-
公开(公告)号：CN117794042A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311830753.0
申请日：2023-12-27
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H05H7/00 , G06F30/20 , G06F119/06 , G06F119/04
摘要： 本发明公开了一种双模式高频腔的双频率独立调谐方法，包括一下步骤，通过电磁场仿真计算和测试软件，对双模式高频腔体内部的电磁场分布进行模拟，根据模拟的电磁场分布，寻找用于安装两个活塞型调谐器的位置，通过分别对两个活塞型调谐器深入腔中的深度进行调节。本发明根据电磁场仿真计算和测试软件对双模式高频腔体内部的电磁场分布进行模拟，在基波的强磁场、弱电场而三次谐波电磁场分布均匀区域固定安装其中一个活塞型调谐器，在三次谐波的强磁场、弱电场而基波波电磁场分布均匀的区域固定安装另一个活塞型调谐器，利用活塞型调谐器底端在竖直方向深入的位置进行调节，进而对双模式高频腔体的双频率进行独立调谐。
-
公开(公告)号：CN115589208B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202211347722.5
申请日：2022-10-31
申请人： 中国科学院高能物理研究所 , 散裂中子源科学中心
摘要： 本发明公开一种磁合金腔谐波补偿控制方法及相关设备，所述方法包括：对磁合金腔的腔压信号进行多次衰减后进行ADC转换得到数字信号；将对基波到预设高次谐波进行解调DDS产生的解调信号与数字信号相乘得到倍频信号后，进行滤波得到第一I/Q信号；根据预设I/Q参考信号和第一I/Q信号计算第一I/Q信号的修正量；将对基波到预设高次谐波进行调制DDS产生的第一调制信号与修正量进行相乘后相加，得到修正信号；将所有谐波的修正信号继续相加并经过DAC转换后得到模拟信号，以输出至功率源。通过解调信号与模拟信号相乘和滤波后，根据预设I/Q参考信号一起计算得到修正量，用于对高次谐波进行快速补偿，并准确地对幅度相位进行控制。
-
公开(公告)号：CN118714722A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411010694.7
申请日：2024-07-26
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明公开了一种低损耗电子直线加速结构，涉及电子直线加速；为了降低电子加速结构的功率损耗；包括外导体，所述外导体两端固定有端盘，且外导体和端盘均为铜制，外导体和端盘之间形成一个封闭的谐振腔体；所述外导体和端盘之间的谐振腔体内部设置有陶瓷介质体，所述陶瓷介质体包括中间盘片和中间导体，所述中间盘片内置的方式固定于外导体内壁，且中间导体和中间盘片之间交错设置，所述中间导体两端均固定有内导体，且内导体中心处和中间导体中心处开设有用于电子束通过的束流孔。本发明利用TM020加速模式电磁场的分布和介质层的微波反射将加速模式的电磁场集中在低损耗的陶瓷介质体中，减小外导体的铜损耗。
-
公开(公告)号：CN116505905A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310405156.7
申请日：2023-04-15
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明涉及匹配电路技术领域，尤指一种基于容性负载下的射频宽带匹配电路；包括电信连接的匹配网络输入模块、阻抗变换器模块、LC并联谐振模块和匹配网络输出模块；本发明通过采用复合输出电路，即集中参数变压器形式的阻抗变换器、LC并谐振网络与LRC并联谐振网，以及降低负载电阻值，实现了大容性负载下的射频宽带匹配；同时，本发明的的匹配电路通过复合电路之间的协调配合，实现大容性负载下的射频宽带匹配，电路稳定性好，同时也大大提高了射频功率的传输效率。
-
公开(公告)号：CN117750610A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311817301.9
申请日：2023-12-27
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H05H7/18
摘要： 本发明公开一种双模式高频腔结构，涉及粒子加速器领域。该双模式高频腔结构包括高频腔结构主体，所述高频腔结构主体包括第一外导体和第二外导体组成，所述第一外导体和第二外导体固定相连，所述第一外导体上固定连接有第一端板，所述第二外导体上固定连接有第二端板，所述第一端板上固定连接有内导体，所述内导体和第二端板之间形成加速间隙。该双模式高频腔结构将基波高频腔和三次谐波高频腔集成在一个双模式高频腔中，同时具有基波高频腔和三次谐波高频腔两种腔的功能，有利于系统的集成、减少建设成本、节省空间和提高系统的稳定性。
-
