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公开(公告)号：CN119916648A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311432856.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种全局散射矩阵计算方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像包括多个目标膜层的目标成像结构。确定多个目标膜层和初始成像结构的多个初始膜层之间相同的第二目标膜层。初始膜层的初始散射矩阵存储在数据库中，可以根据初始散射矩阵直接确定第二目标膜层的第二散射矩阵。单独计算目标成像结构中和初始膜层不同的第一目标膜层的第一散射矩阵，根据第一散射矩阵和第二散射矩阵计算得到全局散射矩阵。通过直接利用初始散射矩阵就能够直接得到第二目标膜层的第二散射矩阵，无需单独计算第二目标膜层的散射矩阵，提高了全局散射矩阵的计算效率，仅需要利用较少的计算资源计算第一目标膜层进而得到全局散射矩阵，降低计算时间。
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公开(公告)号：CN116893579A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310859215.8
申请日：2023-07-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请实施例提供一种电子束曝光方法及装置，方法包括：获取曝光图形，根据曝光图形的尺寸确定参考网格包括的多个单元格的尺寸，将曝光图形设置在单元格的中心位置，其中，单元格的尺寸为电子束曝光的写场尺寸。设置参考矩形，参考矩形和参考网格的相对位置固定，这样就能够确定进行电子束曝光时多个写场的位置，从而将曝光图形设置在电子束曝光的写场的中心位置，使得全部的曝光图形能在每个写场的中心位置曝光，实现最佳的曝光效果，降低由于曝光图形曝光位置偏移从而导致的曝光形成的图形的尺寸不准确的概率，提高曝光图形的尺寸精确性。
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公开(公告)号：CN119960260A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311483422.4
申请日：2023-11-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供一种电磁场分布计算方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像包括多个目标膜层的目标成像结构。根据入射电磁场分布以及多个目标膜层之间的边界条件计算得到出射面的出射电磁场分布，出射面为沿着光线传播的方向的最后两个目标膜层之间的交界面。而后进一步根据出射电磁场分布以及边界条件按照光线传播的反方向依次计算得到每个目标膜层内任意一个位置的目标电磁场分布，即根据出射电磁场分布分别计算得到目标成像结构内部任意位置处的电磁场分布。这样通过出射电磁场分布计算得到叠层结构的任意位置处的电磁场分布，能够建立高精度的等离子体光刻成像的成像模型，从而提高等离子体光刻成像的成像效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117687264A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311797320.X
申请日：2023-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于表面等离子体多层膜结构的掩模吸收材料的优化方法，包括以下步骤：S1)构建多组具有不同掩模吸收层参数的多层膜超透镜结构；S2)通过软件建模仿真光在多层膜超透镜结构中的光学行为，获得在基底层上涂覆的光刻胶的中间位置所成空间像的图像对比度；S3)根据图像对比度，确定多层膜超透镜结构的掩模吸收层参数。与现有技术相比，本发明基于多层膜结构，从掩模吸收层的三维参数方面进行优化，结果显示对该多层膜结构的分辨力提高和成像对比度提高起到了显著的作用。
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公开(公告)号：CN114065573A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111285528.4
申请日：2021-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种光刻质量的优化方法，包括：基于特征矩阵法与布洛赫定理，确定由金属膜层表面粗糙度引入的波函数杂散项；将波函数杂散项输入至光刻质量偏差数学模型中进行计算仿真，得到金属膜层粗糙度对光刻质量的影响分析曲线，该影响分析曲线表征金属膜层粗糙度对光刻质量的影响结果；根据影响结果，降低金属膜层表面的粗糙度和/或在位于金属‑介质单元上方的掩膜版和空气之间设置金属‑介质多层膜结构，以优化金属‑介质单元的光刻质量。本公开还提供了一种光刻质量的优化装置、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品。
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公开(公告)号：CN119165734A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310726527.1
申请日：2023-06-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20 , G06F30/27 , G06F111/14
Abstract: 本申请实施例提供一种等离子体光刻成像的训练方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像的训练成像结构，训练成像结构包括呈二维周期性变化的多个训练掩模图形，根据训练成像结构构建仿真模型，根据仿真模型模拟得到训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像。之后根据训练掩模图形和训练等离子体光刻成像对快速成像模型进行训练，得到针对二维周期性变化的训练掩模图形的快速成像模型。由此可见，通过建立针对二维周期性变化的掩模图形的快速成像模型，利用快速成像模型可以直接得到每个掩模图形的训练等离子体光刻成像，实现利用快速成像模型快速成像，满足后续对于等离子体光刻技术的研究需求。
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公开(公告)号：CN116027639A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211405494.2
申请日：2022-11-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请实施例提供一种等离子体光刻成像方法及装置，包括：获取等离子体光刻成像的目标成像结构，目标成像结构包括呈周期性变化的目标掩模图形，将目标掩模图形输入快速成像模型，得到目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，快速成像模型是利用目标成像结构的训练掩模图形和训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练得到的，本申请中通过目标成像结构的训练掩模图形以及训练掩模图形对应的训练等离子体光刻成像训练快速成像模型，这样该模型就可以后续用于快速输出目标掩模图形对应的目标等离子体光刻成像，提高对于等离子体光刻成像的输出效率，为后续对等离子体光刻成像进行研究提供了有效模型，极大地方便了对于等离子体光刻技术的研究。
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公开(公告)号：CN115755540A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211532593.7
申请日：2022-11-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种确定纳米光刻技术工艺窗口的方法，所述方法包括：依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线；依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第二光强分布曲线；依据所述第一光强分布曲线和所述第二光强分布曲线，分别获取第一泊松曲线和第二泊松曲线；依据第一泊松曲线和第二泊松曲线，分别获取第一工艺窗口和第二工艺窗口；将所述第一工艺窗口和第二工艺窗口的交集部分，确定为目标工艺窗口。本发明提供的确定纳米光刻技术工艺窗口，能够通过光强曲线经过较少的计算量得到适用的工艺窗口，并有效对工艺窗口进行验证。
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