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公开(公告)号：CN118996138A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411088127.3
申请日：2024-08-09
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C22B11/00 , C01B33/037 , C22B7/00
Abstract: 本发明属于太阳电池资源回收技术领域，具体涉及一种从废旧晶硅电池片中提取金属银和高纯硅料的方法。该方法先用酸性溶解液使废旧晶硅电池片上的铝电极溶解，并使银电极与硅片完全分离由此获得金属银和硅片，再通过筛分将大块硅片与金属银和碎硅渣分离，之后用碱性溶解液对金属银进行提纯，去除金属银中的细小碎硅渣，只剩纯银，用硅片刻蚀液对硅片表面的掺杂层、BSF层和铝硅合金层进行刻蚀，最终回收高纯硅料。该方法可以简便快速地从废旧晶硅电池片上提取出高纯的金属银和硅料。同时该方法简单，回收成本低廉，可适用于大批量的产业化生产。
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公开(公告)号：CN114122154B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202111180819.7
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及了一种载流子选择性钝化接触太阳电池，包括依次设置的第一梯度金属氧化物层、第一非晶硅钝化层、n型制绒晶体硅衬底、第二非晶硅钝化层、第二梯度金属氧化物层；第一梯度金属氧化物层和所述第二梯度金属氧化物层均包括采用纯氩气沉积得到的第一层金属氧化物层和采用氩气和氧气混合气体沉积得到的第二层金属氧化物层。本发明采用梯度金属氧化物层，减少与非晶硅钝化层接触的金属氧化物中氧，避免了非晶硅中的氢与金属氧化物中的氧的反应，提升了载流子选择性钝化接触太阳电池的
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公开(公告)号：CN115959833A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310005883.4
申请日：2023-01-04
Applicant: 中国科学院电工研究所
Abstract: 本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，具体涉及一种玻璃料及其制备方法和应用、银铝浆料及其制备方法和应用。本发明提供了一种玻璃料，包括以下质量份数的组分：二氧化硅3～10份、氧化铅30～70份、二氧化碲20～50份、氧化锌1～10份、氧化铝0.5～5份、碱土金属氧化物0.5～5份、调节剂0.5～5份和硼酸0～10份；所述调节剂包括氢氧化铟和/或钨酸铟。由本发明提供的玻璃料制备得到的银铝浆料，能够有效降低金属电极与P‑Si发射极之间的接触电阻，进而提高N型晶体硅太阳能电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN111969070B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010823142.3
申请日：2020-08-17
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法。本发明提供的太阳电池，包括依次设置的背电极层、第一透明导电膜层、第一金属氧化物层、第一本征非晶硅钝化层、n型制绒晶体硅衬底、第二本征非晶硅钝化层、第二金属氧化物层、第二透明导电膜层和上电极层；所述背电极层为功函数梯度设置的背电极层。本发明通过上述结构的设置可以使金属氧化物中少量的氧迁移到背电极，降低其与非晶硅中氢的反应几率，从而可以提高所述太阳电池的稳定性。
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公开(公告)号：CN107742604A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710976639.7
申请日：2017-10-19
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法。以二氧化铪(HfO2)掺杂量为1.5～10wt.％的In2O3陶瓷靶为靶材，单晶硅作为衬底，纯度99.99％以上的高纯氩气(Ar)作为溅射气体，溅射过程中通入氢气(H2)作为掺杂源沉积，得到不同磁化特征的氢铪共掺杂氧化铟薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111074275B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201911410140.5
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: C23C28/02 , C23C18/44 , C25D3/46 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种修复晶硅太阳电池银栅线电极的方法，属于晶硅太阳电池领域。本发明先对损坏的晶硅太阳电池银栅线电极进行光诱导化学镀银处理，使银有效填充进原银栅线电极内的空隙中，并在其表面以及银栅线电极脱落的位置上形成一层致密度高的银种子膜，然后进行电镀银处理，不但可实现银种子膜的快速增厚，而且可避免银定向片状晶的生成，有效改善银镀层的表面质量，从而获得大高宽比的再生银栅线电极。此外，本发明的方法不需要对电池进行高温处理，可避免电池性能的进一步衰退，在修复过程中也不会对晶硅太阳电池的其他部分(如减反射膜(氮化硅或氧化硅层))造成损害，从而可有效提高废旧晶硅太阳电池的回收再利用率。
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公开(公告)号：CN111048233A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911294173.8
申请日：2019-12-16
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B1/22 , H01B13/00 , H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供了一种异质结太阳电池用电极浆料及其制备方法，属于电子材料的制备领域。本发明提供的电极浆料，包括以下质量百分含量的组分：89％～95％纳米银铜复合物、4～8％树脂和1～3％助剂；所述纳米银铜复合物由包括以下组分的原料制备得到：可溶性铜盐、可溶性银盐、水、pH调节剂、还原剂、有机溶剂和表面活性剂。本发明采用纳米银铜复合物作为原料，在纳米银中复合纳米铜，相较于现有技术中采用纯纳米银粉末作为原料，能够显著的降低电极浆料的成本；且可以在150℃条件下实现部分熔融，使制成的电极浆料固化后的电阻率低。
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公开(公告)号：CN107742604B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201710976639.7
申请日：2017-10-19
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法。以二氧化铪(HfO2)掺杂量为1.5～10wt.％的In2O3陶瓷靶为靶材，单晶硅作为衬底，纯度99.99％以上的高纯氩气(Ar)作为溅射气体，溅射过程中通入氢气(H2)作为掺杂源沉积，得到不同磁化特征的氢铪共掺杂氧化铟薄膜。
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公开(公告)号：CN114122154A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111180819.7
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及了一种载流子选择性钝化接触太阳电池，包括依次设置的第一梯度金属氧化物层、第一非晶硅钝化层、n型制绒晶体硅衬底、第二非晶硅钝化层、第二梯度金属氧化物层；第一梯度金属氧化物层和所述第二梯度金属氧化物层均包括采用纯氩气沉积得到的第一层金属氧化物层和采用氩气和氧气混合气体沉积得到的第二层金属氧化物层。本发明采用梯度金属氧化物层，减少与非晶硅钝化层接触的金属氧化物中氧，避免了非晶硅中的氢与金属氧化物中的氧的反应，提升了载流子选择性钝化接触太阳电池的钝化性能，进而提升太阳电池的热稳定性。
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公开(公告)号：CN111048233B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201911294173.8
申请日：2019-12-16
Applicant: 中国科学院电工研究所
IPC: H01B1/22 , H01B13/00 , H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供了一种异质结太阳电池用电极浆料及其制备方法，属于电子材料的制备领域。本发明提供的电极浆料，包括以下质量百分含量的组分：89％～95％纳米银铜复合物、4～8％树脂和1～3％助剂；所述纳米银铜复合物由包括以下组分的原料制备得到：可溶性铜盐、可溶性银盐、水、pH调节剂、还原剂、有机溶剂和表面活性剂。本发明采用纳米银铜复合物作为原料，在纳米银中复合纳米铜，相较于现有技术中采用纯纳米银粉末作为原料，能够显著的降低电极浆料的成本；且可以在150℃条件下实现部分熔融，使制成的电极浆料固化后的电阻率低。
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