-
公开(公告)号：CN115541067A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211012250.8
申请日：2022-08-23
Applicant: 中国科学院大学 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种检测生产工况下金属薄板微缺陷的微纳器件，包括微纳器，所述微纳器包括壳体，壳体的上部为安装口，壳体内底部设置有印刷电路板，所述壳体内两侧对称设置有衬垫，所述衬垫下端与印刷电路板相连，对应安装口位置的壳体另外两侧内对称设置有弹簧梁组件，两个弹簧梁组件之间共同水平固装一质量块，实施质量块的中心处制有凹槽，用于限位安装有永磁体，所述质量块相对衬板两侧中部等间距排列有可移动平行极板，所述可移动平行极板、质量块和永磁铁构成活动体，且衬垫相对侧壁上等间距排列有固定平行极板，固定平行极板另一端穿插在所述可移动平行极板的间隔中。本发明可以对在生产工况下对金属薄板的微缺陷进行检测、且检测精度高。
-
公开(公告)号：CN113872544A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111184437.1
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H3/007
Abstract: 本发明提供一种微机械谐振器的制备方法，其包括以下步骤：获取衬底结构，所述衬底结构形成有谐振部以及处于所述谐振部两侧且呈间隔设置的两个电极部；在所述衬底结构上生长牺牲层并图形化，呈部分显露所述谐振部以及所述两个所述电极部设置；淀积第一多晶硅并图形化，对应所述谐振部以及所述两个所述电极部形成有谐振结构、输入电极以及输出电极，其中，所述输入电极以及所述输出电极均与所述谐振结构之间形成有电容间隙；释放所述谐振结构下的所述牺牲层，获得谐振器晶片；制备封装盖片，真空键合所述封装盖片以及所述谐振器晶片，形成MEMS谐振器。保证真空气密性，整体工艺流程简单可靠，可实现高精度、高质量、大批量低成本制备。
-
公开(公告)号：CN113271080A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110543094.7
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H9/02
Abstract: 本公开提供了一种环形结构酒杯模态射频微机电谐振器，包括：工作在酒杯模态下的呈环形结构的谐振单元；支撑单元，与所述谐振单元的位移节点耦合，用于支撑所述谐振单元悬空；电极，设置于所述谐振单元外围；其中，所述电极与所述谐振单元具有一间隙层，用于所述谐振单元与所述电极之间的机电转换。所述环形结构酒杯模态射频微机电谐振器相比于现有技术的谐振器，热弹性损耗更低，Q值更高，插入损耗更低、高频率稳定性更高，放宽了后级放大电路的增益需求，系统功耗及噪声更低，器件尺寸更小，更有利于器件大规模低成本生产，可用于构建射频系统中的多种高性能射频器件，具备广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN112953433A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110433259.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H7/075
Abstract: 本公开提供一种多梁耦合的微机电谐振器，包括：谐振结构，包括多个谐振梁，且各个谐振梁顺次首尾相连耦合形成多边形环，相邻所述谐振梁耦合处设置有位移节点；电极，设置于所述谐振结构外围及所述谐振结构的内侧，通过机电转换介质层与所述谐振结构相隔；多个支撑梁，每个所述支撑梁的一端连接至一个所述位移节点；其中，各所述支撑梁的另一端连接至固定的基座，使得所述谐振结构处于悬空状态，因此在谐振结构工作时，电极驱动所述谐振结构，使所述每个谐振梁在所述多边形环所在面内朝垂直于对应谐振梁长度的方向做弯曲振动。
-
公开(公告)号：CN112865740B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202011642670.5
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于模态重分布的MEMS谐振器，包括：衬底；支撑结构，一端固定在所述衬底上；谐振单元，设有调整装置，所述谐振单元与支撑结构的另一端相连；电极，与所述谐振单元电连接，所述电极设置在所述谐振单元的侧面、上表面和/或下表面。本公开针对无线通信系统的不同应用需求，其结构可灵活设置，进而实现了对其性能的优化，有效摆脱了现有光刻精度工艺水平的限制，该MEMS谐振器具备尺寸小、易加工、节省空间等优势，有利于实现集成化、微型化，推动MEMS谐振器在智能传感领域的高端应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113114149B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110568612.0
