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公开(公告)号：CN102023141A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910093882.X
申请日：2009-09-23
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一套具有灵活测量几何的变温显微磁光电测试系统，包括：一掺钛蓝宝石激光器，在其出射光路上依次排列有斩波器、宽波段线偏振片、光弹调制器、第一宽带消偏振分光棱镜、第二宽带消偏振分光棱镜、第一物镜和液氮杜瓦；该第二宽带消偏振分光棱镜的折射光路上还包括一摄像头及与其连接的显示器，在摄像头之后的光路上有一第二物镜，在第二物镜之后通过光纤连接有一单色仪及其配套的探测器；斩波器与一控制器连接；光弹调制器与一控制器连接；第一宽带消偏振分光棱镜的折射光路上还包括一照明光源及探测器；第二宽带消偏振分光棱镜的折射光路上还包扩一摄像头及与其连接的显示器；一钕铁硼永磁体，同轴但不接触地套在液氮杜瓦的前端；还包括一直流电流源，其两个输出端口通过导线与样品连接。
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公开(公告)号：CN101471396A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710304257.6
申请日：2007-12-26
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法，包括：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置；3)运用模拟程序，计算出与实际样品高反带完全对应的砷化镓层的厚度，砷化铝层的厚度以及与实际腔模完全对应所要求的腔体的厚度；4)根据步骤3)所得数据对第一次生长样品高反带的砷化镓层厚度、砷化铝层厚度以及腔体厚度进行校正，并对分子束外延设生长样品的时间参数进行校正，生长出新样品。5)采用显微拉曼光谱仪测量新样品反射谱。
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公开(公告)号：CN102023141B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910093882.X
申请日：2009-09-23
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一套具有灵活测量几何的变温显微磁光电测试系统，包括：一掺钛蓝宝石激光器，在其出射光路上依次排列有斩波器、宽波段线偏振片、光弹调制器、第一宽带消偏振分光棱镜、第二宽带消偏振分光棱镜、第一物镜和液氮杜瓦；该第二宽带消偏振分光棱镜的折射光路上还包扩一摄像头及与其连接的显示器，在摄像头之后的光路上有一第二物镜，在第二物镜之后通过光纤连接有一单色仪及其配套的探测器；斩波器与一控制器连接；光弹调制器与一控制器连接；第一宽带消偏振分光棱镜的折射光路上还包括一照明光源及探测器；第二宽带消偏振分光棱镜的折射光路上还包扩一摄像头及与其连接的显示器；一钕铁硼永磁体，同轴但不接触地套在液氮杜瓦的前端；还包括一直流电流源，其两个输出端口通过导线与样品连接。
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公开(公告)号：CN102253323A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110159296.8
申请日：2011-06-14
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 一种测量电子自旋相关输运的变温显微测量系统，包括：一HeNe激光器；一格兰泰勒棱镜将HeNe激光器出射的激光变成线偏振光；一光弹调制器；一显微物镜用于将入射激光聚焦在样品台面上；一变温液氮杜瓦样品座包括一温度控制仪，一紫铜冷指，待测量样品固定在紫铜冷指顶端；一数字电压电流源表其控制端通过GPIB线与一计算机连接；一取样电阻用于将待测量样品的交流电压信号提取出来；一锁相放大器其控制端通过GPIB线与一计算机连接；一半反半透镜组位于主光路上；一白光光源用以观察待测量样品台面上的位置；一摄像机和显示器用来显示输出待测量样品台面成像以及激光光斑位置；一钕铁硼环形永磁体同轴套在变温液氮杜瓦样品座的紫铜冷指外部。
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公开(公告)号：CN101471396B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710304257.6
申请日：2007-12-26
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明一种谐振腔增强探测器腔的控制方法，包括：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置；3)运用模拟程序，计算出与实际样品高反带完全对应的砷化镓层的厚度，砷化铝层的厚度以及与实际腔模完全对应所要求的腔体的厚度；4)根据步骤3)所得数据对第一次生长样品高反带的砷化镓层厚度、砷化铝层厚度以及腔体厚度进行校正，并对分子束外延设生长样品的时间参数进行校正，生长出新样品；5)采用显微拉曼光谱仪测量新样品反射谱。
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