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公开(公告)号：CN104698552A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510114954.X
申请日：2015-03-16
IPC分类号： G02B6/43
摘要： 一种用于航天器和军用计算机上的光互连基板及其制造方法，包括发射组件、接收组件以及一侧开设有空腔的LTCC基板，所述LTCC基板的空腔内设置有单面抛光的硅片，硅片的抛光面上设置有复合波导；复合波导的一端设置第一反射镜，另一端设置第二反射镜；LTCC基板的另一侧组装有发射组件中的VCSEL器件和接收组件中的PD器件，VCSEL器件和第一反射镜之间设置第一微透镜阵列，PD器件和第二反射镜之间设置有第二微透镜阵列；本发明的LTCC光互连基板具有体积小、重量轻、集成密度更高的特点，非常适合制造用于航天器和军用计算机中，且更容易实现与光电组件的组装工艺。
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公开(公告)号：CN104698552B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510114954.X
申请日：2015-03-16
IPC分类号： G02B6/43
摘要： 一种用于航天器和军用计算机上的光互连基板及其制造方法，包括发射组件、接收组件以及一侧开设有空腔的LTCC基板，所述LTCC基板的空腔内设置有单面抛光的硅片，硅片的抛光面上设置有复合波导；复合波导的一端设置第一反射镜，另一端设置第二反射镜；LTCC基板的另一侧组装有发射组件中的VCSEL器件和接收组件中的PD器件，VCSEL器件和第一反射镜之间设置第一微透镜阵列，PD器件和第二反射镜之间设置有第二微透镜阵列；本发明的LTCC光互连基板具有体积小、重量轻、集成密度更高的特点，非常适合制造用于航天器和军用计算机中，且更容易实现与光电组件的组装工艺。
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公开(公告)号：CN102315139A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110262558.3
申请日：2011-09-07
CPC分类号： H01L2224/11
摘要： 本发明公开了一种在晶圆上漏印制作微米凸点的工艺，包括如下步骤：画图制版、制作焊膏漏印板、对焊膏漏印板、印刷焊膏、检验、焊接、清洗和检测。本工艺技术采用漏印工艺方法，实现了直径150微米、高度200微米以及间距250微米的小尺寸凸点的制作。工艺一致性好，流程简单、生产效率高、成本低廉、适于大批量生产。漏印的BGA凸点高度容差小于3.0μm，线性一致性小于5μm，剪切强度、接触电阻等指标均满足可靠性要求。
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公开(公告)号：CN106342340B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200810076225.X
申请日：2008-08-03
摘要： 一种高精度多路数据采集器，本发明由输入保护电路与一级门采集电路和二级门采集电路串接构成；是采用薄膜技术对电路进行高密度混合集成布版，并采用薄膜技术设计并制作所有电阻。本发明采用高密度混合集成版图设计和高精度薄膜电阻制作，可将同等级的数据采集器体积缩小为现有PCB技术的1/15，64路的数据采集器尺寸只有5cm×5cm，采集精度提高十倍以上，可靠性等级达到H级，具有电路输出一致性好、体积小、扩展性强、可靠性高的优点，能满足航天测控设备数据采集系统对精确度、小体积、可靠性和稳定性的要求，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102371410A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110262557.9
申请日：2011-09-07
IPC分类号： B23K1/008
摘要： 本发明公开了一种在晶圆上真空钎焊制作无空洞高可靠凸点的工艺，采用真空钎焊炉进行焊接，焊接过程如下：首先抽真空，其次通入氮气，然后抽真空，再在氮气气氛中预加热至150℃±10℃，然后升温至210℃±10℃，再抽真空，最后水冷降温、回充氮气。本工艺技术结合漏印工艺方法，实现了直径150微米、高度100微米以及间距250微米的小尺寸凸点的制作。工艺一致性好，流程简单、生产效率高、成本低廉、适于大批量生产。漏印的BGA凸点高度容差小于3.0μm，线性一致性小于5μm，剪切强度、接触电阻等指标均满足可靠性要求。
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公开(公告)号：CN102306632A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110264528.6
申请日：2011-09-07
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/312 , H01L23/00 , G03F7/00 , G03F7/16
摘要： 本发明公开了一种适用于光刻工艺的平坦化方法，采用旋涂法在基片表面涂覆一层介质层，介质层覆盖基片表面约20μm高的台阶并使基片表面形成一个平坦的表面，然后将基片经烘干后再使用低粘度系数光刻胶进行光刻，通过湿法腐蚀工艺制作出UBM层，最后在去胶过程中同时去除介质层。通过该方法制作出了线条/间距150μm/100μm并且带有高度20μm凸点焊盘的UBM层，满足凸点漏印的工艺要求。工艺一致性好，工艺流程简单、生产效率高、适于大批量生产，产品满足可靠性要求。
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公开(公告)号：CN102315139B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110262558.3
申请日：2011-09-07
CPC分类号： H01L2224/11
摘要： 本发明公开了一种在晶圆上漏印制作微米凸点的工艺，包括如下步骤：画图制版、制作焊膏漏印板、对焊膏漏印板、印刷焊膏、检验、焊接、清洗和检测。本工艺技术采用漏印工艺方法，实现了直径150微米、高度200微米以及间距250微米的小尺寸凸点的制作。工艺一致性好，流程简单、生产效率高、成本低廉、适于大批量生产。漏印的BGA凸点高度容差小于3.0μm，线性一致性小于5μm，剪切强度、接触电阻等指标均满足可靠性要求。
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公开(公告)号：CN102306632B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110264528.6
申请日：2011-09-07
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/312 , H01L23/00 , G03F7/00 , G03F7/16
摘要： 本发明公开了一种适用于光刻工艺的平坦化方法，采用旋涂法在基片表面涂覆一层介质层，介质层覆盖基片表面约20μm高的台阶并使基片表面形成一个平坦的表面，然后将基片经烘干后再使用低粘度系数光刻胶进行光刻，通过湿法腐蚀工艺制作出UBM层，最后在去胶过程中同时去除介质层。通过该方法制作出了线条/间距150μm/100μm并且带有高度20μm凸点焊盘的UBM层，满足凸点漏印的工艺要求。工艺一致性好，工艺流程简单、生产效率高、适于大批量生产，产品满足可靠性要求。
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