公开(公告)号：CN116190963A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310207173.X
申请日：2023-03-06
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明公开了一种固态功率源功率合成器，包括第一级合成器、第二级合成器、第三级合成器和第四级合成器，所述第三级合成器设置有两个包括有第三级合成器一和第三级合成器二本发明固态功率源功率合成器通过采用合成网络，即使在功率合成器输入功放模块幅度一致性较差，和后两级采用的是无隔离合成网络的情况下，大部分不平衡功率会被前面隔离电阻吸收，剩余小部分功率通过优化后两级合成网络，使其均匀的被输入模块的吸收负载承担，从而大幅度提升了系统的稳定性，本发明固态功率源功率合成器中前两级采用的Gysel合成网络输入端口相互隔离，隔离电阻可以通过传输线引到的任意位置后接地，从而便于安装和散热系统设计，因此更适用于大功率合成。
-
公开(公告)号：CN115589208A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211347722.5
申请日：2022-10-31
申请人： 中国科学院高能物理研究所 , 散裂中子源科学中心
摘要： 本发明公开一种磁合金腔谐波补偿控制方法及相关设备，所述方法包括：对磁合金腔的腔压信号进行多次衰减后进行ADC转换得到数字信号；将对基波到预设高次谐波进行解调DDS产生的解调信号与数字信号相乘得到倍频信号后，进行滤波得到第一I/Q信号；根据预设I/Q参考信号和第一I/Q信号计算第一I/Q信号的修正量；将对基波到预设高次谐波进行调制DDS产生的第一调制信号与修正量进行相乘后相加，得到修正信号；将所有谐波的修正信号继续相加并经过DAC转换后得到模拟信号，以输出至功率源。通过解调信号与模拟信号相乘和滤波后，根据预设I/Q参考信号一起计算得到修正量，用于对高次谐波进行快速补偿，并准确地对幅度相位进行控制。
-
公开(公告)号：CN219760982U
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202320845613.X
申请日：2023-04-15
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H03H7/38
摘要： 本发明涉及匹配电路技术领域，尤指一种基于容性负载下的射频宽带匹配电路；所述的射频宽带匹配电路采用复合输出电路，包括电性通讯连接的匹配网络输入模块、阻抗变换器模块、LC并联谐振模块和匹配网络输出模块；所述的阻抗变换器变换模块采用集中参数变压器形式的阻抗变换器将阻抗降低；本发明通过采用复合输出电路，即集中参数变压器形式的阻抗变换器、LC并谐振网络与LRC并联谐振网，以及降低负载电阻值，实现了大容性负载下的射频宽带匹配；同时，本发明的的匹配电路通过复合电路之间的协调配合，实现大容性负载下的射频宽带匹配，电路稳定性好，同时也大大提高了射频功率的传输效率。
-
公开(公告)号：CN219513313U
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202320399125.0
申请日：2023-03-06
申请人： 散裂中子源科学中心 , 中国科学院高能物理研究所
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明公开了固态功率源功率合成器，包括第一级合成器、第二级合成器、第三级合成器和第四级合成器，所述第一级合成器与第二级合成器连接，所述第二级合成器与第三级合成器连接；所述第三级合成器与第四级合成器连接；所述第三级合成器设置有两个包括有第三级合成器一和第三级合成器二本发明固态功率源功率合成器通过采用合成网络，即使在功率合成器输入功放模块幅度一致性较差，和后两级采用的是无隔离合成网络的情况下，大部分不平衡功率会被前面隔离电阻吸收，剩余小部分功率通过优化后两级合成网络，使其均匀的被输入模块的吸收负载承担，从而大幅度提升了系统的稳定性。
-
公开(公告)号：CN118400858A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410255993.0
申请日：2024-03-06
申请人： 中国科学院高能物理研究所
摘要： 本发明公开了一种高阶模阻尼腔及其制造方法，该高阶膜阻尼腔包括圆柱形腔体，该圆柱形腔体的内表面上设置有内设耦合槽，所述内设耦合槽为环形波导结构，并将该环形波导结构设计成由多个弯波导组合而成。本实施例提供的高阶模阻尼腔，将高阶模耦合槽设置成环形波导结构，通过在确保所有危险模式都可以通过环形波导结构传输出去，并且该环形波导结构和圆柱形腔体可以一体成型，实现对耦合槽的精确定位，减少了工作模式下电磁场泄露，提高了高阶模阻尼腔运行时的稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.101 秒)
