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公开(公告)号：CN108441964B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810338037.3
申请日：2018-04-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种铁电单晶的制备方法，将含有Ga2S3粉末的原料在真空条件下进行加热，高温保温，然后以0.1～100℃/天的速率降温进行晶体的生长，得到所述Ga2S3单晶。该铁电单晶材料在室温条件下2Hz的测试频率下，剩余极化强度(Pr)为0.18μC/cm2；该材料为二元相，合成简单；热稳定性能好。综合性能优良，是潜在的铁电材料。
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公开(公告)号：CN105951181B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610331499.3
申请日：2016-05-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料，其特征在于，化学式为：BaCdSnS4；所述晶体材料属于正交晶系的Fdd2空间群，Z＝16。该晶体材料作为非线性光学晶体使用，其非线性效应是商用AgGaS2的1～5倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～8倍，是同时具有大非线性系数和高激光损伤阈值的新型中远红外非线性晶体材料。
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公开(公告)号：CN105129753A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510381418.6
申请日：2015-07-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01B25/14
Abstract: 本发明提供一种化合物及其合成方法与应用。该化合物含有[Ga3PQ8]n2n-阴离子基团，其中Q＝S或Se，n＝1或2或3或4。合成方法为将镓、磷、Q(Q＝S或Se)、AX(A＝Na或K或Rb或Cs；X＝F或Cl或Br或I)的原料配料并混合均匀后，装入石英管中，抽真空后封管，放入马弗炉中缓慢加热至600-900℃，保温不少于1小时后关掉马弗炉自然冷却至室温，得到所述化合物。该化合物为无色或者黄色晶体或粉末，具有优异的红外非线性光学性能和很高的激光损伤阈值。合成方法步骤简单，所得产品纯度高、收率高，适合商业化生产。
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公开(公告)号：CN110284196B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910671325.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开一种含锂晶体材料及其制备方法和应用，属于二阶非线性光学材料及制备技术领域。所述含锂晶体材料具有化学式AxBayLiz(Ga4S7)n；其中A选自K、Rb和Cs中的至少一种，x+2y+z＝2n，n为2～7的整数。所述方法包括：将含有钡元素、镓元素、硫元素、锂元素和AX的原料在真空条件下置于反应温度下反应，冷却；其中AX中的X选自F、Cl、Br和I中的一种。本申请的含锂晶体材料具有改善的红外非线性光学性能，可应用于激光器中。本申请的方法工艺步骤简单，所得晶体材料的纯度高、结晶度好且收率高，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN105755542B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610316492.4
申请日：2016-05-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法及作为红外非线性光学晶体材料的应用。所述晶体的化学式是AGexQy；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种；Q选自S或Se；x＝1～2，y＝3～5。所述晶体材料具有优异的红外非线性光学性能。实验测定其非线性效应是商用AgGaS2的1～15倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～20倍。与目前商用的红外非线性晶体相比，本申请所述晶体材料的非线性光学性能有很大的提高，在大功率激光器领域具有重要商业应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108385165A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810338698.6
申请日：2018-04-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种二阶非线性光学材料，其特征在于，具有化学式：ABaxX1+2x-mGamS2m；其中，A选自碱金属中的至少一种，X选自卤族元素中的至少一种；x为1、2或3；m为1、2、3、4或5中的任一正整数；所述二阶非线性光学材料，在红外波段的至少一个波长处满足相位匹配。该材料的倍频系数是商用AgGaS2的0.5～10倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～50倍，性能有很大的提高，是潜在的红外非线性光学材料。
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公开(公告)号：CN105951181A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610331499.3
申请日：2016-05-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料，其特征在于，化学式为：BaCdSnS4；所述晶体材料属于正交晶系的Fdd2空间群，Z＝16。该晶体材料作为非线性光学晶体使用，其非线性效应是商用AgGaS2的1～5倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～8倍，是同时具有大非线性系数和高激光损伤阈值的新型中远红外非线性晶体材料。
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公开(公告)号：CN117107359A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310889356.4
申请日：2023-07-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种晶体A5Ga9Q16的制备方法及其作为非线性光学材料应用，其中，A选自K、Rb或Cs；Q选自S或Se。所述无机化合物晶体的结构由四面体GaQ接阴形离4通过共点或共边连成子三框维架[Ga，阳9离Q16子]A5‑+离子填充孔洞；属于单斜晶系，Pc空间群。NLO效应是商用AgGaS2的0.3～3.0倍；激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～30倍。可用于用于激光测距、激光制导或激光雷达。
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公开(公告)号：CN108385165B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201810338698.6
申请日：2018-04-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种二阶非线性光学材料，其特征在于，具有化学式：ABaxX1+2x‑mGamS2m；其中，A选自碱金属中的至少一种，X选自卤族元素中的至少一种；x为1、2或3；m为1、2、3、4或5中的任一正整数；所述二阶非线性光学材料，在红外波段的至少一个波长处满足相位匹配。该材料的倍频系数是商用AgGaS2的0.5～10倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～50倍，性能有很大的提高，是潜在的红外非线性光学材料。
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公开(公告)号：CN104532352B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410738573.4
申请日：2014-12-05
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种非线性光学晶体材料、制备方法及其应用。该材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度AgGaS2的9.3倍，且满足I类相位匹配。该材料的粉末激光损伤阈值可达同粒度AgGaS2的7.5倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。
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