公开(公告)号：CN114092490A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111335555.8

申请日：2021-11-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李梓棋 ,  韦亚一 ,  董立松

IPC: G06T7/11 ,  G06T7/60 ,  G06K9/62 ,  G06V10/774

Abstract: 本发明公开了一种获取衍射近场分布的方法，属于光刻技术领域，不但能够提高衍射近场分布计算结果的准确度，而且能够减少计算时间。方法包括：确定待获取衍射近场分布的目标掩模图形，并根据图形类型分割所述目标掩模图形，得到组成所述目标掩模图形的目标分割图形；确定与所述目标分割图形对应的目标核矩阵，并根据所述目标分割图形和所述目标核矩阵，得到与所述目标分割图形对应的目标区域衍射近场分布；拼接所有目标区域衍射近场分布，获取所述目标掩模图形的衍射近场分布。

公开(公告)号：CN114092490B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202111335555.8

申请日：2021-11-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李梓棋 ,  韦亚一 ,  董立松

IPC: G06T7/11 ,  G06T7/60 ,  G06V10/774

Abstract: 本发明公开了一种获取衍射近场分布的方法，属于光刻技术领域，不但能够提高衍射近场分布计算结果的准确度，而且能够减少计算时间。方法包括：确定待获取衍射近场分布的目标掩模图形，并根据图形类型分割所述目标掩模图形，得到组成所述目标掩模图形的目标分割图形；确定与所述目标分割图形对应的目标核矩阵，并根据所述目标分割图形和所述目标核矩阵，得到与所述目标分割图形对应的目标区域衍射近场分布；拼接所有目标区域衍射近场分布，获取所述目标掩模图形的衍射近场分布。

公开(公告)号：CN116822448A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310636729.7

申请日：2023-05-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 韦亚一 ,  李梓棋 ,  董立松

IPC: G06F30/398 ,  G06F30/30

Abstract: 本申请公开一种部分相干照明下的掩模近场模拟运算方法、装置及电子设备，涉及光刻系统领域。方法包括：将光瞳面划分为预设个数的不同入射方向的光源点；对每个光源点通过严格电磁场仿真，分别确定多个输入的训练版图图形的四个衍射近场矩阵；基于多个训练版图图形对应的多组四个衍射近场矩阵，分别确定对应的预设图形种类对应的光源点近场分布训练数据；基于多个光源点近场分布训练数据，通过最小二乘法分别确定对应的所有预设图形种类的衍射传输矩阵；在接收到目标入射光源的情况下，确定与目标入射光源对应的光源点；基于光源点对应的衍射传输矩阵对目标入射光源对应的目标掩模图形的近场分布进行运算，确定近场结果。

公开(公告)号：CN116027639A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211405494.2

申请日：2022-11-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 丁虎文 ,  韦亚一 ,  刘丽红 ,  董立松 ,  李梓棋

IPC: G03F7/20

Abstract: 本申请实施例提供一种等离子体光刻成像方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像的目标成像结构，目标成像结构包括呈周期性变化的目标掩模图形，将目标掩模图形输入快速成像模型，得到目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，快速成像模型是利用目标成像结构的训练掩模图形和训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练得到的，本申请中通过目标成像结构的训练掩模图形以及训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练快速成像模型，这样该模型就可以后续用于快速输出目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，提高对于等离子体光刻成像的输出效率，为后续对等离子体光刻成像进行研究提供了有效模型，极大地方便了对于等离子体光刻技术的研究。