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公开(公告)号：CN102054673A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910236706.7
申请日：2009-10-28
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/205
摘要： 一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄层上生长n型GaN基材料。
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公开(公告)号：CN100499179C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710062978.0
申请日：2007-01-24
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 一种单结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可增加衬底表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在低温氮化镓成核层的上面，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；一n型掺杂InxGa1-xN层，该n型掺杂InxGa1-xN层制作在非有意掺杂高阻氮化镓缓冲层的上面，该n型掺杂层是InxGa1-xN p-n结的一部分；一p型掺杂InxGa1-xN层，该p型掺杂InxGa1-xN层制作在n型掺杂InxGa1-xN层的上面，该p型掺杂层是InxGa1-xN p-n结的一部分。
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公开(公告)号：CN101232050A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710062978.0
申请日：2007-01-24
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 一种单结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可增加衬底表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在低温氮化镓成核层的上面，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；一n型掺杂InxGa1－xN层，该n型掺杂InxGa1－xN层制作在非有意掺杂高阻氮化镓缓冲层的上面，该n型掺杂层是InxGa1－xN p－n结的一部分；一p型掺杂InxGal－xN层，该p型掺杂InxGa1－xN层制作在n型掺杂InxGa1－xN层的上面，该p型掺杂层是InxGa1－xN p－n结的一部分。
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公开(公告)号：CN101373798B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200710120608.8
申请日：2007-08-22
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 一种倒装双结铟镓氮太阳能电池结构，包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在氮化镓成核层的上面；一n型掺杂InaGa1-aN层制作在非有意掺杂氮化镓缓冲层的上面；一p型掺杂InaGa1-a N层制作在n型掺杂InaGa1-a N层的上面；一p型重掺杂InbGa1-b N层制作在p型掺杂InaGa1-a N层的上面；一n型重掺杂InbGa1-b N层制作在p型重掺杂InbGa1-b N层的上面；一n型掺杂IncGa1-c N层制作在n型重掺杂InbGa1-b N层的上面；一p型掺杂IncGa1-c N层制作在n型掺杂IncGa1-c N层的上面。
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公开(公告)号：CN102054673B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910236706.7
申请日：2009-10-28
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/205
摘要： 一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄层上生长n型GaN基材料。
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公开(公告)号：CN100558947C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710062979.5
申请日：2007-01-24
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成核层上生长一层缓冲层，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；步骤4：采用金属有机物化学气相沉积技术在缓冲层上生长氮化铟单晶薄膜，该氮化铟单晶薄膜表面平整，晶体质量高。
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公开(公告)号：CN101752444B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200810240351.4
申请日：2008-12-17
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层。本发明采用InxGa1-xN三元合金材料和量子点结构，利用该合金带宽可调节的优点，结合量子点超晶格结构的优势，通过严格控制生长条件，得到高质量的以InyGa1-yN量子点为i层和InxGa1-xN为势垒层的p-i-n结构材料，从而可在理论上达到63％的极限转换效率。
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公开(公告)号：CN101752444A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810240351.4
申请日：2008-12-17
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层。本发明采用InxGa1-xN三元合金材料和量子点结构，利用该合金带宽可调节的优点，结合量子点超晶格结构的优势，通过严格控制生长条件，得到高质量的以InyGa1-yN量子点为i层和InxGa1-xN为势垒层的p-i-n结构材料，从而可在理论上达到63％的极限转换效率。
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公开(公告)号：CN101373798A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710120608.8
申请日：2007-08-22
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 一种倒装双结铟镓氮太阳能电池结构，包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在氮化镓成核层的上面；一n型掺杂InaGa1－aN层制作在非有意掺杂氮化镓缓冲层的上面；一p型掺杂InaGa1－aN层制作在n型掺杂InaGa1－aN层的上面；一p型重掺杂InbGa1－bN层制作在p型掺杂InaGa1－aN层的上面；一n型重掺杂InbGa1－bN层制作在p型重掺杂InbGa1－bN层的上面；一n型掺杂IncGa1－cN层制作在n型重掺杂InbGa1－bN层的上面；一p型掺杂IncGa1－cN层制作在n型掺杂IncGa1－cN层的上面。
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公开(公告)号：CN101230487A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710062979.5
申请日：2007-01-24
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成核层上生长一层缓冲层，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；步骤4：采用金属有机物化学气相沉积技术在缓冲层上生长氮化铟单晶薄膜，该氮化铟单晶薄膜表面平整，晶体质量高。
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