-
公开(公告)号：CN110423988A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910798622.6
申请日：2019-08-27
申请人： 中国科学院金属研究所 , 沈阳乐贝真空技术有限公司
摘要： 本发明属于材料表面改性领域，涉及一种配置中心辅助阳极的电弧离子镀膜装置。在电弧离子镀设备上部中心的法兰位置处接一根或两根以上辅助阳极棒，辅助阳极棒通过绝缘块与法兰绝缘，辅助阳极棒由紫铜制作，采用空心水冷，辅助阳极棒接辅助阳极电源正极，辅助阳极电源负极接真空室外壁。在镀膜过程中，真空室内产生的电子在辅助阳极电场力的作用下发生迁徙，在迁徙过程中将气体分子电离，极大提高真空室内的等离子体密度，可有效提高镀膜沉积效率和薄膜致密度。本发明不仅适用于工业广泛应用的电弧离子镀设备，而且对于离化率较高的各种离子镀及高功率脉冲磁控溅射等技术同样适用，可有效提高其等离子体密度。
-
公开(公告)号：CN110468379A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910797925.6
申请日：2019-08-27
申请人： 中国科学院金属研究所 , 沈阳乐贝真空技术有限公司
摘要： 本发明属于材料表面改性领域，具体涉及一种配置热丝的电弧离子镀膜装置。在设备真空室的侧壁处相对设置热丝接线柱，每个热丝接线柱的一端通过真空室侧壁伸入真空室内，每个热丝接线柱穿设固定于真空室侧壁的一个热丝绝缘块上，每个热丝接线柱的另一端露在真空室外侧；相对设置的两个热丝接线柱露出真空室外壁的一端，分别通过导线接热丝电源的正极与负极，相对设置的两个热丝接线柱伸至真空室内的一端通过热丝连接，形成一组热丝发射热电子结构。在镀膜过程中，通过给热丝通电，使其发射热电子，热电子在迁徙过程中通过与气体分子或金属原子发生碰撞，使其发生电离，从而提高真空室内的等离子体密度，提高薄膜致密化程度及其沉积速率。
-
公开(公告)号：CN210974854U
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201921405739.5
申请日：2019-08-27
申请人： 中国科学院金属研究所 , 沈阳乐贝真空技术有限公司
摘要： 本实用新型属于材料表面改性领域，涉及一种配置中心辅助阳极的电弧离子镀膜装置。在电弧离子镀设备上部中心的法兰位置处接一根或两根以上辅助阳极棒，辅助阳极棒通过绝缘块与法兰绝缘，辅助阳极棒由紫铜制作，采用空心水冷，辅助阳极棒接辅助阳极电源正极，辅助阳极电源负极接真空室外壁。在镀膜过程中，真空室内产生的电子在辅助阳极电场力的作用下发生迁徙，在迁徙过程中将气体分子电离，极大提高真空室内的等离子体密度，可有效提高镀膜沉积效率和薄膜致密度。本实用新型不仅适用于工业广泛应用的电弧离子镀设备，而且对于离化率较高的各种离子镀及高功率脉冲磁控溅射等技术同样适用，可有效提高其等离子体密度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN210974853U
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201921404078.4
申请日：2019-08-27
申请人： 中国科学院金属研究所 , 沈阳乐贝真空技术有限公司
摘要： 本实用新型属于材料表面改性领域，具体涉及一种配置热丝的电弧离子镀膜装置。在设备真空室的侧壁处相对设置热丝接线柱，每个热丝接线柱的一端通过真空室侧壁伸入真空室内，每个热丝接线柱穿设固定于真空室侧壁的一个热丝绝缘块上，每个热丝接线柱的另一端露在真空室外侧；相对设置的两个热丝接线柱露出真空室外壁的一端，分别通过导线接热丝电源的正极与负极，相对设置的两个热丝接线柱伸至真空室内的一端通过热丝连接，形成一组热丝发射热电子结构。在镀膜过程中，通过给热丝通电，使其发射热电子，热电子在迁徙过程中通过与气体分子或金属原子发生碰撞，使其发生电离，从而提高真空室内的等离子体密度，提高薄膜致密化程度及其沉积速率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN108716550A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810843281.5
申请日：2018-07-27
申请人： 沈阳乐贝真空技术有限公司
摘要： 一种新型真空隔离门阀，解决现有技术存在的封闭性能差，占用空间大，生产成本高，输送效率低的问题。包括内部设置有阀体内腔的门阀阀体，其特征在于：阀体内腔内、靠近门阀出口的一端设置有水冷隔离阀板，水冷隔离阀板的门阀转轴上设置有转动阀板，门阀转轴的一端通过驱动连杆与阀板气缸的伸缩端相铰接；门阀转轴的两端分别设置有转轴进水通道和转轴出水通道，转轴进水通道通过连接部水流通道Ⅰ与阀板水流通道的入口相连；阀板水流通道的出口，通过连接部水流通道Ⅱ与转轴出水通道相连；水冷隔离阀板的下方设置有过渡传送装置。其设计合理，结构紧凑，占用空间小，封闭性能稳定可靠，节约生产成本，输送效率高，使用灵活，运行稳定。
-
公开(公告)号：CN108716550B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201810843281.5
