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公开(公告)号：CN103606573A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310617875.1
申请日：2013-11-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0322
摘要： 本发明涉及一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法，所述黄铜矿结构的中间带吸收材料的化学组成为CuB1-xQxC2，其中B＝Ga或In，Q=Ge或Sn，C＝S或Se，0
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公开(公告)号：CN103214032B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310153657.7
申请日：2013-04-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C01G23/047
摘要： 本发明涉及一种氢等离子体辅助氢化制备黑色二氧化钛的方法，所述方法包括：将二氧化钛置于密闭系统，抽真空使所述密闭系统的压力小于30Pa；向所述密闭系统通入氢气和氩气的混合气氛；加热所述二氧化钛，调节所述混合气氛的流量以使所述密闭系统中的压力为50～500pa；开启射频电源以产生活性氢等离子体处理所述二氧化钛规定的时间，其中利用所述射频电源电离氢气分子以产生活性氢等离子体用于还原所述二氧化钛而得到黑色二氧化钛。
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公开(公告)号：CN103633165A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310617976.9
申请日：2013-11-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0321 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及黄铜矿结构中间带太阳能电池吸收层材料及其制备方法，所述材料的化学组成为CuAl1-xMxQ2，其中M=Sn、Sb、Ge、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Zn中的至少一种，Q=S和/或Se，0
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公开(公告)号：CN104517739A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410514027.2
申请日：2014-09-29
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： H01G11/46 , C01G23/043 , C01P2002/52 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C04B35/62259 , C04B35/62857 , C04B35/62865 , C04B35/62897 , C04B2235/3232 , C04B2235/5284 , H01G11/38 , H01G11/86 , Y02E60/13
摘要： 本发明涉及一种氧化钛基超级电容器电极材料及其制备方法，所述氧化钛基超级电容器电极材料的活性物质为导电氧化钛，所述的导电氧化钛为亚氧化钛、还原态二氧化钛或对还原态二氧化钛进行进一步掺杂元素的掺杂还原态二氧化钛，所述氧化钛基超级电容器电极材料的载流子浓度＞1018cm-3，所述氧化钛基超级电容器电极材料在1A/g的充放电流下的比电容为20F/g～1740F/g。
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公开(公告)号：CN102250616A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110117551.2
申请日：2011-05-06
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： Y02B20/181
摘要： 本发明公开了一种双钙钛矿结构红色荧光粉、制备方法及应用，属荧光材料领域。该荧光粉的化学式可以表达为Ln2-xAMO6:xEu，并符合如下条件：Ln为La、Gd和Y中的任意一种、二种或三种组合，A为Li、Na和K中的任意一种、二种或三种组合，M为Sb、Nb和Ta中的任意一种、二种或三种组合；Eu为发光中心，掺杂位于Ln位，掺杂值x＝0.01-1.0。本发明在绿光芯片(528-533nm)、兰光芯片(460-470nm)或近紫外光芯片(390-399nm)激发下，发射出为570-640nm之间的荧光，红色荧光介于600-620nm之间。可用于白光LED及相关显示、照明器件且其制备工艺简单，材料的化学性质稳定，发光性能优异，是理想的白光LED用荧光粉。
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公开(公告)号：CN103606573B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310617875.1
申请日：2013-11-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法，所述黄铜矿结构的中间带吸收材料的化学组成为CuB1‑xQxC2，其中B＝Ga或In，Q=Ge或Sn，C＝S或Se，0
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公开(公告)号：CN103633165B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310617976.9
申请日：2013-11-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及黄铜矿结构中间带太阳能电池吸收层材料及其制备方法，所述材料的化学组成为CuAl1-xMxQ2，其中M=Sn、Sb、Ge、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Zn中的至少一种，Q=S和/或Se，0
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公开(公告)号：CN103214032A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310153657.7
申请日：2013-04-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C01G23/047
摘要： 本发明涉及一种氢等离子体辅助氢化制备黑色二氧化钛的方法，所述方法包括：将二氧化钛置于密闭系统，抽真空使所述密闭系统的压力小于30Pa；向所述密闭系统通入氢气和氩气的混合气氛；加热所述二氧化钛，调节所述混合气氛的流量以使所述密闭系统中的压力为50～500pa；开启射频电源以产生活性氢等离子体处理所述二氧化钛规定的时间，其中利用所述射频电源电离氢气分子以产生活性氢等离子体用于还原所述二氧化钛而得到黑色二氧化钛。
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公开(公告)号：CN102583340A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210019931.7
申请日：2012-01-20
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C01B31/04
摘要： 本发明的课题是提供一种低温气相还原的高导电石墨烯材料的制备方法。制备方法利用具有高温区和低温区的多温区加热设备，通过将具有氧化石墨烯的低温区和具有还原剂的高温区加热至一定的温度，还原出高导电石墨烯。本发明的高导电石墨烯材料的制备方法，在低温条件下，实现氧化石墨烯在较低的温度下快速、高效还原，低温气相反应保持了氧化石墨烯较完整的结构，从而制备出高导电的石墨烯粉或石墨烯纸和高透光、高导电的石墨烯薄膜。本发明制备的石墨烯材料导电性、力学强度和柔韧性良好，可有效地解决现有高温热处理或低温液相化学还原方法破坏石墨烯结构的瓶颈问题。
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公开(公告)号：CN104517739B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410514027.2
申请日：2014-09-29
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： H01G11/46 , C01G23/043 , C01P2002/52 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C04B35/62259 , C04B35/62857 , C04B35/62865 , C04B35/62897 , C04B2235/3232 , C04B2235/5284 , H01G11/38 , H01G11/86 , Y02E60/13
摘要： 本发明涉及一种氧化钛基超级电容器电极材料及其制备方法，所述氧化钛基超级电容器电极材料的活性物质为导电氧化钛，所述的导电氧化钛为亚氧化钛、还原态二氧化钛或对还原态二氧化钛进行进一步掺杂元素的掺杂还原态二氧化钛，所述氧化钛基超级电容器电极材料的载流子浓度>1018 cm‑3，所述氧化钛基超级电容器电极材料在1 A/g的充放电流下的比电容为20F/g～1740F/g。
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