-
公开(公告)号：CN112382327A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011269500.7
申请日：2020-11-13
申请人： 中天弘宇集成电路有限责任公司
摘要： 本发明提供一种B4快闪存储器的编程方法，包括：将P型沟道闪存器件的源极浮空；在P型沟道闪存器件的栅极、漏极及衬底分别施加电压，空穴注入衬底，电子聚集在漏极形成一次电子；在漏极和衬底分别施加电压，漏极和衬底之间形成电场，空穴在电场作用下向下做加速度运动并撞击P型沟道闪存器件中的衬底，产生二次电子；在P型沟道闪存器件的栅极及衬底分别施加电压，使二次电子在垂直方向电场作用下形成三次电子并与一次电子叠加注入浮栅中，完成编程操作。本发明通过编程电压操作方式的改进优化，形成三次电子激发及带间隧穿两种方式的累加进行编程，可以有效提高编程效率；同时能避免本体贯通效应，为闪存进一步微缩创造条件。
-
公开(公告)号：CN112201295B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010955900.7
申请日：2020-09-11
申请人： 中天弘宇集成电路有限责任公司
摘要： 本发明提供一种NAND闪存编程方法，包括：提供一NAND闪存阵列，将待编程的存储单元初始化；于待编程的存储单元的漏极上施加漏极电压，将待编程的存储单元的源极浮空；于待编程的存储单元的栅极上施加编程电压，保持第一时间段后将待编程的存储单元的各端电压泄放，完成编程；其中，待编程的存储单元的漏极及衬底的电压差不小于4V，第一时间段不大于100μs，编程电压不大于10V。本发明的NAND闪存编程方法初始化后，施加漏极电压并对源极做浮空处理，然后施加编程电压完成编程，编程时的栅极电压远小于现有的隧穿(F‑N)编程方式的栅极电压，且编程时间短，可有效提高存储单元的使用寿命及编程效率，同时降低功耗。
-
公开(公告)号：CN112349328B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202011131877.6
申请日：2020-10-21
申请人： 中天弘宇集成电路有限责任公司
摘要： 本发明提供一种电荷捕获型快闪存储器的编程方法，包括：开启电荷捕获型存储器件的沟道，在源极与漏极之间形成横向电场，以产生从源极流向漏极的一次电子；经过预设时间，一次电子撞击漏极并产生空穴；在漏极及衬底上施加电压，空穴在电场的作用下向下做加速度运动并撞击衬底，产生二次电子；在栅极及衬底上施加电压，形成垂直电场，二次电子在垂直电场的作用下形成三次电子并注入电荷捕获型存储器件的绝缘存储介质层，完成编程操作。本发明在编程过程中，利用横向电场及垂直电场形成三次电子，可有效提高电荷捕获型存储器件的读写电流，减小功耗，提高器件可靠性；结合电荷捕获型存储器件的低成本优点，具有广阔的市场前景。
-
公开(公告)号：CN112201295A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010955900.7
申请日：2020-09-11
申请人： 中天弘宇集成电路有限责任公司
摘要： 本发明提供一种NAND闪存编程方法，包括：提供一NAND闪存阵列，将待编程的存储单元初始化；于待编程的存储单元的漏极上施加漏极电压，将待编程的存储单元的源极浮空；于待编程的存储单元的栅极上施加编程电压，保持第一时间段后将待编程的存储单元的各端电压泄放，完成编程；其中，待编程的存储单元的漏极及衬底的电压差不小于4V，第一时间段不大于100μs，编程电压不大于10V。本发明的NAND闪存编程方法初始化后，施加漏极电压并对源极做浮空处理，然后施加编程电压完成编程，编程时的栅极电压远小于现有的隧穿(F‑N)编程方式的栅极电压，且编程时间短，可有效提高存储单元的使用寿命及编程效率，同时降低功耗。
-
公开(公告)号：CN112365913B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202011050195.2
申请日：2020-09-29
申请人： 中天弘宇集成电路有限责任公司
摘要： 本发明提供一种3D NAND闪存编程方法，包括：S1)提供3D NAND闪存阵列，清除残余电荷；S2)选通上部子存储模块所在位线；S3)于待编程的存储单元的漏极上施加漏极电压，并将源极浮空；S4)于待编程的存储单元的栅极上施加编程电压，完成编程；S5)完成上部子存储模块的编程后，在上部子存储模块保持编程状态的情况下，选通下部子存储模块所在位线重复步骤S3)及步骤S4)以实现对下部子存储模块的编程。本发明的3D NAND闪存编程方法基于三次电子碰撞原理完成编程，编程时的栅极电压远小于现有的隧穿(F‑N)编程方式的栅极电压，且编程时间短，可有效降低功耗并避免相邻存储单元之间的干扰，提高编程效率。
-
