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公开(公告)号：CN1956228A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200510114583.1
申请日：2005-10-26
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L31/109 , G01D5/26
摘要： 本发明涉及一种利用掺杂锰酸盐异质结制作的光位置探测器，包括在p型或n型衬底上相应外延生长一层n型或p型光响应薄膜层，所述的光响应薄膜层为R1－xAxMnO3掺杂锰酸盐材料薄膜；一组2个电极对称设置在光响应薄膜层上的两边，该组电极输出X轴方向的电压信号，另一组2个电极对称设置在光响应薄膜层的另外两边上，该组电极输出Y轴方向的电压信号，并且两组电极相互垂直；电极引线的一端与电极连接，电极引线的另一端是信号输出端。该种光位置敏感器件为横向光生伏特型器件，输出光敏信号较大，可达200毫伏，制备方法简单，利用半导体工艺，还可以制备出多个单元、多元列阵式器件。
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公开(公告)号：CN100423295C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410074668.7
申请日：2004-09-13
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L31/09 , H01L31/0256 , G01J1/02
摘要： 本发明涉及一种具有超快响应紫外到近红外的激光探测器件，包括：外壳、光响应层为生长在衬底上的R1-xAxMnO3组成的掺杂锰酸盐薄膜，其厚度为0.5nm～2μm；电极设置在光响应层上，两根电极通过电极引线之间连接一个电阻，所述的电阻5的阻值为0.05Ω～1MΩ；将其安装在外壳内，用同轴电缆接头引出输出端。探测器为光生伏特型光电探测器，当光照射后直接产生电压信号，不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到红外，可响应飞秒脉宽的激光脉冲，激光脉冲产生电压脉冲的前沿小于300ps，半宽度小于700ps，脉冲全宽度可小于1个ns。还可以在同一衬底上制备多个单元器件形成多元列阵。
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公开(公告)号：CN100369222C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410068866.2
申请日：2004-07-13
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜和异质结材料及制备方法，该材料包括在n型硅片上生长一层p型的掺杂锰酸镧La1-xAxMnO3薄膜，形成p-n异质结材料；其中A为：Ca、Sr、Ba、Pb或Sn，所有x的取值范围为0.05～0.5；或在p型硅片上生长一层n型的掺杂锰酸镧La1-xBxMnO3薄膜，形成p-n异质结材料；其中B为：Ce、Pr、Te、Nb、Sb或Ta，所有x的取值范围为0.05～0.5。制备方法采用两步法，将锰酸镧或掺杂的锰酸镧材料直接外延生长在硅衬底上，或把在硅片上生长的锰酸镧或掺杂锰酸镧作为缓冲层，然后再外延生长其它钙钛矿氧化物薄膜，或多层膜。
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公开(公告)号：CN100573060C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510071811.1
申请日：2005-05-24
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及一种快响应宽频段光探测器，包括：p型或n型硅片为衬底；在其上相应生长一层n型或p型的光响应材料层做成芯片，所述的光响应层为生长在硅片衬底上的掺杂钛酸锶薄膜，该掺杂钛酸锶光响应材料层厚度为0.5nm-5μm；第一电极设置在光响应材料层上，第二电极设置在硅片面上，每根电极引线的一端分别与二个电极连接，电极引线的另一端是信号输出端；电阻的两端分别和电极引线的输出端连接。该探测器均为光生伏特型，当光照射后直接产生电压信号，不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外，可响应飞秒脉宽的激光脉冲，激光脉冲产生电压脉冲的前沿小于1ns，半宽度小于2ns，脉冲全宽度仅为几个ns。
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公开(公告)号：CN100485867C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200410069292.0
申请日：2004-07-20
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及在硅衬底上外延生长铝酸镧薄膜材料及制备方法。该薄膜材料以n型或p型硅片为衬底，在其上直接外延生长铝酸镧LaAlO3薄膜材料层，其厚度为10nm～2μm。该制备方法采用把清洗干净后的硅片直接从氢氟酸洗液中取出，并即刻装入外延装置中的进样室或外延室内；外延生长采用两步法，将铝酸镧材料直接外延生长在硅衬底上；或把在硅片上生长的铝酸镧作为缓冲层，然后外延生长YBCO、BaTiO3、LaMnO3、SrTiO3及其掺杂的BaTiO3、LaMnO3、SrTiO3等钙钛矿氧化物薄膜和多层膜。该材料具有良好的介电特性和很小的微波损耗，而且没有畴结构表面平整；制备方法工艺简单，解决了大尺寸的衬底问题。
