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公开(公告)号：CN102539462A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110356193.0
申请日：2011-11-11
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳维科技有限公司
IPC分类号： G01N23/22
摘要： 本发明提供了一种采用SEM-CL和TEM的原位表征方法，包括步骤：1）提供一微栅；2）在微栅的表面形成一导电层；3）将纳米线置于所述导电层表面，并采用粘合剂将所纳米线固定在导电层表面；4）采用扫描电子显微镜选择一单根纳米线，拍摄其具体形貌并记录其尺寸；5）采用阴极荧光测试装置记录所述单根纳米线不同位置的发光性质，并利用阴极荧光测试装置的线扫描功能在所述单根纳米线上标定一第二标记；6）采用透射电子显微镜记录所述单根纳米线上的第二标记处的结构信息。本发明利用特殊的精细的制样和测试方法，将TEM获得的结构信息与SEM-CL获得发光性质直接联系起来，构建材料纳米结构和材料发光性质间的桥梁。
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公开(公告)号：CN102539462B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110356193.0
申请日：2011-11-11
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳维科技有限公司
IPC分类号： G01N23/22
摘要： 本发明提供了一种采用SEM-CL和TEM的原位表征方法，包括步骤：1）提供一微栅；2）在微栅的表面形成一导电层；3）将纳米线置于所述导电层表面，并采用粘合剂将所纳米线固定在导电层表面；4）采用扫描电子显微镜选择一单根纳米线，拍摄其具体形貌并记录其尺寸；5）采用阴极荧光测试装置记录所述单根纳米线不同位置的发光性质，并利用阴极荧光测试装置的线扫描功能在所述单根纳米线上标定一第二标记；6）采用透射电子显微镜记录所述单根纳米线上的第二标记处的结构信息。本发明利用特殊的精细的制样和测试方法，将TEM获得的结构信息与SEM-CL获得发光性质直接联系起来，构建材料纳米结构和材料发光性质间的桥梁。
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公开(公告)号：CN102923635B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210415048.X
申请日：2012-10-26
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明提供一种纳米流体二极管，包括支撑衬底、氧化物掩膜层以及纳米孔道；所述氧化物掩膜层覆盖于支撑衬底表面；在沿垂直支撑衬底与氧化物掩膜层接触面的方向，所述纳米孔道贯穿所述支撑衬底；所述纳米孔道表面具有一覆盖层，所述覆盖层与支撑衬底由不同的材料构成，利用支撑衬底与覆盖层异质结构界面中二维电子气形成的电荷分布，在覆盖层表面具有正电荷聚集；所述氧化物掩膜层具有一通孔，所述通孔贯穿所述氧化物掩膜层并与纳米孔道相通，所述氧化物掩膜层的通孔表面具有负电荷聚集。本发明纳米流体二极管及其制造方法制备工艺简单、易形成PN接触。
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公开(公告)号：CN102520212A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110416216.2
申请日：2011-12-14
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明提供多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法，属于半导体测试领域。装置包括反应腔室、原子力显微镜、电子显微镜和样品台，样品台、原子力显微镜、电子显微镜均位于反应腔内；所述减薄待测样品的方法步骤为：将一样品置于反应腔室内；测量待测样品的第一裸露表面的第一接触电势差V1；移开原子力显微镜的导电探针；刻蚀第一裸露表面一深度X，露出第二表面；测量待测样品的第二裸露表面的第一接触电势差V2；比较V1与V2大小，判断是否继续刻蚀。本发明解决了现有技术无法进行精确解剖的问题，本发明做到精确解剖异质结器件，对半导体器件的制备和性质研究有重要意义。
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公开(公告)号：CN102495237A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110416190.1
申请日：2011-12-14
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明提供材料界面的原位加工测试装置，属于半导体测试技术领域。测试装置包括一第一真空腔室、一第二真空腔室、一真空管、一光路耦合装置和一传递装置；第一真空腔室与第二真空腔室通过真空管相连；真空管包括一真空阀门，用于控制第一真空腔室与第二真空腔室的连通和隔绝；光路耦合装置和第二真空腔室连接；传递装置用于在第一真空腔室和第二真空腔室连通时传递样品和探针。本发明解决了纳米材料在加工和测试之间的传递过程中的表面的污染和氧化，实现室温和低温下的局域电学、光学和光电表征，以及原子级分辨率的表面形貌和表面结构表征。
