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公开(公告)号：CN100594621C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200710175924.5
申请日：2007-10-16
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L31/109
摘要： 本发明提供一种高灵敏度光电位置探测器，包括：Si衬底、电极和电极；利用制膜的方法，把TiN薄膜外延生长在Si衬底上；利用镀膜或焊接的方法，在Si衬底的两边处制备电极电极和电极。当一个光点照射在探测器的表面时，用电压表测量电极和电极之间的电压，或在电极和TiN之间连接一个电压源，使TiN和Si构成的肖特基二极管工作在反偏压状态下，测量电极和电极之间的电流，即可按所测量的电压或电流来辨别其光点的位置。本发明提供的光电位置探测器，结构简单、线性好和具有灵敏度高，不需要额外的放大电路就可直接探测，而且可探测纳秒级的快脉冲信号。
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公开(公告)号：CN101414645A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710175924.5
申请日：2007-10-16
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L31/109
摘要： 本发明提供一种高灵敏度光电位置探测器，包括：Si衬底、电极和电极；利用制膜的方法，把TiN薄膜外延生长在Si衬底上；利用镀膜或焊接的方法，在Si衬底的两边处制备电极电极和电极。当一个光点照射在探测器的表面时，用电压表测量电极和电极之间的电压，或在电极和TiN之间连接一个电压源，使TiN和Si构成的肖特基二极管工作在反偏压状态下，测量电极和电极之间的电流，即可按所测量的电压或电流来辨别其光点的位置。本发明提供的光电位置探测器，结构简单、线性好和具有灵敏度高，不需要额外的放大电路就可直接探测，而且可探测纳秒级的快脉冲信号。
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公开(公告)号：CN100505361C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510135499.8
申请日：2005-12-31
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及一种具有磁电阻特性的新型异质结材料，包括在衬底上生长有掺杂锰氧化物层，在所述的掺杂锰氧化物层上生长的辅助层；在辅助层面上生长有掺杂锰氧化物层，掺杂锰氧化物层再生长辅助层，依次进行叠层；制备两种材料异质结磁电阻材料。也可以把掺杂锰氧化物和钛酸锶与铝酸镧或钛酸锶与钛酸钡、或钛酸钡与铝酸镧的三种材料，进行周期性的交替叠层，制备三种材料的多层膜或超晶格结构的磁电阻异质结材料，其中掺杂锰氧化物层层厚为0.8nm～5μm，辅助层的厚度为0.8nm～5μm。上述异质结材料具有低场高灵敏度磁电阻特性，即使在室温也具有大于30%的磁电阻变化率，在磁记录、磁头和传感器等方面具有非常广泛的应用。
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公开(公告)号：CN1992366A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200510135499.8
申请日：2005-12-31
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及一种具有磁电阻特性的新型异质结材料，包括在衬底上生长有掺杂锰氧化物层，在所述的掺杂锰氧化物层上生长的辅助层；在辅助层面上生长有掺杂锰氧化物层，掺杂锰氧化物层再生长辅助层，依次进行叠层；制备两种材料异质结磁电阻材料。也可以把掺杂锰氧化物和钛酸锶与铝酸镧或钛酸锶与钛酸钡、或钛酸钡与铝酸镧的三种材料，进行周期性的交替叠层，制备三种材料的多层膜或超晶格结构的磁电阻异质结材料，其中掺杂锰氧化物层层厚为0.8nm～5μm，辅助层的厚度为0.8nm～5μm。上述异质结材料具有低场高灵敏度磁电阻特性，即使在室温也具有大于30％的磁电阻变化率，在磁记录、磁头和传感器等方面具有非常广泛的应用。
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公开(公告)号：CN1956228A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200510114583.1
申请日：2005-10-26
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L31/109 , G01D5/26
摘要： 本发明涉及一种利用掺杂锰酸盐异质结制作的光位置探测器，包括在p型或n型衬底上相应外延生长一层n型或p型光响应薄膜层，所述的光响应薄膜层为R1－xAxMnO3掺杂锰酸盐材料薄膜；一组2个电极对称设置在光响应薄膜层上的两边，该组电极输出X轴方向的电压信号，另一组2个电极对称设置在光响应薄膜层的另外两边上，该组电极输出Y轴方向的电压信号，并且两组电极相互垂直；电极引线的一端与电极连接，电极引线的另一端是信号输出端。该种光位置敏感器件为横向光生伏特型器件，输出光敏信号较大，可达200毫伏，制备方法简单，利用半导体工艺，还可以制备出多个单元、多元列阵式器件。
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