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公开(公告)号：CN101794070B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910243540.1
申请日：2009-12-25
申请人： 中国科学院光电技术研究所
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种用于缩小投影超分辨成像的器件和光刻方法。器件主要结构特征为多层交替叠加的金属和介质薄膜，薄膜界面为特殊设计的曲面。在薄膜结构最外层掩模物信息以一定缩小倍率成像传递到另外一侧最外层表面，该表面外为光刻胶，实现缩小投影超分辨成像光刻。或者通过投影光学系统将掩模图形投影成像到超分辨成像器件的物平面上，再以一定缩小倍率成像传递到器件另外一侧最外层表面，该表面外为光刻胶，实现缩小投影超分辨成像光刻。
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公开(公告)号：CN101792111B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910243533.1
申请日：2009-12-25
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 一种制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：在掩模上加工出可供沉积粒子通过的狭缝；在膜料沉积过程中移动掩模狭缝，使沉积区域在基片上移动；通过控制基片各个区域的沉积时间来控制各区域沉积的膜厚，从而对膜层的厚度分布进行调制；在基底的同一区域连续沉积多层不同膜料和厚度分布的膜层，从而得到多层浮雕结构的复合膜层。本发明在微/纳浮雕结构的制备方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101736287A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910241921.6
申请日：2009-12-15
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 一种利用阴影蒸镀和湿法腐蚀来制备半圆柱形沟槽的方法，包括：采用常规技术在衬底上沉积掩蔽膜层，在掩蔽膜层上涂布光刻胶；采用光刻技术在光刻胶上制备线条结构；以一定角度进行倾斜蒸镀，在每条光刻胶线条边缘外形成一条一定宽度的没有沉积蒸镀材料的阴影区；然后以蒸镀的材料作为保护层对掩蔽膜层进行干法刻蚀，阴影区域的掩蔽膜层由于没有蒸镀材料的保护而被刻蚀掉，这样得到对应于阴影区域的掩蔽膜层狭缝；通过掩蔽膜层狭缝以稀释的氢氟酸溶液对衬底进行各向同性腐蚀，得到位于衬底表面的半圆柱形沟槽。该方法不需要电子束、离子束等昂贵的设备，就可以大面积地制备得到宽度为二十纳米到二微米的掩蔽膜层狭缝，进而得到直径为一百纳米到十微米之间任何数值的半圆柱形沟槽。
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公开(公告)号：CN101718952B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910243534.6
申请日：2009-12-25
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 一种基于移动编码掩模原理制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：由所制备膜层的厚度分布函数得到对应的掩模开孔函数，确定掩模开孔的形状和几何尺寸；沿掩模移动方向，在掩模上周期性地制备出此开孔；在膜料沉积过程中移动掩模，由掩模开孔的形状和几何尺寸控制此膜层各沉积区域的膜厚分布；重复以上步骤，通过更换掩模和膜料，可连续沉积多层不同材料和厚度分布的浮雕结构膜层。该方法结合了移动掩模技术和定向沉积技术，不需要经过曝光、刻蚀等复杂工艺步骤就可以在基底上直接沉积得到一层或多层预定厚度分布的浮雕结构膜层。
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公开(公告)号：CN101736287B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200910241921.6
申请日：2009-12-15
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 一种利用阴影蒸镀和湿法腐蚀来制备半圆柱形沟槽的方法，包括：采用常规技术在衬底上沉积掩蔽膜层，在掩蔽膜层上涂布光刻胶；采用光刻技术在光刻胶上制备线条结构；以一定角度进行倾斜蒸镀，在每条光刻胶线条边缘外形成一条一定宽度的没有沉积蒸镀材料的阴影区；然后以蒸镀的材料作为保护层对掩蔽膜层进行干法刻蚀，阴影区域的掩蔽膜层由于没有蒸镀材料的保护而被刻蚀掉，这样得到对应于阴影区域的掩蔽膜层狭缝；通过掩蔽膜层狭缝以稀释的氢氟酸溶液对衬底进行各向同性腐蚀，得到位于衬底表面的半圆柱形沟槽。该方法不需要电子束、离子束等昂贵的设备，就可以大面积地制备得到宽度为二十纳米到二微米的掩蔽膜层狭缝，进而得到直径为一百纳米到十微米之间任何数值的半圆柱形沟槽。