申请日：2021-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种面内拉伸模态射频微机电谐振器，包括：谐振单元，工作于面内拉伸模态下；定义谐振单元由在面内拉伸模态下的谐振振动而产生位移量变化的边缘位置为振动部；支撑单元，包括支撑梁和基座；支撑梁包括形成复合结构的直梁和框型梁；支撑梁用于支撑谐振单元；基座与支撑梁相连，用于维持谐振单元的悬空；电极，设置于谐振单元的振动部处，用于驱动和检测谐振单元进行谐振振动的换能结构。本发明提供的面内拉伸模态射频微机电谐振器基于面内拉伸模态，热弹性损耗和介质损耗低；支撑梁为复合结构，减小了谐振器的支撑损耗，进一步提高Q值，可用于构建多种高性能射频器件。
-
公开(公告)号：CN113872545A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111184562.2
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H3/007
Abstract: 本发明提供一种MEMS谐振器制备方法，包括以下步骤：获取SOI基片，其中，所述SOI基片包括由上至下依次设置的顶硅层、埋氧层以及衬底层；刻蚀所述顶硅层，形成封装环以及处于所述封装环内的芯片部；刻蚀所述芯片部，形成沿水平向依次呈间隔设置的输入电极、谐振结构以及输出电极，其中，所述输入电极以及输出电极均与所述谐振结构之间形成有电容间隙；自所述电容间隙，腐蚀去除处于所述谐振结构下的所述埋氧层；制备封装盖片，真空键合所述封装盖片以及所述封装环，形成MEMS谐振器。在本发明提供的技术方案中，利用顶硅层定义谐振结构、电极、电容间隙及封装环，并将埋氧层作为牺牲层，释放后使得谐振结构悬空；工艺流程简单可靠，提高MEMS谐振器的成品率。
-
公开(公告)号：CN113114106A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110433103.7
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03B1/00
Abstract: 本公开提供一种基于压阻检测的谐振器单元，包括：谐振体；电极，设置于所述谐振体外围，通过机电转换介质层与所述谐振体相隔；多个压力敏感电阻，分别对称设置于所述谐振体边缘应力最大处的上表面；以及支撑梁，一端对应所述压力敏感电阻连接于所述谐振体的边缘；所述支撑梁的另一端连接至固定的基座，使得所述谐振体处于悬空状态，因此在谐振器单元工作时，通过电极驱动所述谐振体在所在平面内收缩和扩张振动，使得所述压力敏感电阻的阻值因应力变化而改变，从而通过阻值的改变表征所述谐振器的振动情况。
-
公开(公告)号：CN113872545B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202111184562.2
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H3/007
Abstract: 本发明提供一种MEMS谐振器制备方法，包括以下步骤：获取SOI基片，其中，所述SOI基片包括由上至下依次设置的顶硅层、埋氧层以及衬底层；刻蚀所述顶硅层，形成封装环以及处于所述封装环内的芯片部；刻蚀所述芯片部，形成沿水平向依次呈间隔设置的输入电极、谐振结构以及输出电极，其中，所述输入电极以及输出电极均与所述谐振结构之间形成有电容间隙；自所述电容间隙，腐蚀去除处于所述谐振结构下的所述埋氧层；制备封装盖片，真空键合所述封装盖片以及所述封装环，形成MEMS谐振器。在本发明提供的技术方案中，利用顶硅层定义谐振结构、电极、电容间隙及封装环，并将埋氧层作为牺牲层，释放后使得谐振结构悬空；工艺流程简单可靠，提高MEMS谐振器的成品率。
-
公开(公告)号：CN116827302B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202210291742.9
申请日：2022-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器，包括：第一谐振单元，其为环形结构；第一支撑单元，其一端与第一谐振单元连接，另一端与第一基座连接；其中，第一支撑单元的长度等于该静电式MEMS谐振器谐振波长的四分之一；对电极，包括：第一电极及第二电极，第一电极位于第一谐振单元的内侧，第二电极位于第一谐振单元的外侧；其中，第一电极及第二电极分别与第一谐振单元通过第一间隙层间隔设置。本公开还提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器阵列。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.053 seconds)
