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公开(公告)号：CN102664350A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210060948.7
申请日：2012-03-09
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳维科技有限公司
摘要： 本发明涉及微纳光子器件与激光技术领域。本发明提供一种等离子激元纳米激光器，包括一第一介质层、一第一隔离层、和一增益介质腔体，所述第一隔离层置于所述第一介质层的裸露表面上，所述增益介质腔体置于所述第一隔离层的裸露表面上，其特征在于，所述第一隔离层的厚度与所述增益介质腔体的纵向厚度的比值范围为小于0.5。本发明提供的一种等离子激元纳米激光器，优点在于，减少了激光的阈值。
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公开(公告)号：CN102539462B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110356193.0
申请日：2011-11-11
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳维科技有限公司
IPC分类号： G01N23/22
摘要： 本发明提供了一种采用SEM-CL和TEM的原位表征方法，包括步骤：1）提供一微栅；2）在微栅的表面形成一导电层；3）将纳米线置于所述导电层表面，并采用粘合剂将所纳米线固定在导电层表面；4）采用扫描电子显微镜选择一单根纳米线，拍摄其具体形貌并记录其尺寸；5）采用阴极荧光测试装置记录所述单根纳米线不同位置的发光性质，并利用阴极荧光测试装置的线扫描功能在所述单根纳米线上标定一第二标记；6）采用透射电子显微镜记录所述单根纳米线上的第二标记处的结构信息。本发明利用特殊的精细的制样和测试方法，将TEM获得的结构信息与SEM-CL获得发光性质直接联系起来，构建材料纳米结构和材料发光性质间的桥梁。
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公开(公告)号：CN102662210A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210061093.X
申请日：2012-03-09
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳维科技有限公司
摘要： 本发明涉及光波导技术领域。本发明提供一种等离子激元增益波导，包括基底层、介质层、隔离层和增益波导，所述介质层置于基底层的裸露表面，所述隔离层介于所述介质层和所述增益波导之间，所述增益波导靠近所述介质层的一端为楔形且尖端朝向所述介质层，所述增益波导的折射率大于所述隔离层的折射率。本发明优点在于，在增益波导靠近介质层一端为楔形结构，固定楔形结构的顶端和金属的距离，保留低折射率的隔离层，可以通过调节楔形顶角的角度改善增益波导和金属的等离子激元耦合。
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公开(公告)号：CN102583236A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110356194.5
申请日：2011-11-11
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳维科技有限公司
摘要： 本发明属于材料制备领域。本发明提供一种生长纳米柱阵列的方法，包括步骤：1）在具有一斜切角度的蓝宝石片的裸露表面上生长一金属膜；2）对蓝宝石片表面生长的金属膜实施退火；3）将生长有金属膜的蓝宝石片置于氢化物气相外延生长系统的反应腔中，在金属膜的表面生长化合物半导体材料的纳米柱阵列。本发明的优点在于，提供了一种生长纳米柱阵列的方法，利用HVPE生长系统中原生的高温HCl气体对于不同金属的腐蚀作用，调控金属的催化作用，进而控制纳米柱阵列的形态。
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公开(公告)号：CN102662210B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210061093.X
申请日：2012-03-09
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳维科技有限公司
摘要： 本发明涉及光波导技术领域。本发明提供一种等离子激元增益波导，包括基底层、介质层、隔离层和增益波导，所述介质层置于基底层的裸露表面，所述隔离层介于所述介质层和所述增益波导之间，所述增益波导靠近所述介质层的一端为楔形且尖端朝向所述介质层，所述增益波导的折射率大于所述隔离层的折射率。本发明优点在于，在增益波导靠近介质层一端为楔形结构，固定楔形结构的顶端和金属的距离，保留低折射率的隔离层，可以通过调节楔形顶角的角度改善增益波导和金属的等离子激元耦合。
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公开(公告)号：CN102664350B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210060948.7
