一种氯化哌嗪的制备方法及应用
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116143724A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202310038409.1

    申请日:2023-01-06

    Abstract: 本发明提供一种氯化哌嗪的制备方法及应用,氯化哌嗪的制备方法包括以下步骤:S1、将哌嗪双盐酸盐和无水哌嗪加入到反应溶剂中;S2、将反应溶剂先加热至回流温度反应,反应过程都在搅拌条件下进行;S3、待反应完全,冷却过滤产物并洗涤;S4、将获得的产物进行真空干燥,获得干燥的白色针状的氯化哌嗪晶体。本发明提供了氯化哌嗪低成本、低污染、高收率的便捷制备方法,并将产物作为钙钛矿基光伏技术领域的关键钝化材料,为钙钛矿光伏技术发展奠定了基础。

    一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116471902A

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202310191110.X

    申请日:2023-03-02

    Abstract: 本发明提供一种钙钛矿薄膜的制备方法及应用,钙钛矿薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、在空穴传输层上旋涂钙钛矿前驱体溶液,氯苯作为反萃取溶剂;S2、第一次退火处理,形成钙钛矿薄膜;S3、在钙钛矿薄膜表面旋涂A位阳离子替换液,所述A位阳离子替换液为阳离子化合物溶液与二甲基甲酰胺的混合溶液;S4、第二次退火处理,得到表面修饰的钙钛矿薄膜。本发明通过A位阳离子替换液对钙钛矿薄膜进行表面修饰,在在有机溶剂二甲基甲酰胺的辅助下,阳离子能够实现表面全覆盖和体内深扩散,从而实现钙钛矿表面和体内的残余拉应力的调控,制备的器件表现出很好的长期稳定性。

    一种稀土永磁体的钎焊方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115770916A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202211642498.2

    申请日:2022-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种稀土永磁体的钎焊方法,包括:步骤1,基体处理:酸洗去除稀土永磁体表面氧化膜;步骤2,沉积钎料层:将稀土永磁体放入物理气相沉积炉中离子清洗,然后在其待焊面PVD沉积Ag基钎料层;步骤3,气保护感应钎焊:将沉积Ag基钎料层的磁体待焊面对接,然后在气体保护或真空环境下感应加热至钎料熔化,保持一定时间后在气体保护或真空条件下冷却到室温,完成稀土永磁体的拼接。本发明方法在稀土永磁体表面沉积钎料层抑制其表面氧化,同时通过精确控制钎料层厚度和界面反应时间抑制开裂,实现稀土永磁体的高强度连接。

    一种晶硅底电池及其制备方法和叠层电池

    公开(公告)号:CN117012841A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310905116.9

    申请日:2023-07-24

    Abstract: 本发明提供了一种晶硅底电池及其制备方法和叠层电池,晶硅底电池包括晶硅衬底,晶硅衬底的正面依次层叠设置有正面隧穿氧化层、正面掺杂多晶硅层和透明导电层,晶硅衬底的背面依次层叠设置有背面隧穿氧化层、背面掺杂多晶硅层和背面电极,晶硅衬底的正面具有和背面具有金字塔形貌的绒面,其中正面绒面的金字塔高度为0.4‑1μm,背面绒面的金字塔高度为2‑5μm。本发明提供的晶硅底电池正面具有金字塔随机亚微米小绒面,这种陷光结构具有优异的陷光性能,钙钛矿薄膜在其表面涂覆效果好,同时小绒面陷域可以诱导钙钛矿晶粒生长,形成没有缺陷的钙钛矿薄膜,亚微米金字塔绒面还可以减小多晶硅薄膜与晶硅衬底的应力,保证TOPCon钝化结构的均匀性。

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