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公开(公告)号：CN112051603A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202011037210.X
申请日：2020-09-28
IPC: G01T5/02
Abstract: 本发明涉及一种检测氡含量的装置及方法，检测氡含量的装置包括流气式腔室，所述流气式腔室的相对两侧分别为开设有进气口和出气口，所述流气式腔室的另外两侧的内壁上分别设置有漂移电极和带金属电极的半导体探测器，其中，所述漂移电极接负电压，所述带金属电极的半导体探测器接地。直接测量氡衰变子体的alpha粒子径迹并实时给出测量结果，避免了滞留效应，提高了仪器的稳定度和使用寿命。
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公开(公告)号：CN112051603B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202011037210.X
申请日：2020-09-28
IPC: G01T5/02
Abstract: 本发明涉及一种检测氡含量的装置及方法，检测氡含量的装置包括流气式腔室，所述流气式腔室的相对两侧分别为开设有进气口和出气口，所述流气式腔室的另外两侧的内壁上分别设置有漂移电极和带金属电极的半导体探测器，其中，所述漂移电极接负电压，所述带金属电极的半导体探测器接地。直接测量氡衰变子体的alpha粒子径迹并实时给出测量结果，避免了滞留效应，提高了仪器的稳定度和使用寿命。
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公开(公告)号：CN217561374U
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202220583461.6
申请日：2022-03-17
IPC: G01N23/227
Abstract: 一种X射线偏振气体探测器，该探测器的阴极盖、气管、铍窗、陶瓷框、可伐电极和芯片底座焊接成一个密闭气体腔室，所述密闭气体腔室内封装有气体倍增微通道板(GMCP)和Topmetal芯片，所述GMCP通过GMCP固定环挤压把GMCP固定在可伐电极上，GMCP表面与对应可伐电极电连接，Topmetal芯片通过金线在其四周引脚绑定在芯片底座上形成Topmetal模组，模组通过两边共20个焊点固定在电子学读出板上。该探测器整体的体积小、重量轻。探测器在对偏振X射线探测中，由于探测器电子学的等效噪声小，能得到比较精细光电子径迹，可以达到较高的偏振探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN107267993B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201710380485.5
申请日：2017-05-25
Applicant: 广西大学 , 中国科学院大学 , 北京新立机械有限责任公司
IPC: C23F3/06
Abstract: 本发明公开了一种双氧水体系抛光液以及在双氧水体系中抛光THGEM膜的方法，其中，该双氧水体系抛光液的配方如下：硫酸40‑55g、双氧水350‑400g、硝酸10‑15g、尿素2‑3g、柠檬酸1‑2g、聚乙二醇0.05‑0.2g、水补足1L；该抛光方法步骤如下：将装挂好的THGEM膜依次进行除锈、水洗、恒温抛光、脱膜、钝化、超声清洗、吹干。本发明的有益之处在于：(1)抛光液成分简单，原料易得，容易配比；(2)操作容易，反应用的水不需要是去离子水，并且不需要过高温度，最佳工艺条件为45℃；(3)处理时间短，最佳条件下只需要180s；(4)抛光效果好，毛刺去除效果佳，表面更平整，光亮度更高；(5)污染小，对人体无伤害；(6)抛光后的膜耐压高，在氮气环境下可达到1200V。
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公开(公告)号：CN105388172B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201510904144.4
申请日：2015-12-09
IPC: G01N23/20
Abstract: 本发明公开了一种X射线弧形气体衍射仪，其特征在于，包括由前至后依次紧密接触的：前端固件、漂移电极、中间固件、厚型气体电子倍增膜板、隔板、阳极板和后端固件，中间固件内充有工作气体，前端固件的后端面、中间固件的前后两个端面、以及后端固件的前端面均呈弧形，并且各端面弯曲成同心圆弧面，所述漂移电极、厚型气体电子倍增膜板、隔板和阳极板固定在固件之间，弯曲成同心圆弧。本发明的有益之处在于：具有良好的位置分辨率、较高的计数率上限，信号上升时间快；易于制造维护，清洁要求较GEM低；级联使用方便；相对价廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105555045B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510906825.4
申请日：2015-12-09
Applicant: 中国科学院大学 , 北京新立机械有限责任公司
IPC: H05K3/06