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公开(公告)号：CN101726998A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910241923.5
申请日：2009-12-15
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 一种利用金属反射膜结构实现提高近场光刻质量的方法，其特征在于以下步骤：(1)首先选择基底材料；(2)在基底表面沉积利于金属附着的沉积层A，厚度为Da；(3)在沉积层A上沉积金属薄膜，形成可用于激发表面等离子体的金属层B，层厚度为Db；(4)在金属层B上沉积保护膜层C，用作隔绝金属层B与抗蚀剂、显影液等接触的保护层，层厚度为Dc；(5)在上步骤获得的结构表面旋涂抗蚀剂D；(6)将经设计的周期结构图形掩模置于最上层表面；(7)对所得的结构进行曝光；(8)曝光结束后，去除掩模结构；(9)将所得的结构放入与抗蚀剂相匹配的显影液中进行显影；(10)去除结构表面残留的显影液，后烘以获得最终近场光刻结构图形；利用上述方法明可以提高掩模图形结构特征尺寸小于λ/2时，近场光刻所得抗蚀剂图形结构的深度、陡度及光滑度。
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公开(公告)号：CN101723307A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910243541.6
申请日：2009-12-25
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 一种利用两次膜层沉积和湿法腐蚀制备半圆柱形微细沟槽的方法步骤为：采用常规技术在石英衬底上沉积膜层，在膜层上涂布光刻胶，进行光刻、显影、坚模；利用光刻胶图形作掩蔽和湿法腐蚀各向同性的特点，使用腐蚀液刻蚀掉光刻胶图形边缘下方的膜层，形成一定宽度的空气间隙；湿法腐蚀后得到的结构表面再次沉积相同材料的膜层，去除光刻胶后得到和空气间隙宽度相同的狭缝；再利用膜层为掩蔽，通过狭缝，使用氢氟酸缓冲液对石英衬底进行各向同性腐蚀，得到半圆柱形微细沟槽。该方法不需要电子束、粒子束、干法刻蚀等昂贵的设备就可制备得到宽度范围在700纳米到2.5微米的狭缝，通过控制湿法腐蚀的条件进而得到直径宽度范围为700纳米到2.5微米，深度范围为350纳米到1.25微米的半圆柱形微细沟槽。
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公开(公告)号：CN101727007B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910243539.9
申请日：2009-12-25
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法，是采用光刻胶-银膜一光刻胶的三层膜层结构基片，纳米掩模图形面与基片表层光刻胶接触曝光。银膜功能是通过紫外照明光，将铬膜上的线宽尺度在20nm～500nm的图形成像到基片表层光刻胶，实现纳米图形成像光刻。表层光刻胶曝光显影后，通过两步刻蚀，将图形传递到金属银膜和底层光刻胶层，从而实现高深宽比的纳米光刻胶图形。
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公开(公告)号：CN101723307B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910243541.6
申请日：2009-12-25
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 一种利用两次膜层沉积和湿法腐蚀制备半圆柱形微细沟槽的方法步骤为：采用常规技术在石英衬底上沉积膜层，在膜层上涂布光刻胶，进行光刻、显影、坚模；利用光刻胶图形作掩蔽和湿法腐蚀各向同性的特点，使用腐蚀液刻蚀掉光刻胶图形边缘下方的膜层，形成一定宽度的空气间隙；湿法腐蚀后得到的结构表面再次沉积相同材料的膜层，去除光刻胶后得到和空气间隙宽度相同的狭缝；再利用膜层为掩蔽，通过狭缝，使用氢氟酸缓冲液对石英衬底进行各向同性腐蚀，得到半圆柱形微细沟槽。该方法不需要电子束、粒子束、干法刻蚀等昂贵的设备就可制备得到宽度范围在700纳米到2.5微米的狭缝，通过控制湿法腐蚀的条件进而得到直径宽度范围为700纳米到2.5微米，深度范围为350纳米到1.25微米的的半圆柱形微细沟槽。
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公开(公告)号：CN101727007A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910243539.9
申请日：2009-12-25
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法，是采用光刻胶-银膜一光刻胶的三层膜层结构基片，纳米掩模图形面与基片表层光刻胶接触曝光。银膜功能是通过紫外照明光，将铬膜上的线宽尺度在20nm～500nm的图形成像到基片表层光刻胶，实现纳米图形成像光刻。表层光刻胶曝光显影后，通过两步刻蚀，将图形传递到金属银膜和底层光刻胶层，从而实现高深宽比的纳米光刻胶图形。
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