一种Haynes214合金带箔材的制备方法

    公开(公告)号:CN114703434B

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210642147.5

    申请日:2022-06-08

    摘要: 本发明属于金属材料加工领域,具体涉及一种Haynes214合金带箔材的制备方法,具体工艺流程为:熔炼、开坯锻造、热轧制、固溶处理+酸洗+喷砂、反复进行冷轧+退火、成品固溶处理。开坯锻造加热温度为1030℃~1150℃,总变形量35%~60%;热轧制加热温度为1150℃~1250℃,总变形量85%~95%;固溶处理为1100℃~1180℃下保温30‑60分钟,水冷,表面酸洗、喷砂;冷轧制中轧制速度为4‑30米/分钟,两次退火间冷轧变形量为30%~60%;中间退火温度为1050℃‑1150℃;成品固溶处理为在1065℃~1120℃下保温10‑60分钟,保温结束后采用99.999%高纯氩气冷却,从保温温度至200℃,冷却速率大于180℃/min,之后需板型矫正。采用本发明所述方法制备得到的带箔材具有尺寸精度高,表面光洁,均匀一致性好等优点,可满足更高的使用要求。

    一种Haynes214合金带箔材的制备方法

    公开(公告)号:CN114703434A

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202210642147.5

    申请日:2022-06-08

    摘要: 本发明属于金属材料加工领域,具体涉及一种Haynes214合金带箔材的制备方法,具体工艺流程为:熔炼、开坯锻造、热轧制、固溶处理+酸洗+喷砂、反复进行冷轧+退火、成品固溶处理。开坯锻造加热温度为1030℃~1150℃,总变形量35%~60%;热轧制加热温度为1150℃~1250℃,总变形量85%~95%;固溶处理为1100℃~1180℃下保温30‑60分钟,水冷,表面酸洗、喷砂;冷轧制中轧制速度为4‑30米/分钟,两次退火间冷轧变形量为30%~60%;中间退火温度为1050℃‑1150℃;成品固溶处理为在1065℃~1120℃下保温10‑60分钟,保温结束后采用99.999%高纯氩气冷却,从保温温度至200℃,冷却速率大于180℃/min,之后需板型矫正。采用本发明所述方法制备得到的带箔材具有尺寸精度高,表面光洁,均匀一致性好等优点,可满足更高的使用要求。

    一种薄壁型材对接焊缝超声爬波检测方法

    公开(公告)号:CN112213385A

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN201910625452.1

    申请日:2019-07-11

    IPC分类号: G01N29/04 G01N29/24 G01N29/30

    摘要: 本发明基于超声爬波探伤原理,提供了一种用于薄壁型材对接焊缝中缺陷检测的方法。根据型材结构,对爬波探头的晶片尺寸、晶片角度及探头前沿等进行优化设计,满足薄壁型材检测要求,具有较高的检测灵敏度。根据型材焊接结构设计了专用对比试块,在检测前标定焊道自身干扰和型材结构干扰信号位置和幅度,排除非缺陷信号对检测结果的干扰,进而得到焊缝内清晰的缺陷信号,能够有效排除型材结构的干扰。

    一种使K417G合金性能恢复的热处理方法

    公开(公告)号:CN106854741A

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:CN201610393977.3

    申请日:2016-06-06

    IPC分类号: C22F1/10

    CPC分类号: C22F1/10

    摘要: 本发明涉及合金材料热处理领域,具体为一种使K417G合金性能恢复的热处理方法,适用于长期使用引起性能衰减的K417G合金材料重新获得优异性能。该方法包括如下步骤:(1)随炉升温或到温装炉,在1230~1250℃保温0.1~2h;(2)保温结束后以不少于1℃/min的冷速随炉冷却;(3)在750~900℃保温1~20h,空冷。本发明首先采用高温固溶处理,将粗化的γ′相和M23C6相回溶;再以适当的冷速和时效处理控制晶界和晶内强化相的分布状态,以实现合金拉伸和持久性能重新恢复。从而,通过简单热处理工艺,可使服役长时间的K417G铸件重新获得优异的性能,延长零件的使用寿命。