公开(公告)号：CN112382327B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202011269500.7
申请日：2020-11-13
申请人： 中天弘宇集成电路有限责任公司
摘要： 本发明提供一种B4快闪存储器的编程方法，包括：将P型沟道闪存器件的源极浮空；在P型沟道闪存器件的栅极、漏极及衬底分别施加电压，空穴注入衬底，电子聚集在漏极形成一次电子；在漏极和衬底分别施加电压，漏极和衬底之间形成电场，空穴在电场作用下向下做加速度运动并撞击P型沟道闪存器件中的衬底，产生二次电子；在P型沟道闪存器件的栅极及衬底分别施加电压，使二次电子在垂直方向电场作用下形成三次电子并与一次电子叠加注入浮栅中，完成编程操作。本发明通过编程电压操作方式的改进优化，形成三次电子激发及带间隧穿两种方式的累加进行编程，可以有效提高编程效率；同时能避免本体贯通效应，为闪存进一步微缩创造条件。
-
公开(公告)号：CN112201286B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010954474.5
申请日：2020-09-11
申请人： 中天弘宇集成电路有限责任公司
摘要： 本发明提供一种快闪存储器的编程方法，包括：提供一具有浮栅的闪存结构，将闪存结构的源极浮空；在漏极及衬底分别施加电压，形成电场，产生电子空穴对，形成一次电子，其中，施加于衬底的电压小于施加于漏极的电压；在预设时间内，空穴在电场作用下向下做加速度运动并撞击闪存结构中的衬底，产生二次电子；在栅极及衬底分别施加电压，施加于衬底的电压小于施加于栅极的电压，使二次电子在垂直方向电场作用下形成三次电子注入浮栅中，完成编程操作。本发明通过编程电压操作方式的改进优化，形成三次电子激发进行编程，可以提高编程效率，降低功耗，编程读取电流大，对隧穿氧化层损伤小；同时能避免本体贯通效应，为闪存进一步微缩创造条件。
-
公开(公告)号：CN112349328A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011131877.6
申请日：2020-10-21
申请人： 中天弘宇集成电路有限责任公司
摘要： 本发明提供一种电荷捕获型快闪存储器的编程方法，包括：开启电荷捕获型存储器件的沟道，在源极与漏极之间形成横向电场，以产生从源极流向漏极的一次电子；经过预设时间，一次电子撞击漏极并产生空穴；在漏极及衬底上施加电压，空穴在电场的作用下向下做加速度运动并撞击衬底，产生二次电子；在栅极及衬底上施加电压，形成垂直电场，二次电子在垂直电场的作用下形成三次电子并注入电荷捕获型存储器件的绝缘存储介质层，完成编程操作。本发明在编程过程中，利用横向电场及垂直电场形成三次电子，可有效提高电荷捕获型存储器件的读写电流，减小功耗，提高器件可靠性；结合电荷捕获型存储器件的低成本优点，具有广阔的市场前景。
-
公开(公告)号：CN112201286A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010954474.5
申请日：2020-09-11
申请人： 中天弘宇集成电路有限责任公司
摘要： 本发明提供一种快闪存储器的编程方法，包括：提供一具有浮栅的闪存结构，将闪存结构的源极浮空；在漏极及衬底分别施加电压，形成电场，产生电子空穴对，形成一次电子，其中，施加于衬底的电压小于施加于漏极的电压；在预设时间内，空穴在电场作用下向下做加速度运动并撞击闪存结构中的衬底，产生二次电子；在栅极及衬底分别施加电压，施加于衬底的电压小于施加于栅极的电压，使二次电子在垂直方向电场作用下形成三次电子注入浮栅中，完成编程操作。本发明通过编程电压操作方式的改进优化，形成三次电子激发进行编程，可以提高编程效率，降低功耗，编程读取电流大，对隧穿氧化层损伤小；同时能避免本体贯通效应，为闪存进一步微缩创造条件。
-
公开(公告)号：CN113921065B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111160401.X
申请日：2021-09-30
申请人： 中天弘宇集成电路有限责任公司
摘要： 本发明提供一种存储器的编程方法，包括：提供一具有浮栅的存储结构，将存储结构的源极接地；在漏极及衬底分别施加电压，形成电场，产生电子空穴对，形成一次电子，其中，施加于衬底的电压小于施加于漏极的电压；在预定时间内，空穴在电场作用下向下做加速度运动并撞击存储结构中的衬底，产生二次电子；在栅极及衬底分别施加电压，施加于衬底的电压小于施加于栅极的电压，使二次电子在垂直方向电场作用下形成三次电子注入浮栅中，完成编程操作。本发明通过编程电压操作方式的改进优化，形成三次电子激发进行编程，可以提高编程效率，降低功耗，编程读取电流大，对隧穿氧化层损伤小。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
12 条记录 (耗时 0.031 秒)
