二维材料、纳米片、纳米带、薄膜等低维材料折射率的精确测定。
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公开(公告)号：CN110031098A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910246109.6
申请日：2019-03-29
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种基于集成微腔的光谱探测芯片及重构方法，本发明的光谱探测芯片是在普通阵列探测器芯片上，通过纳米压印技术和镀膜技术制作多通道集成分光结构，使得原探测器芯片上不同像元对入射光的响应不同，再利用光谱重构的方法还原出样品光谱。本发明的光谱探测芯片将分光和探测集于一体，使探测器本身就具备了光谱分辨能力，实现芯片级光谱仪器，具有体积小、成本低、分辨率高、制作方便等优点，在光谱分析领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN110158034A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910387884.3
申请日：2019-05-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种多靶共溅射制备不同成分和掺杂比薄膜的方法。通过常温磁控溅射镀膜系统这一传统镀膜手段，以V为例，引入多靶共溅射的方式制备不同掺杂成分和掺杂比的V薄膜，然后通过氧化退火工艺实现不同掺杂成分和掺杂比VO2薄膜的制备，以此来调节VO2薄膜的相变温度，可广泛应用在非制冷红外焦平面、光学开关和智能节能玻璃等领域。所掺杂的原子可以为钨、钼、钛、钽、氟和铌中的一种或组合，所使用的靶材数目可根据具体情况选择两个或者多个。多靶共溅射制备掺杂薄膜的方法有效地避免了传统溅射方法不同掺杂成分和掺杂比需要多个不同靶材的问题，大大降低了制备成本，同时提高了掺杂的灵活性和多样性，与大规模镀膜生产线相匹配等特点。
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