公开(公告)号：CN118366004A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410454808.0

申请日：2024-04-16

申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院

发明人： 申钧 ,  胡杰 ,  李豪洲 ,  杨旗 ,  杨冬

IPC分类号： G06V10/82 ,  G06V10/774 ,  G06V10/764 ,  G06V10/94

摘要： 本发明公开一种基于石墨烯的双波段光电探测器的图像识别方法，该神经网络由双波段探测器构成的阵列实现，利用两种不同波段的光来调节石墨烯费米能级，进而对探测器的单元器件的光响应度进行调节，以阵列中各器件的响应度作为神经网络的权重，通过训练找到最合适的光响应度矩阵，通过对输出电流的区分以实现对图像的识别，通过传感器阵列来实现了神经网络。本发明结合基于石墨烯的双波段探测器，器件的光响应度能够在光调制下由负到正转换，能够基于硬件实现神经网络，且能在传感器中实现感存算一体，具有较强实用性。

公开(公告)号：CN118486758A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410454805.7

申请日：2024-04-16

申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院

发明人： 申钧 ,  杨冬 ,  马睿 ,  冷重钱 ,  史浩飞

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/102 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0236 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18

摘要： 本发明公开一种图形化衬底表面的硫化铅薄膜制备方法，该方法包括：通过光刻剥离工艺在所述衬底表面局部沉积金属层，以使所述衬底被分割成具有金属或SiO2两种材料的分立生长平台；利用特定的工艺对所述衬底表面进行预处理，以改变金属和SiO2的表面特性；配置化学水浴生长硫化铅薄膜的前驱体溶液；将所述衬底放入前驱体溶液中，利用化学水浴沉积技术在所述衬底表面沉积硫化铅薄膜材料。本发明利用特定的光刻流程及氧等离子体对图形化衬底的表面进行简单处理，便可实现在SiO2和金属上均匀生长硫化铅薄膜的目的，而无需改变沉积溶液的配比或是沉积环境和条件，并且在整个衬底上生长的硫化铅薄膜保持高度的均匀性和一致性。

公开(公告)号：CN116337222A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310163335.4

申请日：2023-02-24

申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院

发明人： 申钧 ,  李豪洲 ,  杨旗 ,  杨冬

IPC分类号： G01J1/42

摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯的双波段探测器的增益调制方法。该调制方法为加入两种不同波长的入射光，利用光吸收层对不同波长的入射光吸光度不同，达到不同的光学效应来实现垂直异质结内建场的抑制或促进，改变石墨烯的费米能级，进而对原始光信号响应度进行调制。通过观察调制后两种信号的响应度能明显辨别。本发明结合基于石墨烯的双波段探测器，不仅能够同时实现对不同波段的光分别响应，同时能大幅度提高响应度，而且调制方法简单，具有较强实用性。