磁敏传感器及其制备方法、电子设备

    公开(公告)号:CN117872232A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202410051691.1

    申请日:2024-01-12

    Abstract: 本发明涉及磁敏传感器及其制备方法、电子设备。根据一实施例,一种磁敏传感器可包括:磁性多层膜结构,包括依次形成在衬底上的自由磁层、中间层和参考磁层,所述自由磁层在第一面内方向上具有比所述参考磁层更大的长度;绝缘层,形成在所述衬底上,并且覆盖所述磁性多层膜结构的侧壁以及所述自由磁层的未被所述参考磁层覆盖的部分的上表面;以及磁通聚集层,形成在所述绝缘层上,并且通过所述绝缘层与所述磁性多层膜结构间隔开。

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