申请日：2012-03-09
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳维科技有限公司
摘要： 本发明涉及微纳光子器件与激光技术领域。本发明提供一种等离子激元纳米激光器，包括一第一介质层、一第一隔离层、和一增益介质腔体，所述第一隔离层置于所述第一介质层的裸露表面上，所述增益介质腔体置于所述第一隔离层的裸露表面上，其特征在于，所述第一隔离层的厚度与所述增益介质腔体的纵向厚度的比值范围为小于0.5。本发明提供的一种等离子激元纳米激光器，优点在于，减少了激光的阈值。
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公开(公告)号：CN102583236B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201110356194.5
申请日：2011-11-11
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳维科技有限公司
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 本发明属于材料制备领域。本发明提供一种生长纳米柱阵列的方法，包括步骤：1）在具有一斜切角度的蓝宝石片的裸露表面上生长一金属膜；2）对蓝宝石片表面生长的金属膜实施退火；3）将生长有金属膜的蓝宝石片置于氢化物气相外延生长系统的反应腔中，在金属膜的表面生长化合物半导体材料的纳米柱阵列。本发明的优点在于，提供了一种生长纳米柱阵列的方法，利用HVPE生长系统中原生的高温HCl气体对于不同金属的腐蚀作用，调控金属的催化作用，进而控制纳米柱阵列的形态。
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公开(公告)号：CN102539462A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110356193.0
申请日：2011-11-11
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳维科技有限公司
IPC分类号： G01N23/22
摘要： 本发明提供了一种采用SEM-CL和TEM的原位表征方法，包括步骤：1）提供一微栅；2）在微栅的表面形成一导电层；3）将纳米线置于所述导电层表面，并采用粘合剂将所纳米线固定在导电层表面；4）采用扫描电子显微镜选择一单根纳米线，拍摄其具体形貌并记录其尺寸；5）采用阴极荧光测试装置记录所述单根纳米线不同位置的发光性质，并利用阴极荧光测试装置的线扫描功能在所述单根纳米线上标定一第二标记；6）采用透射电子显微镜记录所述单根纳米线上的第二标记处的结构信息。本发明利用特殊的精细的制样和测试方法，将TEM获得的结构信息与SEM-CL获得发光性质直接联系起来，构建材料纳米结构和材料发光性质间的桥梁。
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公开(公告)号：CN108068103B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201610999920.8
申请日：2016-11-14
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 上海磐颖实业有限公司
摘要： 本发明揭示一种全机械驱动并带防意外开启机构的机械手，包括一个机械手框架，至少两个铰接在机械手框架上可以自由转动的机械手手指，一个自由端朝向机械手开口方向、另一个端用连杆与机械手手指分别相铰接的开启推杆，一个跨装在机械手指及机械手框架上的手指锁和至少两个机械手手指锁死机构。该机械手不含电动或气动伺服机构，用简单机械外力推动手指锁来实现机械手的抓取、放下、防意外开启锁死的动作。该全机械驱动机械手克服了因电动或气动伺服系统的体积、线圈的挥发性、耐高性而无法满足真空、高洁净、高温、狭小空间环境对机械手的使用要求。
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公开(公告)号：CN110595848A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810601158.2
申请日：2018-06-12
申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC分类号： G01N1/28
摘要： 本发明公开了一种微米级颗粒透射电子显微镜样品的制备方法，其包括在聚焦离子束-扫描电镜双束系统中进行的以下工艺：选取待测的微米尺寸量级的样品颗粒；应用离子束沉积工艺在所述样品颗粒的外表面沉积第一材料，形成包覆所述样品颗粒的保护层；将包覆有保护层的所述样品颗粒焊接到样品载网上；应用离子束切割工艺对包覆有保护层的所述样品颗粒进行切割，在所述样品载网上形成厚度为纳米尺寸量级的测试样品。该方法可以简化微米级颗粒透射电子显微镜样品的制样过程，提升了制样速度，并且提高了制样的成功率。
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