Abstract: 本发明公开了一种基于镀锡覆膜工艺的厚型气体电子倍增膜板的制作方法，其包括以下步骤：一、打定位孔；二、曝光、显影；三、酸性清洗；四、微蚀；五、酸泡；六、将电路板浸在镀锡液中，加电，利用电化学反应将电路板镀上纯锡；七、退膜；八、蚀刻极板；九、打矩阵排孔；十、用蚀刻液喷淋电路板，在电路板上蚀刻出rim绝缘环；十一、退锡；十二、清洗、吹干。本发明的有益之处在于：因为电镀锡层可以很好的保护表面铜箔，使蚀刻液仅能从小孔侧向进行腐蚀，所以不仅可以制作出更大的rim绝缘环，而且只要调整好蚀刻速度就可以很好的控制绝缘环大小；rim绝缘环整体均匀性更好，可以制作出更大面积的THGEM。
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公开(公告)号：CN103635026B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201310674407.8
申请日：2013-12-11
Applicant: 中国科学院大学 , 北京新立机械有限责任公司
IPC: H05K3/06
Abstract: 本发明公开了一种厚型气体电子倍增探测器膜板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：剪裁、清洗双面敷铜板；钻定位孔；两面同时压光致抗蚀干膜；将外图形菲林与压好光致抗蚀干膜的电路板对好位后放在曝光机上进行曝光；显影、蚀刻去铜、退掉光致抗蚀干膜；数控机床将双面敷铜板打出孔阵列；喷淋双面敷铜板。本发明的有益之处在于：采用整板微蚀工艺进行制作，便于大面积制作THGEM膜板，已成功制作出300mm×300mm的THGEM膜板，而且rim均匀性一致；利用全自动电路板制作设备，可以批量生产，成品率在95%以上；THGEM膜板与读出阳极板相互独立，可以根据需要设计加工成不同大小和形状。
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公开(公告)号：CN107267993A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710380485.5
申请日：2017-05-25
Applicant: 广西大学 , 中国科学院大学 , 北京新立机械有限责任公司
IPC: C23F3/06
CPC classification number: C23F3/06
Abstract: 本发明公开了一种双氧水体系抛光液以及在双氧水体系中抛光THGEM膜的方法，其中，该双氧水体系抛光液的配方如下：硫酸40-55g、双氧水350-400g、硝酸10-15g、尿素2-3g、柠檬酸1-2g、聚乙二醇0.05-0.2g、水补足1L；该抛光方法步骤如下：将装挂好的THGEM膜依次进行除锈、水洗、恒温抛光、脱膜、钝化、超声清洗、吹干。本发明的有益之处在于：(1)抛光液成分简单，原料易得，容易配比；(2)操作容易，反应用的水不需要是去离子水，并且不需要过高温度，最佳工艺条件为45℃；(3)处理时间短，最佳条件下只需要180s；(4)抛光效果好，毛刺去除效果佳，表面更平整，光亮度更高；(5)污染小，对人体无伤害；(6)抛光后的膜耐压高，在氮气环境下可达到1200V。
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公开(公告)号：CN105388172A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510904144.4
申请日：2015-12-09
IPC: G01N23/20
CPC classification number: G01N23/20
Abstract: 本发明公开了一种X射线弧形气体衍射仪，其特征在于，包括由前至后依次紧密接触的：前端固件、漂移电极、中间固件、厚型气体电子倍增膜板、隔板、阳极板和后端固件，中间固件内充有工作气体，前端固件的后端面、中间固件的前后两个端面、以及后端固件的前端面均呈弧形，并且各端面弯曲成同心圆弧面，所述漂移电极、厚型气体电子倍增膜板、隔板和阳极板固定在固件之间，弯曲成同心圆弧。本发明的有益之处在于：具有良好的位置分辨率、较高的计数率上限，信号上升时间快；易于制造维护，清洁要求较GEM低；级联使用方便；相对价廉。
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公开(公告)号：CN105555045A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510906825.4
申请日：2015-12-09
Applicant: 中国科学院大学 , 北京新立机械有限责任公司
IPC: H05K3/06
CPC classification number: H05K3/06 , H05K2201/09909 , H05K2203/0766 , H05K2203/0789
Abstract: 本发明公开了一种基于镀锡覆膜工艺的厚型气体电子倍增膜板的制作方法，其包括以下步骤：一、打定位孔；二、曝光、显影；三、酸性清洗；四、微蚀；五、酸泡；六、将电路板浸在镀锡液中，加电，利用电化学反应将电路板镀上纯锡；七、退膜；八、蚀刻极板；九、打矩阵排孔；十、用蚀刻液喷淋电路板，在电路板上蚀刻出rim绝缘环；十一、退锡；十二、清洗、吹干。本发明的有益之处在于：因为电镀锡层可以很好的保护表面铜箔，使蚀刻液仅能从小孔侧向进行腐蚀，所以不仅可以制作出更大的rim绝缘环，而且只要调整好蚀刻速度就可以很好的控制绝缘环大小；rim绝缘环整体均匀性更好，可以制作出更大面积的THGEM。
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