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公开(公告)号：CN109573941A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811360938.9
申请日：2018-11-15
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81C1/0015
摘要： 本公开提供一种CMOS-MEMS集成芯片的规模化制造方法，将CMOS工艺与MEMS体硅制造工艺有机融合，包括：步骤A：选取SOI基片并在所述SOI基片上划分出CMOS电路区域和MEMS谐振式悬臂梁传感器区域；所述SOI基片包括顶层硅(1)、埋氧层(2)以及体硅(3)；步骤B：在步骤A所选取的SOI基片的顶层硅(1)上采用CMOS工艺制作CMOS电路和MEMS谐振式悬臂梁传感器电路；步骤C：制备金电极及MEMS谐振式悬臂梁，完成CMOS-MEMS集成芯片的制备，采用Inter-CMOS和Post-CMOS工艺的融合，减小了器件的寄生电容，降低了信号噪声，大大提高了器件的稳定性和成品率。
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公开(公告)号：CN109573941B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201811360938.9
申请日：2018-11-15
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本公开提供一种CMOS‑MEMS集成芯片的规模化制造方法，将CMOS工艺与MEMS体硅制造工艺有机融合，包括：步骤A：选取SOI基片并在所述SOI基片上划分出CMOS电路区域和MEMS谐振式悬臂梁传感器区域；所述SOI基片包括顶层硅(1)、埋氧层(2)以及体硅(3)；步骤B：在步骤A所选取的SOI基片的顶层硅(1)上采用CMOS工艺制作CMOS电路和MEMS谐振式悬臂梁传感器电路；步骤C：制备金电极及MEMS谐振式悬臂梁，完成CMOS‑MEMS集成芯片的制备，采用Inter‑CMOS和Post‑CMOS工艺的融合，减小了器件的寄生电容，降低了信号噪声，大大提高了器件的稳定性和成品率。
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公开(公告)号：CN111190022A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010015868.4
申请日：2020-01-07
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一种基于谐振式传感器的生化检测系统及检测方法。生化检测系统包括：传感芯片组件，包括第一微流体腔和MEMS谐振式传感器芯片，MEMS谐振式传感器芯片的悬臂梁能够吸附流经第一微流体腔的待测物；微流道及驱动组件，用于驱动含待测物的样品液进入传感芯片组件的第一微流体腔，对经过第一微流体腔后流出的样品液进行收集；电路及检测组件，用于接收传感芯片组件的输出信号，并对输出信号进行处理，以获取悬臂梁在吸附待测物前后的频率变化来计算待测物的质量；以及系统控制组件，用于对除系统控制组件外的其余组件进行信号收发控制。本发明还公开了一种基于此生化检测系统的检测方法，能够实现对病原微生物等进行高灵敏、快速检测。
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公开(公告)号：CN109847817B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910121016.0
申请日：2019-02-18
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： B01L3/00
摘要： 本公开提供了一种微流控芯片，包括：盖板(1)，盖板(1)上设置有进液孔(3)、出液孔(4)和微电极阵列(5)，微电极阵列(5)设置在进液孔(3)和出液孔(4)之间，并且，微电极阵列(5)包括电极对(6)、传输线(7)和输入电极(8)，输入电极(8)经传输线(7)与电极对(6)相连；基板(2)，基板(2)上设置有微流道通道(9)、第一对准孔(10)和第二对准孔(11)；其中：盖板(1)与基板(2)键合时，进液孔(3)与第一对准孔(10)对准，出液孔(4)与第二对准孔(11)对准，微电极阵列(5)与微流道通道(9)对准。本公开还提供了一种微流控芯片的制备方法。
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公开(公告)号：CN109283236B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201811363372.5
申请日：2018-11-15
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： G01N27/414
摘要： 本公开提供了一种集成CMOS‑MEMS的高灵敏谐振式传感器，包括：微流道谐振腔、MEMS悬臂梁结构、惠斯通电桥检测电路、CMOS信号处理电路；谐振式传感器集成了MEMS悬臂梁结构和CMOS信号处理电路，惠斯通电桥检测电路输出信号在CMOS信号处理电路内闭环传递并激励MEMS悬臂梁结构谐振；通过获取MEMS悬臂梁结构在吸附待测物前后的频率变化来计算待测物的质量。本公开具有CMOS‑MEMS集成度高、灵敏度高、可大规模制作等特点，相比于同类MEMS器件和电路模块，占用面积减少了近90％，因此，非常适用于便携式检测，尤其是可穿戴系统，能够广泛应用于生物医疗、食品安全、化学化工、航天国防等领域。
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公开(公告)号：CN109847817A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910121016.0
申请日：2019-02-18
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： B01L3/00
摘要： 本公开提供了一种微流控芯片，包括：盖板(1)，盖板(1)上设置有进液孔(3)、出液孔(4)和微电极阵列(5)，微电极阵列(5)设置在进液孔(3)和出液孔(4)之间，并且，微电极阵列(5)包括电极对(6)、传输线(7)和输入电极(8)，输入电极(8)经传输线(7)与电极对(6)相连；基板(2)，基板(2)上设置有微流道通道(9)、第一对准孔(10)和第二对准孔(11)；其中：盖板(1)与基板(2)键合时，进液孔(3)与第一对准孔(10)对准，出液孔(4)与第二对准孔(11)对准，微电极阵列(5)与微流道通道(9)对准。本公开还提供了一种微流控芯片的制备方法。
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公开(公告)号：CN116827302A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210291742.9
申请日：2022-03-22
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本公开提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器，包括：第一谐振单元，其为环形结构；第一支撑单元，其一端与第一谐振单元连接，另一端与第一基座连接；其中，第一支撑单元的长度等于该静电式MEMS谐振器谐振波长的四分之一；对电极，包括：第一电极及第二电极，第一电极位于第一谐振单元的内侧，第二电极位于第一谐振单元的外侧；其中，第一电极及第二电极分别与第一谐振单元通过第一间隙层间隔设置。本公开还提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器阵列。
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公开(公告)号：CN109283236A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811363372.5
申请日：2018-11-15
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： G01N27/414
摘要： 本公开提供了一种集成CMOS-MEMS的高灵敏谐振式传感器，包括：微流道谐振腔、MEMS悬臂梁结构、惠斯通电桥检测电路、CMOS信号处理电路；谐振式传感器集成了MEMS悬臂梁结构和CMOS信号处理电路，惠斯通电桥检测电路输出信号在CMOS信号处理电路内闭环传递并激励MEMS悬臂梁结构谐振；通过获取MEMS悬臂梁结构在吸附待测物前后的频率变化来计算待测物的质量。本公开具有CMOS-MEMS集成度高、灵敏度高、可大规模制作等特点，相比于同类MEMS器件和电路模块，占用面积减少了近90％，因此，非常适用于便携式检测，尤其是可穿戴系统，能够广泛应用于生物医疗、食品安全、化学化工、航天国防等领域。
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