-
公开(公告)号：CN119571465A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411612967.5
申请日：2024-11-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种含盐包硫属化合物晶体材料及其制备方法和作为红外非线性光学材料的应用，属于晶体制备技术领域。所述含盐包硫属化合物中类金刚石结构；所述含盐包硫属化合物的化学式为[A5X][M14Q23]、[A5BaX][M18Q30],[A13BaX5][M22Q38]、[A14LiX5][M22Q38]中的一个；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种；X选自Cl、Br、I中的至少一种；M选自Ga、In中的至少一种；Q选自S、Se、Te中的至少一种。该材料的NLO效应是商用AgGaS2的0.3‑10倍，激光损伤阈值是AgGaS2的1‑50倍，综合性能有很大的提高，是潜在的红外NLO材料。
-
公开(公告)号：CN115938519B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202211703421.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明属于材料细分领域，尤其是一种电子结构精修模型的新方法，步骤包括：建立参数价电子数Pi价和价电子收缩因子κi参数的电子密度模型，计算出每个衍射点的理论结构因子Fk理论(P)；通过X射线单晶衍射实验，获得每个衍射点的实验强度，计算出实验结构因子；建立理论结构因子与实验结构因子的差值函数；采用最小二乘法计算出差值函数中的最小值，获得最优模型的参数价电子数Pi价和价电子收缩因子κi，通过本发明得到材料分析领域精修后的电子结构；后续依据该电子结构进行拓扑分析和材料设计更加精准。
-
公开(公告)号：CN112663135B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202011377984.7
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法及其生长装置。单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法，包括以下步骤：将含有Ga2S3多晶原料和单斜相Ga2S3籽晶的真空密闭容器在温度梯度区内进行加热恒温；晶体生长后降温，得到所述单斜相Ga2S3晶体；所述Ga2S3多晶原料位于高温区；所述单斜相Ga2S3籽晶位于低温区。该生长方法操作简单，且经济实用，得到了能够符合实用要求的厘米级高质量大尺寸单斜相Ga2S3，且在紫外可见近红外光区域透过率高。
-
公开(公告)号：CN114908423B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210411436.4
申请日：2022-04-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种含两种碱金属的三维无机化合物晶体。所述含两种碱金属的三维无机化合物晶体具有式I所示的化学式：ALiGa6Q10其中，A选自除锂以外的碱金属元素中的一种；Q选自硫属元素中的一种；所述含两种碱金属的三维无机化合物晶体属于单斜晶系，Cc空间群。本申请进一步公开了该晶体的制备方法。通过该制备方法所得到的含两种碱金属的三维无机化合物晶体，具有非常好的激光损伤阈值和非线性光学效应，适合多种场合的应用，具有非常好的应用前景和价值。
-
公开(公告)号：CN116230129A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211703374.0
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G16C60/00 , G16C20/20 , G16C20/70 , G01N23/207
Abstract: 本发明属于材料细分领域，一种X射线衍射实验的光源强度均一性的高斯校正方法，包括：步骤一、定义X射线源截面方向的强度呈高斯分布函数：其中，a、c为待确定的参数；其中，x，y为衍射点的坐标；步骤二、根据晶体的几何外形，衍射点的指标参数为K((h，k，l)，可计算出被样品吸收的其中，μ为已知参数；步骤三、根据晶体的对称性，产生多套等效衍射点，通过等效点的差别进行精修，通过最小二乘法精修可获得参数a,c；步骤四：根据获得的a、c值，实测的强度为I实测(h，k，l)，算出I校正(h，k，l)＝I实测(h，k，l)+I吸收(h，k，l)，用于电子结构精修。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115287764A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210927240.0
申请日：2022-08-03
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含铅和镓的单斜无机化合物晶体，所述含铅和镓的单斜无机化合物晶体的化学式为PbGa4Se7。所述含铅和镓的单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，PC空间群。并进一步公开了该含铅和镓的单斜无机化合物晶体的制备方法和应用。该含铅和镓的单斜无机化合物晶体具有比商用AgGaS2高达2倍的非线性光学(NLO)效应，且激光损伤阈值是AgGaS2的10倍，是非常具有潜力的NLO材料。
-
公开(公告)号：CN112663135A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011377984.7
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法及其生长装置。单斜相Ga2S3单晶的物理气相生长方法，包括以下步骤：将含有Ga2S3多晶原料和单斜相Ga2S3籽晶的真空密闭容器在温度梯度区内进行加热恒温；晶体生长后降温，得到所述单斜相Ga2S3晶体；所述Ga2S3多晶原料位于高温区；所述单斜相Ga2S3籽晶位于低温区。该生长方法操作简单，且经济实用，得到了能够符合实用要求的厘米级高质量大尺寸单斜相Ga2S3，且在紫外可见近红外光区域透过率高。
-
公开(公告)号：CN112522789A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011377983.2
申请日：2020-11-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种单斜相Ga2S3晶体的气相生长方法，包括以下步骤：将含有Ga2S3多晶原料、传输剂和单斜相Ga2S3籽晶的真空密闭容器在温度梯度区内进行加热恒温；晶体生长后降温，得到所述单斜相Ga2S3晶体。该并公开了一种晶体生长装置。本发明采用封闭式化学气相沉积法进行晶体生长，并调整生长过程中的温度等参数，从而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量单斜相Ga2S3晶体，且在紫外可见近红外光区域透过率可达80％以上。该技术具有操作简单，经济，安全和环境友好等优势。
-
公开(公告)号：CN108441964B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810338037.3
申请日：2018-04-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种铁电单晶的制备方法，将含有Ga2S3粉末的原料在真空条件下进行加热，高温保温，然后以0.1～100℃/天的速率降温进行晶体的生长，得到所述Ga2S3单晶。该铁电单晶材料在室温条件下2Hz的测试频率下，剩余极化强度(Pr)为0.18μC/cm2；该材料为二元相，合成简单；热稳定性能好。综合性能优良，是潜在的铁电材料。
-
公开(公告)号：CN105951181B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610331499.3
申请日：2016-05-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料，其特征在于，化学式为：BaCdSnS4；所述晶体材料属于正交晶系的Fdd2空间群，Z＝16。该晶体材料作为非线性光学晶体使用，其非线性效应是商用AgGaS2的1～5倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～8倍，是同时具有大非线性系数和高激光损伤阈值的新型中远红外非线性晶体材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
77
records
(took 0.036 seconds)