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公开(公告)号：CN100458381C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510082701.5
申请日：2005-07-06
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及利用掺杂氧化物和硅异质结材料制作的超快响应、宽频段、高灵敏度和抗辐射光探测器，包括：外壳，光传感器，第一电极，第二电极，两根电极引线，绝缘片，第一金属块，第二金属块和金属螺钉；所述的光传感器是由一个或多个串联的掺杂氧化物和硅异质结材料探测器芯片组成。光传感器被安装在一个金属外壳内，用同轴电缆接头引出输出端。该探测器为光生伏特型光电探测器，当光照射后直接产生电压信号，不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外，可响应飞秒脉宽的激光脉冲，响应速度达到ps，可探测脉冲宽度为几百个ps的脉冲激光波形，不仅具有很高的灵敏度，并具有很强的抗辐射能力。
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公开(公告)号：CN100422702C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410069052.0
申请日：2004-07-16
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： G01J11/00
摘要： 本发明涉及利用异质结材料制作的快响应宽频段激光探测器，包括：一由在硅片上的光响应材料层作成的芯片，第一电极、第二电极和引线；其特征在于：所述的光响应层为外延生长在硅衬底上的掺杂锰酸镧薄膜层；第一电极设置在掺杂锰酸镧薄膜上，第二电极设置在硅片面上，两根电极引线的一端分别与第一电极和第二电极连接，电极引线的另一端是信号输出端。该探测器均为光生伏特型光电探测器，当光照射后直接产生电压信号，不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外，可响应飞秒脉宽的激光脉冲，激光脉冲产生电压脉冲的前沿小于1ns，半宽度小于2ns，脉冲全宽度仅为几个ns。
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公开(公告)号：CN100412518C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200410071174.3
申请日：2004-07-30
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及利用氧化物多层膜材料制作的快响应宽频段激光探测器，包括：一由在氧化物单晶基片的衬底的一面上外延生长掺杂氧化物和光响应材料层作成的芯片，掺杂氧化物为外延生长在氧化物单晶衬底上的掺杂钛酸锶或掺杂钛酸钡；光响应层为掺杂锰酸镧薄膜层；第一电极设置在掺杂锰酸镧薄膜上，第二电极设置在掺杂氧化物上，两根电极引线的一端分别与第一电极和第二电极连接，电极引线的另一端是信号输出端。该探测器为光生伏特型光电探测器，当光照射后直接产生电压信号，不需要任何辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外，可响应飞秒脉宽的激光脉冲，激光脉冲产生电压脉冲的前沿小于1.5ns，半宽度小于2ns，脉冲全宽度仅为几个ns。
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公开(公告)号：CN1869611A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200510071810.7
申请日：2005-05-24
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及具有高灵敏度的光电型探测器，包括：由硅衬底和在硅衬底上的光响应材料层做成的芯片，所述的光响应层为外延生长在硅衬底上的掺杂钛酸钡薄膜层；第一电极设置在掺杂钛酸钡薄膜上，第二电极设置在与空气接触的硅衬底面上，两根电极引线的一端分别与第一电极和第二电极连接，电极引线的另一端是信号输出端，电阻的两端分别和两根电极引线的信号输出端连接。该探测器均为光生伏特型光电探测器，当光照射后直接产生电压信号，不需要任何外加辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外，激光脉冲产生光生伏特脉冲的前沿为～1ns，半宽度～2ns。
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公开(公告)号：CN100505361C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510135499.8
申请日：2005-12-31
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及一种具有磁电阻特性的新型异质结材料，包括在衬底上生长有掺杂锰氧化物层，在所述的掺杂锰氧化物层上生长的辅助层；在辅助层面上生长有掺杂锰氧化物层，掺杂锰氧化物层再生长辅助层，依次进行叠层；制备两种材料异质结磁电阻材料。也可以把掺杂锰氧化物和钛酸锶与铝酸镧或钛酸锶与钛酸钡、或钛酸钡与铝酸镧的三种材料，进行周期性的交替叠层，制备三种材料的多层膜或超晶格结构的磁电阻异质结材料，其中掺杂锰氧化物层层厚为0.8nm～5μm，辅助层的厚度为0.8nm～5μm。上述异质结材料具有低场高灵敏度磁电阻特性，即使在室温也具有大于30%的磁电阻变化率，在磁记录、磁头和传感器等方面具有非常广泛的应用。
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