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公开(公告)号：CN108336185A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810135180.2
申请日：2018-02-09
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 博威尔特太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法。具体地，本发明提供一种太阳电池的制备方法，所述的方法包括步骤：(1)提供硅片；(2)在所述的硅片表面形成钝化层，得到钝化层-硅片复合基材；(3)通过热丝化学气相沉积法(HWCVD)，以硅源气体和掺杂原子源气体在所述的钝化层-硅片复合基材上进行沉积，形成掺杂硅薄膜层，得到掺杂硅薄膜；(4)用所述的掺杂硅薄膜制备得到太阳电池。本发明采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)能够在较低的温度下，无需高温退火，制备出激活掺杂浓度高，导电率高，适用于TopCon太阳电池的掺杂硅薄膜。
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公开(公告)号：CN105762234B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201610271978.0
申请日：2016-04-27
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明是有关一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层介于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述掺杂薄膜硅层掺杂的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。本发明由于掺杂薄膜层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。相对于均匀掺杂的掺杂薄膜硅层，降低了掺杂薄膜硅层整体的掺杂浓度，从而有助于减少薄膜中的俄歇复合速率，避免产生磷化硅沉淀，增长少数载流子的寿命，进而增大太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN105762234A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610271978.0
申请日：2016-04-27
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1868
摘要： 本发明是有关一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层介于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述掺杂薄膜硅层掺杂的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。本发明由于掺杂薄膜层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。相对于均匀掺杂的掺杂薄膜硅层，降低了掺杂薄膜硅层整体的掺杂浓度，从而有助于减少薄膜中的俄歇复合速率，避免产生磷化硅沉淀，增长少数载流子的寿命，进而增大太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN108801931B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810638142.9
申请日：2018-06-20
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： G01N21/21
摘要： 本发明提供一种富硼层和硼硅玻璃层的快速无损椭偏测试方法，具体地，所述制备方法包括：采用椭偏分析仪测试样品A，得到样品A的Ψ(A)‑λ曲线、采用椭偏分析仪测试样品B，得到样品B的Ψ(B)‑λ曲线；基于第一性原理，得到样品A富硼层主要成分的光学性质，并导出富硼层不同波段对应的折射率和吸光系数曲线、结合椭偏的数值分析，求解得到样品A富硼层的厚度、折射率和消光系数、样品A富硼层富硼层的厚度、折射率和消光系数带入样品B的Ψ(B)‑λ曲线，通过拟合分析得到样品B硼硅玻璃层的厚度、折射率和消光系数。本发明具有快速、无损、准确测量的特点。
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公开(公告)号：CN110518075B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201810496376.4
申请日：2018-05-22
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种黑硅钝化膜、其制备方法及应用。所述的制备方法包括：提供具有黑硅绒面结构的硅片，使所述硅片与混合溶液接触，反应形成氧化硅薄膜，其中，所述混合溶液包括浓硝酸和/或过氧化氢、浓硫酸和添加剂；以及，采用等离子体增强化学气相沉积技术在所述氧化硅薄膜表面沉积氮化硅薄膜，获得黑硅钝化膜。本发明在混酸中加入添加剂作为表面活性剂，可以有效改善黑硅纳米结构表面的润湿性和溶液渗透性，并协助混合溶液中的其他成分更高效地进入纳米孔洞内，以及提高溶液交换速率，从而保证获得完整的均匀的高质量氧化硅薄膜，更利于产业化应用。
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公开(公告)号：CN108801931A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810638142.9
申请日：2018-06-20
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： G01N21/21
CPC分类号： G01N21/211 , G01N2021/213
摘要： 本发明提供一种富硼层和硼硅玻璃层的快速无损椭偏测试方法，具体地，所述制备方法包括：采用椭偏分析仪测试样品A，得到样品A的Ψ(A)‑λ曲线、采用椭偏分析仪测试样品B，得到样品B的Ψ(B)‑λ曲线；基于第一性原理，得到样品A富硼层主要成分的光学性质，并导出富硼层不同波段对应的折射率和吸光系数曲线、结合椭偏的数值分析，求解得到样品A富硼层的厚度、折射率和消光系数、样品A富硼层富硼层的厚度、折射率和消光系数带入样品B的Ψ(B)‑λ曲线，通过拟合分析得到样品B硼硅玻璃层的厚度、折射率和消光系数。本发明具有快速、无损、准确测量的特点。
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公开(公告)号：CN108336184A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810134345.4
申请日：2018-02-09
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 , 博威尔特太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种隧穿氧钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法。具体地，本发明提供一种太阳电池的制备方法，包括步骤：(1)提供硅片；(2)在所述的硅片表面形成钝化隧穿层，得到钝化隧穿层-硅片复合基材；(3)通过甚高频等离子增强气相沉积法(VHF-PECVD)，以硅源气体和掺杂原子源气体在所述的钝化隧穿层-硅片复合基材上进行沉积，形成掺杂硅薄膜层，得到掺杂硅薄膜；(4)用所述的掺杂硅薄膜制备得到太阳电池。本发明采用的甚高频等离子增强气相沉积法(VHF-PECVD)能够在较低的温度下，无需高温退火，制备出激活掺杂浓度高，导电率高，适用于TopCon太阳电池的掺杂硅薄膜。
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公开(公告)号：CN107611005A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710696833.X
申请日：2017-08-15
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/20 , H01L31/0368
摘要： 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：(a)沉积非晶硅薄膜；(b)采用脉冲光照射上述非晶硅薄膜，使其晶化。本发明还提供了上述制备方法的产物和包含该产物的太阳能电池。本发明处理温度低，处理时间短，可有效减少非晶硅薄膜中的杂质元素扩散，减少对相邻层材料的破坏和影响，使器件获得较优性能。
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公开(公告)号：CN107170845A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710335537.7
申请日：2017-05-12
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0747
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/02363 , H01L31/0747
摘要： 本发明涉及一种湿法制备圆角化金字塔的方法。具体地，所述方法包括如下步骤：1)提供圆角化处理液和具有金字塔结构的硅片；2)在所述圆角化处理液中湿法处理所述具有金字塔结构的硅片，得到具有圆角化金字塔结构的硅片，其中，所述圆角化处理液包含如下组分：氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)和醋酸(CH3COOH)，其中，氢氟酸、硝酸和醋酸的体积比为1‑7：35‑100：15‑120，醋酸在所述圆角化处理液中的体积含量为7‑77％。所述方法可有效圆角化金字塔，并降低所得产物的缺陷态。
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公开(公告)号：CN105742391B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610272824.3
申请日：2016-04-27
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/0216
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明提供的太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述钝化隧穿层为氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层中的一种；所述氮氧化硅为掺杂氮的氧化硅或掺杂氧的氮化硅；所述氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层的氮浓度从远离硅片侧向硅片侧梯度降低。由于氮化硅和氮氧化硅的隧穿势垒较低，本发明钝化隧穿层可以在保证隧穿效率的前提下适当放宽钝化隧穿层的厚度，从而有利于减少钝化隧穿层孔洞，降低漏电流的发生和复合速度，拓宽工艺窗口和提高工艺稳定性。
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