薄膜声波传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN107425112B

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201710508683.5

    申请日:2017-06-28

    Abstract: 一种薄膜声波传感器及其制作方法,其中方法包括:在绝缘体上硅的顶层硅沉积制作电路图形;在绝缘体上硅的背衬底的外表面上制作腐蚀槽图形;对绝缘体上硅的背衬底中腐蚀槽图形投影的区域进行刻蚀;将绝缘体上硅的氧化层中腐蚀槽图形投影的氧化层去除。由于采用绝缘体上硅制作薄膜声波传感器,在顶层硅面沉积制作电路图形,在绝缘体上硅的背衬底的外表面上制作腐蚀槽图形,而后对背衬底中腐蚀槽图形投影的区域进行刻蚀,在刻蚀腐蚀槽时由于绝缘的氧化层有阻挡作用,从而能够减少在刻蚀腐蚀槽时对顶层硅的损坏,使得顶层硅的厚度可控,继而保证薄膜处硅基衬底厚度的一致性,由此提高了薄膜声波传感器的灵敏度。

    薄膜声波传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN107425112A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201710508683.5

    申请日:2017-06-28

    Abstract: 一种薄膜声波传感器及其制作方法,其中方法包括:在绝缘体上硅的顶层硅沉积制作电路图形;在绝缘体上硅的背衬底的外表面上制作腐蚀槽图形;对绝缘体上硅的背衬底中腐蚀槽图形投影的区域进行刻蚀;将绝缘体上硅的氧化层中腐蚀槽图形投影的氧化层去除。由于采用绝缘体上硅制作薄膜声波传感器,在顶层硅面沉积制作电路图形,在绝缘体上硅的背衬底的外表面上制作腐蚀槽图形,而后对背衬底中腐蚀槽图形投影的区域进行刻蚀,在刻蚀腐蚀槽时由于绝缘的氧化层有阻挡作用,从而能够减少在刻蚀腐蚀槽时对顶层硅的损坏,使得顶层硅的厚度可控,继而保证薄膜处硅基衬底厚度的一致性,由此提高了薄膜声波传感器的灵敏度。

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