    一种压电晶片振动模态的测试方法

    公开(公告)号:CN101881652A

    公开(公告)日:2010-11-10

    申请号:CN201010199322.5

    申请日:2010-06-07

    IPC分类号: G01H17/00 G01H9/00

    摘要: 本发明涉及一种压电晶片振动模态的测试方法,其包括以下步骤:1)设置一用于对压电晶片进行测试的装置;2)调节函数发生器的频率f对压电晶片进行电压恒定的连续正弦波的激励,使压电晶片产生振动;3)选取压电晶片的某一侧面,用红外热像仪对压电晶片进行连续拍摄,将拍摄到的红外图像传送给计算机;4)通过计算机观测压电晶片振动情况的红外图像,选取在不同激励频率f激励下,压电晶片同一时刻后的最高温度T0,画出T0-f关系曲线,其中每个温度峰值对应一个振动模态,其所对应的频率便是谐振频率;5)选用步骤4)中得到谐振频率,再次激励压电晶片,拍摄压电晶片不同侧面的红外图像并加以综合,观测压电晶片的温度变化,进一步测得其各个谐振模态的分布形态。

    一种激光超声可视化图像分辨率提升方法

    公开(公告)号:CN111383177B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202010207839.8

    申请日:2020-03-23

    摘要: 本发明公开了一种激光超声可视化图像分辨率提升方法,其特征在于:对原始图像直接邻域插值,将分辨率增大一倍后再进行提升Haar小波分解,低分辨率的图像经过提升小波分解得到的高频子带当作低频部分,再将对应的高频部分都置零,然后进行提升小波反变换,即得到了分辨率增加一倍的高频子带。同时,对小波变换后的细节系数进行映射处理,获得了新的细节系数图像,该细节图像相比于原细节系数图像包含了更多的细节信息,可弥补现有处理方法中的高频子带细节信息产生的偏差。最后,联合高频子带和三个经过映射后的细节系数进行小波逆变换而获得新的图像。通过本方法可以改善成像质量,使得缺陷信息更好地呈现。

    一种超声波检测半导体硅环隐裂缺陷的方法及装置

    公开(公告)号:CN115839999A

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202211384000.7

    申请日:2022-11-07

    摘要: 一种超声波检测半导体硅环隐裂缺陷的方法及专用装置,具体为:选取水浸聚焦超声探头的压电晶片的尺寸为6~10mm,频率范围为1MHz~15MHz;计算超声波在水/硅界面折射出横波、表面波和爬波所需入射角;根据入射角的数值调节多组超声探头以不同倾斜角度发射超声波;超声波在半导体硅环表面发生折射,产生波形转换现象,不同入射角的超声波在半导体硅环中激励出的折射波按一定的传播路径在硅片中传播,当与缺陷相遇后会发生超声散射,散射中的反射波按原路径返回被超声探头接收到;超声探头将反射波信号转化为检测电信号并传输给超声波仪器,超声波仪器将结果信号上传给工控计算机,工控计算机中的成像软件将检测结果成像并显示整个半导体硅片的隐形缺陷分布信息。

    一种奥氏体管内壁腐蚀层厚度的涡流检测方法

    公开(公告)号:CN112378329B

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202011131869.1

    申请日:2020-10-21

    IPC分类号: G01B7/06 G01N27/90

    摘要: 本发明的目的在于提供一种奥氏体管内壁腐蚀层厚度的涡流检测方法,具体为:首先利用高频涡流信号对奥氏体管壁进行测量,确定管道外壁氧化层厚度,再绘制出样管外壁氧化层厚度与高频涡流检测信号幅值的线性关系图;然后以高频测量结果为基础,利用低频涡流对样管进行测量,绘制不同氧化层厚度的情况下,腐蚀层厚度与涡流检测信号幅值的线性关系图;最后通过低频涡流条件下的测量值与标定曲线之间的函数关系,解出所测量管壁具体的腐蚀层厚度值。本发明利用高频、低频两种涡流信号进行奥氏体管检测,通过信号处理、计算即可得出内壁腐蚀层的厚度。该方法简单高效,适用范围更广。