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发明公开
一种晶体材料、其制备生长方法及其在非线性光学中的应用无效

公开(公告)号：CN110607556A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910898871.2

申请日：2019-09-23

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 叶润 , 郭国聪 , 刘彬文 , 姜小明 , 徐忠宁 , 曾卉一

IPC: C30B9/12 , C30B28/04 , C30B29/46 , G02F1/355

Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备生长方法及其在非线性光学中的应用。该晶体材料具有Na2MSn2Se6的化学式，其中，M代表Zn和/或Cd。该晶体材料采用中温多硫化物熔剂法合成。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，在实现相位匹配时倍频信号强度是商用AgGaS2的2.2-3倍，激光损伤阈值是5-10倍，在中远红外非线性光学领域有潜在的应用价值。

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