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公开(公告)号：CN103643225B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201310617879.X
申请日：2013-11-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C23C18/16
摘要： 本发明涉及一种化学水浴法制备大尺寸硫化镉薄膜的方法，包括：将至少一块衬底以将其中不需镀膜的一面封闭的方式固定于反应容器中；向所述反应容器内注入含有镉盐、硫源、氨水、和去离子水的反应溶液后将所述反应容器密封，其中所述反应溶液的体积小于所述反应容器的容积；将密封好的反应容器水平浸入到恒温水浴振荡器中，加热水浴并使所述反应容器以水平方向上回旋往复或者以中轴为轴心上下摆动的运动方式不停地将反应溶液混合均匀，从而在所述至少一块衬底的未封闭的一面上沉积均匀的硫化镉薄膜；以及硫化镉薄膜沉积至所需厚度后取出并清洗、干燥即制得大尺寸硫化镉薄膜。
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公开(公告)号：CN103606573A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310617875.1
申请日：2013-11-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0322
摘要： 本发明涉及一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法，所述黄铜矿结构的中间带吸收材料的化学组成为CuB1-xQxC2，其中B＝Ga或In，Q=Ge或Sn，C＝S或Se，0
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公开(公告)号：CN103594561A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310616508.X
申请日：2013-11-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/02568 , H01L31/0326
摘要： 本发明涉及氧化物薄膜硫化硒化法制备铜锌锡硫硒太阳电池吸收层的方法，包括：按化学计量比称取铜盐、锌盐、和锡盐与选自乙醇、甲醇、异丙醇和丙酸中的至少一种的第一溶剂和包括乙二醇和丙二醇两种溶剂的第二溶剂混合配制澄清的前驱体溶液，在前驱体溶液中，铜元素的浓度为0.83～83mmol/L，锌和锡元素的浓度为0.42～42mmol/L，第一溶剂和第二溶剂的体积比为5∶（0.1～10）；通过旋涂法将前驱体溶液在衬底上旋涂成膜后于200～450℃加热以形成氧化物薄膜，重复旋涂步骤5～20次；将氧化物薄膜在含硫元素和硒元素的惰性气体气氛下于450～580℃进行硫化和硒化退火即获得Cu2ZnSn(S,Se)4太阳电池吸收层。
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公开(公告)号：CN103606573B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310617875.1
申请日：2013-11-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法，所述黄铜矿结构的中间带吸收材料的化学组成为CuB1‑xQxC2，其中B＝Ga或In，Q=Ge或Sn，C＝S或Se，0
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公开(公告)号：CN103633182A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310613803.X
申请日：2013-11-27
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0749 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/0322 , H01L31/18 , H01L31/1884
摘要： 本发明涉及铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法，所述太阳电池包括：依次形成于玻璃基片上的N型透明导电膜、和N型宽带隙半导体微粒多孔膜；在所述N型宽带隙半导体微粒多孔膜的孔隙内和表面原位生成从而与其复合的铜铟镓硫硒敏化层；以及形成于所述铜铟镓硫硒敏化层上的背电极；其中，所述全固态铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池不含有机染料和液态电解质。本发明中，铜铟镓硫硒在多孔半导体阳极的孔隙内和表面原位生成，因此铜铟镓硫硒与多孔半导体阳极之间可实现紧密的化学结合，实现光生载流子在界面上有效传输。
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公开(公告)号：CN101768729B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201010118300.1
申请日：2010-03-05
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C14/185 , C23C14/5866 , Y02E10/541
摘要： 本发明涉及一种铜铟镓硒(CIGS)太阳电池光吸收层薄膜的制备方法。本发明的特征在于在底电极上通过磁控溅射法，采用单靶溅射、富铜靶和贫铜靶同时或先后溅射，制备出具有高反应活性、可快速反应烧结的CIGS前驱薄膜，然后将CIGS前驱薄膜进行热处理，快速反应生成平整、致密、均匀、光电性能良好的CIGS太阳电池光吸收层薄膜。本发明所提供的制备方法，可控性强，薄膜质量高、均匀性好，工艺简单，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN101789469A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010118290.1
申请日：2010-03-05
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及铜铟镓硒硫(CIGSS)光吸收层薄膜的制备方法。特征在于首先采用磁控溅射法在基片沉积Cu膜，然后采用蒸发法沉积In-Ga膜，形成Cu-In-Ga合金膜，再次将Cu-In-Ga合金膜与固态Se源或气态H2Se源反应生成铜铟镓硒(CIGS)薄膜，最后将CIGS薄膜与固态S单质或气态H2S源反应生成铜铟镓硒硫(CIGSS)吸光层薄膜。本发明所提供的CIGSS薄膜的制备方法，不仅避免了三步共蒸发法中的大面积薄膜成分难以控制的问题，也克服了磁控溅射法中成膜速率过慢的问题，而且改善了CIGSS薄膜的表面状态，减少了CIGSS电池的界面复合，有利于高效率CIGSS薄膜太阳电池的规模化生产。
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公开(公告)号：CN108539020A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810149595.5
申请日：2018-02-13
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网河南省电力公司 , 国家电网公司 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/4226 , H01L51/0003
摘要： 本发明涉及一种分离双结式钙钛矿太阳能电池，包括第一结宽禁带钙钛矿太阳能电池I和第二结窄禁带钙钛矿太阳能电池II，其通过平板玻璃6叠层连接。本发明提供的叠加太阳电池结构，不但可以实现太阳光的宽光谱响应，又可以解决晶格失配和电流不匹配的问题，最终实现电池效率的最大化。本发明提供的钙钛矿太阳电池具有效率高、制备工艺简单、发电成本低、建筑一体化的潜力。
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公开(公告)号：CN101768729A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010118300.1
申请日：2010-03-05
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C14/185 , C23C14/5866 , Y02E10/541
摘要： 本发明涉及一种铜铟镓硒(CIGS)太阳电池光吸收层薄膜的制备方法。本发明的特征在于在底电极上通过磁控溅射法，采用单靶溅射、富铜靶和贫铜靶同时或先后溅射，制备出具有高反应活性、可快速反应烧结的CIGS前驱薄膜，然后将CIGS前驱薄膜进行热处理，快速反应生成平整、致密、均匀、光电性能良好的CIGS太阳电池光吸收层薄膜。本发明所提供的制备方法，可控性强，薄膜质量高、均匀性好，工艺简单，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN103681966A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310640759.1
申请日：2013-12-04
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L31/18 , B23K26/364
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/188 , B23K26/364
摘要： 本发明涉及一种CIGS薄膜太阳能电池组件Mo背电极的激光划线方法，使用激光器对制备在玻璃衬底上的作为背电极的Mo膜进行切割，所述激光器发出的激光的入射方向为先通过所述玻璃衬底再照射在Mo膜的表面上。采用本发明，可提高CIGS薄膜太阳能电池组件的电池效率。
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