申请日：2018-07-27
申请人： 沈阳乐贝真空技术有限公司
摘要： 一种新型真空隔离门阀，解决现有技术存在的封闭性能差，占用空间大，生产成本高，输送效率低的问题。包括内部设置有阀体内腔的门阀阀体，其特征在于：阀体内腔内、靠近门阀出口的一端设置有水冷隔离阀板，水冷隔离阀板的门阀转轴上设置有转动阀板，门阀转轴的一端通过驱动连杆与阀板气缸的伸缩端相铰接；门阀转轴的两端分别设置有转轴进水通道和转轴出水通道，转轴进水通道通过连接部水流通道Ⅰ与阀板水流通道的入口相连；阀板水流通道的出口，通过连接部水流通道Ⅱ与转轴出水通道相连；水冷隔离阀板的下方设置有过渡传送装置。其设计合理，结构紧凑，占用空间小，封闭性能稳定可靠，节约生产成本，输送效率高，使用灵活，运行稳定。
-
公开(公告)号：CN116257949A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211710754.7
申请日：2022-12-29
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： G06F30/17 , G06F30/20 , G06F119/14
摘要： 本发明涉及轴承结构设计领域，具体涉及一种三排滚柱式回转支承的关键结构参数设计方法。该方法以回转支承的节圆直径、圆柱滚子直径、长度、数量、保持架过梁宽度以及套圈尺寸等作为设计目标参数，综合考虑回转支承结构受力载荷分布、材料性能、结构关联以及安全性等多种因素的耦合作用，通过建立多变量约束条件和多目标函数进行回转支承结构参数的计算设计，最终获得最优的结构参数。通过实例计算证实，本发明的回转支承结构设计方法科学合理，结果准确，该方法对我国三排滚柱式回转支承结构的设计与生产制造具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN114990282A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210502287.2
申请日：2022-05-09
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及钢铁冶金领域，具体是一种高品质轴承钢加压钙处理的夹杂物控制方法。该方法为在加压条件下向钢液中加入含钙包芯线，细化钢中非金属夹杂物的洁净钢生产方法，通过加压熔炼设备按照钢种预定目标成分冶炼，严格控制钙铝比例，氧、硫含量，将夹杂调控为CaS‑CaO‑(MgO)类型。本发明提出的钢液加压钙处理方法，能够保证钢中非金属夹杂物稳定控制为细小弥散的CaS‑CaO‑(MgO)，打破了传统钢液钙处理夹杂物控制目标区域为钙铝酸盐的局限，有效克服了钙加入钢液过程的含量不稳定问题。同时，细小的CaS‑CaO‑(MgO)夹杂物不易变形，利于性能提升，将成为生产高品质各向等性钢材的技术基础。
-
公开(公告)号：CN113834654A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010507829.6
申请日：2020-06-05
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： G01M13/04 , G01M13/045
摘要： 本发明属于轴承服役性能测试领域，尤其是涉及一种轴承服役性能与寿命测试装置。测试装置主支架固定在测试装置底座上，在测试装置主支架内腔安装驱动系统定子，驱动系统转子和被测轴承安装至主轴上，主轴水平穿设于测试装置主支架内腔；在被测轴承外套圈与测试装置主支架内腔之间设置轴承支架环，在测试装置主支架上安装被测轴承轴向加载机构，被测轴承轴向加载机构与轴承支架环相对应，在测试装置底座上、测试装置主支架的两侧分别安装被测轴承径向加载机构和主轴振动监控机构。本发明避免很多测试装置的干扰因素，真实反映被测轴承的服役性能。另外，避免给传动主轴带来不可预估的额外载荷，保证后续数据分析的准确性。
-
公开(公告)号：CN113755730A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110179888.X
申请日：2021-02-07
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明属于有色金属材料及其加工领域，具体涉及一种高强高塑性Mg‑Al‑Ce‑(Nd)变形镁合金及其制备方法。该高强高塑性变形镁合金中，各组分的质量百分数含量为：Al 0.1～6.0wt％，Ce 0.1～3.0wt％，Nd 0～3.0wt％，其余为Mg和不可避免的杂质，杂质含量≤0.04wt％。该高强高塑性变形镁合金经过熔化、浇铸、均匀化处理和中反向挤压等一系列手段制备得到。本发明通过复合添加Al、Ce和Nd元素并结合反向挤压工艺获得了具有亚微米晶粒尺寸的变形镁合金。挤压过程中动态析出高密度的Mg17Al12、Al2Ce和Mg12Nd纳米析出相，并且部分在位错和晶界(包括小角度晶界)上弥散分布，获得了显著的析出强化效果，进一步提升合金的室温力学性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
45 条记录 (耗时 0.112 秒)
