-
公开(公告)号：CN104233458A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410520081.8
申请日：2014-09-30
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明涉及一种碳化硅晶体生长用的石墨籽晶托，所述石墨籽晶托包括石墨基底和设置于石墨基底面向籽晶一侧的表面上的致密碳化硅多晶层，所述籽晶通过粘结剂连接至所述致密碳化硅多晶层。
-
公开(公告)号：CN103173861B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110440347.4
申请日：2011-12-23
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法。所述掺杂型钽酸镓镧(M-LGT)晶体通式为y％M:La3Ta0.5+xGa5.5-xO14，其中：-0.3≤x≤0.3，0≤y≤2，掺杂元素M为Ba、Mo和Al中的至少一种。该晶体可以采用提拉法或坩埚下降法等晶体生长方法制备，并通过优化生长气氛、掺杂元素及后处理条件，可以显著提高晶体高温下的电阻率。采用该晶体制作的压电元件首次成功应用于-200℃～649℃的超高温压电加速度传感器，该掺杂型高电阻率LGT晶体材料在未来的超高温压电器件中具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN103320851A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310221654.2
申请日：2013-06-05
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明涉及一种大尺寸15R碳化硅晶体的制备方法，包括：将已填充含碳和硅的原料并已粘结或固定籽晶的坩埚放入晶体生长炉，其中所述籽晶相与所述原料隔开一定距离；对所述晶体生长炉进行抽真空，待真空度小于10-3Pa后，往炉内充入预定量的惰性气体；提高所述晶体生长炉的温度，控制填充所述原料的原料区具有2200～2600℃的温度，并控制粘结或固定籽晶处具有1700～2150℃的温度；将晶体生长炉的气压控制在102～7×103Pa的范围内，开始生长15R碳化硅晶体；以及生长48～200小时后，关闭电源或以设定的降温速率降低晶体生长炉温度，待冷却至室温得到所述大尺寸15R碳化硅体单晶。
-
公开(公告)号：CN102674357A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210169640.6
申请日：2012-05-29
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C01B31/36
摘要： 本发明涉及一种用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法，包括：配料工序：采用高纯Si粉和高纯C粉为原料，高纯Si粉和高纯C粉的摩尔比大于1∶1且在1.5∶1以下；预处理工序：将高纯Si粉和高纯C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至1×10-3Pa以下，同时将温度升高至600～1300℃；以及高温合成工序：在规定压力的高纯非氧化性气氛下，于反应温度1500～2500℃下，保持反应2～20小时，而后降至室温，即可得到用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料。
-
公开(公告)号：CN107190322B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710213529.5
申请日：2017-04-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明涉及一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法，采用石墨坩埚盛放碳化硅原料，其中石墨坩埚由石墨坩埚顶盖和石墨坩埚体构成，所述石墨坩埚内表面上设置有碳膜层，将碳化硅原料置于石墨坩埚体内，盖上所述石墨坩埚顶盖，放入生长炉中，并使所述石墨坩埚体的底部和/或下部位于加热区以使石墨坩埚体的底部的温度高于石墨坩埚顶盖的温度，采用物理气相传输方法或者高温化学气相沉积法在所述碳膜层表面生长碳化硅多晶陶瓷材料。本发明生长方法简易，所述碳化硅多晶陶瓷比传统碳化硅陶瓷性能更优异，其均匀性好，致密度更好，纯度更高，热导率更好。
-
公开(公告)号：CN103173861A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110440347.4
申请日：2011-12-23
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法。所述掺杂型钽酸镓镧(M-LGT)晶体通式为y％M:La3Ta0.5+xGa5.5-xO14，其中：-0.3≤x≤0.3，0≤y≤2，掺杂元素M为Ba、Mo和Al中的至少一种。该晶体可以采用提拉法或坩埚下降法等晶体生长方法制备，并通过优化生长气氛、掺杂元素及后处理条件，可以显著提高晶体高温下的电阻率。采用该晶体制作的压电元件首次成功应用于-200℃～649℃的超高温压电加速度传感器，该掺杂型高电阻率LGT晶体材料在未来的超高温压电器件中具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN103114336A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310077884.6
申请日：2013-03-12
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明涉及一种碳化硅晶片的退火方法，包括：将经初加工的碳化硅晶片置于退火炉中，在惰性气体或还原性气体的保护下，缓慢升温1～8小时（优选3～6小时）至退火温度1200～1800℃（优选1300～1500℃），在该退火温度恒温保温0.1～5小时（优选2～3小时），然后缓慢降温1～10（优选3～7小时）小时至室温。本发明通过对SiC晶片进行退火，与SiC晶锭的退火过程相比，具有退火温度低，时间短，在生产过程中容易实现等优点。经本发明退火处理，可以显著降低SiC晶片中的残余应力、减少缺陷，提高SiC晶片的结晶质量。
-
公开(公告)号：CN107190322A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710213529.5
申请日：2017-04-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
摘要： 本发明涉及一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法，采用石墨坩埚盛放碳化硅原料，其中石墨坩埚由石墨坩埚顶盖和石墨坩埚体构成，所述石墨坩埚内表面上设置有碳膜层，将碳化硅原料置于石墨坩埚体内，盖上所述石墨坩埚顶盖，放入生长炉中，并使所述石墨坩埚体的底部和/或下部位于加热区以使石墨坩埚体的底部的温度高于石墨坩埚顶盖的温度，采用物理气相传输方法或者高温化学气相沉积法在所述碳膜层表面生长碳化硅多晶陶瓷材料。本发明生长方法简易，所述碳化硅多晶陶瓷比传统碳化硅陶瓷性能更优异，其均匀性好，致密度更好，纯度更高，热导率更好。
-
公开(公告)号：CN102701208A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210207135.6
申请日：2012-06-21
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C01B31/36 , C30B29/36 , C04B35/565
摘要： 本发明涉及一种高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法，包括：配料工序：将高纯Si粉和高纯C粉混合均匀，其摩尔比为1：1～1.5：1；高真空热处理工序：将高纯Si和C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至9×10-4Pa以下，同时将温度升高至600～1300℃，保持2小时以上；惰性气体清洗工序：向生长室中充入第一规定压力的高纯惰性气体，保持1小时以上后，再抽真空至9×10-3Pa以下，该工序重复2次以上；以及高温合成工序：在第二规定压力的高纯惰性气体下，于反应温度1500～2500℃下，保持反应2小时以上，而后降至室温，即可得到氮含量在15ppm以下的高纯碳化硅粉体。
-
公开(公告)号：CN108796610B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201810629902.X
申请日：2018-06-19
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法，该装置包括：用以采用物理气相传输方法生长碳化硅单晶的坩埚，裹绕所述坩埚的保温层，位于所述保温层外侧的感应线圈，载置有所述坩埚的底座，通过石墨杆和第一连接杆与所述底座连接并将所述坩埚调平居中的调节装置，和连接至所述调节装置的晶体生长设备的传递装置。本发明提供了一种通过石墨杆、第一连接杆和调节装置连接坩埚与生长炉的传递装置的简易装置，使碳化硅晶体生长过程中坩埚不仅围绕中心旋转而且可以调平居中，从而实现晶体生长过程中和降温时温度场的均匀一致，提高碳化硅晶体的质量与成品率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
27 条记录 (耗时 0.059 秒)
