公开(公告)号：CN114065573A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111285528.4

申请日：2021-11-01

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘丽红 ,  韦亚一 ,  丁虎文

IPC: G06F30/23 ,  G06F17/16 ,  G03F7/20

Abstract: 本公开提供了一种光刻质量的优化方法，包括：基于特征矩阵法与布洛赫定理，确定由金属膜层表面粗糙度引入的波函数杂散项；将波函数杂散项输入至光刻质量偏差数学模型中进行计算仿真，得到金属膜层粗糙度对光刻质量的影响分析曲线，该影响分析曲线表征金属膜层粗糙度对光刻质量的影响结果；根据影响结果，降低金属膜层表面的粗糙度和/或在位于金属‑介质单元上方的掩膜版和空气之间设置金属‑介质多层膜结构，以优化金属‑介质单元的光刻质量。本公开还提供了一种光刻质量的优化装置、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品。

公开(公告)号：CN116027639A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211405494.2

申请日：2022-11-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 丁虎文 ,  韦亚一 ,  刘丽红 ,  董立松 ,  李梓棋

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请实施例提供一种等离子体光刻成像方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像的目标成像结构，目标成像结构包括呈周期性变化的目标掩模图形，将目标掩模图形输入快速成像模型，得到目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，快速成像模型是利用目标成像结构的训练掩模图形和训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练得到的，本申请中通过目标成像结构的训练掩模图形以及训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练快速成像模型，这样该模型就可以后续用于快速输出目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，提高对于等离子体光刻成像的输出效率，为后续对等离子体光刻成像进行研究提供了有效模型，极大地方便了对于等离子体光刻技术的研究。

公开(公告)号：CN115755540A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211532593.7

申请日：2022-11-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘丽红 ,  韦亚一 ,  董立松 ,  张利斌 ,  丁虎文

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种确定纳米光刻技术工艺窗口的方法，所述方法包括：依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线；依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第二光强分布曲线；依据所述第一光强分布曲线和所述第二光强分布曲线，分别获取第一泊松曲线和第二泊松曲线；依据第一泊松曲线和第二泊松曲线，分别获取第一工艺窗口和第二工艺窗口；将所述第一工艺窗口和第二工艺窗口的交集部分，确定为目标工艺窗口。本发明提供的确定纳米光刻技术工艺窗口，能够通过光强曲线经过较少的计算量得到适用的工艺窗口，并有效对工艺窗口进行验证。