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公开(公告)号：CN104671755B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510069601.2
申请日：2015-02-10
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C04B35/12 , C04B35/622
摘要： 公开了一种磁电耦合多铁性材料及其制备方法，所述新型磁电耦合多铁性材料的化学式为BiMn3Cr4O12。制备所述新型磁电耦合多铁性材料BiMn3Cr4O12的方法包括：把纯度高于99.9％的Bi2O3、Mn2O3和Cr2O3按摩尔比1:3:4混合后充分研磨、筛选；将筛选过的原料装入金或铂金胶囊并压实；高温高压固相反应。所述新型磁电耦合多铁性材料BiMn3Cr4O12具有弱铁磁自旋序、较大的介电常数和电偶极化强度，以及较高的临界温度，在自旋电子器件、多态存储器件等领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104671755A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510069601.2
申请日：2015-02-10
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： C04B35/12 , C04B35/622
摘要： 公开了一种新型磁电耦合多铁性材料及其制备方法，所述新型磁电耦合多铁性材料的化学式为BiMn3Cr4O12。制备所述新型磁电耦合多铁性材料BiMn3Cr4O12的方法包括：把纯度高于99.9％的Bi2O3、Mn2O3和Cr2O3按摩尔比1:3:4混合后充分研磨、筛选；将筛选过的原料装入金或铂金胶囊并压实；高温高压固相反应。所述新型磁电耦合多铁性材料BiMn3Cr4O12具有弱铁磁自旋序、较大的介电常数和电偶极化强度，以及较高的临界温度，在自旋电子器件、多态存储器件等领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104659034A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510068294.6
申请日：2015-02-10
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L27/115 , G11C11/22
摘要： 本发明提供了一种铁电存储单元，包括：下电极；形成于所述下电极上的铁电介质层；以及形成于所述铁电介质层上的上电极；其中，所述铁电介质层为LaMn3Cr4O12薄膜。本发明还提供了一种在硅衬底制备所述铁电存储单元的方法，包括：在硅衬底上通过热氧化生成一层二氧化硅；在二氧化硅层上通过溅射或者电子束蒸发形成下电极；以LaMn3Cr4O12为靶材，在下电极上通过脉冲激光沉积或者溅射形成铁电介质层；在铁电介质层上通过溅射或者电子束蒸发形成上电极。所述铁电存储单元具有速度快、功耗低、耐腐蚀、耐高温、寿命长、与反铁磁有序耦合且磁场可调控等优点。
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公开(公告)号：CN116240629A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211657355.9
申请日：2022-12-22
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明提供一种磁电耦合多铁材料，其为单晶且化学式为CdMn7O12，所述磁电耦合多铁材料的劳埃衍射图谱呈离散的衍射斑点。本发明还提供一种制备本发明所述的磁电耦合多铁材料的方法，其包括以下步骤：(1)将CdO、Mn2O3、MnO2和助熔剂在保护性气体环境中充分研磨混合，得到混合物；(2)将所述混合物密封包裹后，进行加温加压处理；(3)将步骤(2)中的处理产物降温降压，任选地清洗降温降压后的产物，制得磁电耦合多铁材料。本发明的磁电耦合多铁材料兼具大的铁电极化与强的磁电耦合效应，故而在未来的磁电传感器、多态存储器、新一代铁电随机存储器以及多功能集成器件中具有潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN104659034B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201510068294.6
申请日：2015-02-10
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/11507 , G11C11/22
摘要： 本发明提供了一种铁电存储单元，包括：下电极；形成于所述下电极上的铁电介质层；以及形成于所述铁电介质层上的上电极；其中，所述铁电介质层为LaMn3Cr4O12薄膜。本发明还提供了一种在硅衬底制备所述铁电存储单元的方法，包括：在硅衬底上通过热氧化生成一层二氧化硅；在二氧化硅层上通过溅射或者电子束蒸发形成下电极；以LaMn3Cr4O12为靶材，在下电极上通过脉冲激光沉积或者溅射形成铁电介质层；在铁电介质层上通过溅射或者电子束蒸发形成上电极。所述铁电存储单元具有速度快、功耗低、耐腐蚀、耐高温、寿命长、与反铁磁有序耦合且磁场可调控等优点。
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