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公开(公告)号：CN102495043B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110416220.9
申请日：2011-12-14
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明提供半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法，属于半导体测试领域。装置包括样品台、原子力显微镜导电探针、电压源、压电激振陶瓷、光学显微镜系统、单色仪、光电探测器和锁相放大器，电压源、压电激振陶瓷均与原子力显微镜导电探针相连，单色仪相连、光电探测器、锁相放大器顺次相连；其方法步骤为：将待测样品放置样品台上；针尖产生一周期性的机械振动；待测样品的裸露表面产生一周期性的光；将待测样品所发出的光聚集至单色仪处进行分光；测量发光信号。本发明解决了现有技术中对测量半导体表面缺陷中电致发光光谱测量存在的问题，本发明可以屏蔽杂散光对测量结果的影响，提供较优的信噪比。
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公开(公告)号：CN102923635A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210415048.X
申请日：2012-10-26
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明提供一种纳米流体二极管，包括支撑衬底、氧化物掩膜层以及纳米孔道；所述氧化物掩膜层覆盖于支撑衬底表面；在沿垂直支撑衬底与氧化物掩膜层接触面的方向，所述纳米孔道贯穿所述支撑衬底；所述纳米孔道表面具有一覆盖层，所述覆盖层与支撑衬底由不同的材料构成，利用支撑衬底与覆盖层异质结构界面中二维电子气形成的电荷分布，在覆盖层表面具有正电荷聚集；所述氧化物掩膜层具有一通孔，所述通孔贯穿所述氧化物掩膜层并与纳米孔道相通，所述氧化物掩膜层的通孔表面具有负电荷聚集。本发明纳米流体二极管及其制造方法制备工艺简单、易形成PN接触。
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公开(公告)号：CN102519885A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110416229.X
申请日：2011-12-14
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明提供材料表面局部光谱测量装置及测量方法，属于半导体测试技术领域。装置包括反应腔、光源和光谱仪，光源和光谱仪均与反应腔相连，反应腔又包括第一真空腔、第二真空腔、真空阀门、真空传递装置、聚焦离子束刻蚀装置和光路耦合装置；其方法步骤为：将待测样品置于样品台上；关闭真空阀；将探针插入至第一针尖台；去除探针的污染物和氧化物；对探针刻蚀，形成天线结构；打开真空阀；将探针从第一针尖台传递并插入至第二针尖台；关闭真空阀；测量待测样品的表面光谱。本发明解决了针尖在刻蚀加工和使用之间的传递过程中的表面的污染和氧化，扩展了用于针尖镀膜的金属材料的选择范围。
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公开(公告)号：CN102519885B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110416229.X
申请日：2011-12-14
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明提供材料表面局部光谱测量装置及测量方法，属于半导体测试技术领域。装置包括反应腔、光源和光谱仪，光源和光谱仪均与反应腔相连，反应腔又包括第一真空腔、第二真空腔、真空阀门、真空传递装置、聚焦离子束刻蚀装置和光路耦合装置；其方法步骤为：将待测样品置于样品台上；关闭真空阀；将探针插入至第一针尖台；去除探针的污染物和氧化物；对探针刻蚀，形成天线结构；打开真空阀；将探针从第一针尖台传递并插入至第二针尖台；关闭真空阀；测量待测样品的表面光谱。本发明解决了针尖在刻蚀加工和使用之间的传递过程中的表面的污染和氧化，扩展了用于针尖镀膜的金属材料的选择范围。
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公开(公告)号：CN102520212B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110416216.2
申请日：2011-12-14
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要： 本发明提供多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法，属于半导体测试领域。装置包括反应腔室、原子力显微镜、电子显微镜和样品台，样品台、原子力显微镜、电子显微镜均位于反应腔内；所述减薄待测样品的方法步骤为：将一样品置于反应腔室内；测量待测样品的第一裸露表面的第一接触电势差V1；移开原子力显微镜的导电探针；刻蚀第一裸露表面一深度X，露出第二表面；测量待测样品的第二裸露表面的第一接触电势差V2；比较V1与V2大小，判断是否继续刻蚀。本发明解决了现有技术无法进行精确解剖的问题，本发明做到精确解剖异质结器件，对半导体器件的制备和性质研究有重要意义。
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