公开(公告)号：CN1484280A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03142205.5

申请日：2003-08-11

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 ,  华东师范大学

Inventor： 郭方敏 ,  陆卫 ,  朱自强 ,  王伟明 ,  葛羽屏 ,  李宁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明公开了一种适合于制造射频电路的含氧化多孔硅的低阻硅衬底。该衬底的一个表面由区域1和区域2甚至区域3组成，区域1是低阻硅区域，区域2和区域3是形成在低阻硅衬底上的含氧化多孔硅区域。在区域1上适合于制造有源器件，在区域2、区域3上适合于制造无源器件，由此达到在低阻硅上制造射频、微波和毫米波波段等单片集成电路的目的。同时本发明还公开了该衬底的制备，包括：以低阻硅为原料，用金属或氮化硅做掩膜，选择区域形成多孔硅，氧化，涂敷聚酰亚胺，成膜、亚胺化等四步。本发明的优点是可以满足不同射频电路对衬底的要求。同时可以极大降低低阻硅衬底的阻抗损耗和导体损耗；可以使无源元器件和有源元器件集成在一片低阻硅衬底上。

公开(公告)号：CN1226774C

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN03142205.5

申请日：2003-08-11

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 ,  华东师范大学

Inventor： 郭方敏 ,  陆卫 ,  朱自强 ,  王伟明 ,  葛羽屏 ,  李宁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明公开了一种适合于制造射频电路的含氧化多孔硅的低阻硅衬底。该衬底的一个表面由区域1和区域2甚至区域3组成，区域1是低阻硅区域，区域2和区域3是形成在低阻硅衬底上的含氧化多孔硅区域。在区域1上适合于制造有源器件，在区域2、区域3上适合于制造无源器件，由此达到在低阻硅上制造射频、微波和毫米波波段等单片集成电路的目的。同时本发明还公开了该衬底的制备，包括：以低阻硅为原料，用金属或氮化硅做掩膜，选择区域形成多孔硅，氧化，涂敷聚酰亚胺，成膜、亚胺化等四步。本发明的优点是可以满足不同射频电路对衬底的要求。同时可以极大降低低阻硅衬底的阻抗损耗和导体损耗；可以使无源元器件和有源元器件集成在一片低阻硅衬底上。