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公开(公告)号：CN110412681B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201810394432.3
申请日：2018-04-27
申请人： 中天科技光纤有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司 , 江东科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种量子点掺杂光纤制备装置及方法，属于光通讯以及纳米材料技术领域。所述装置包括：多个卡槽、注射针头、显微镜设备、光固化装置和旋转装置，所述多个卡槽呈直线分布设置，用于固定空芯光纤，所述注射针头设置在所述多个卡槽中位于末端的卡槽的附近位置，所述显微镜设备以与所述空芯光纤空心圆周面相对的方式设置，所述光固化装置设置在所述空芯光纤的外围。本发明提供的量子点掺杂光纤制备装置及方法，简便易行，可满足不同类型、不同尺寸、不同浓度量子点掺杂光纤的制备。
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公开(公告)号：CN115490419B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202211215689.0
申请日：2022-09-30
申请人： 中天科技光纤有限公司 , 江东科技有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司
IPC分类号： C03B37/023
摘要： 本发明提供了一种光纤及其制备方法。该光纤所由内向外依次包括芯层、内包层、下陷层、外包层和涂覆层，制备方法包括，使用VAD工艺依次制备芯层、内包层和下陷层，OVD工艺制备外包层，得到光纤预制棒前驱体进行熔缩、降温，得到光纤预制棒，然后进行熔融拉丝，在惰性气体的氛围中退火，得到裸纤进行涂覆和固化，得到光纤。本发明在光纤预制棒制造时，采用斜内包层结合宽凹陷浅掺氟的设计，有效降低了芯层和下陷层的折射率差，使得光纤具备更高的强度，同时增加了光纤的抗弯曲能力，弯曲损耗大大减小；熔缩后的光纤预制棒采用特定降温工艺，熔融拉丝后使用惰性气氛下的自然冷却，从而进一步降低光纤内应力，有效降低光纤损耗。
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公开(公告)号：CN116626805A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310905845.4
申请日：2023-07-24
申请人： 中天科技光纤有限公司 , 江东科技有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/036 , C03B37/027 , C03B37/029
摘要： 本申请提供一种超低损耗光纤及其制备方法。光纤包括：芯层的半径宽度R0的范围为4.2μm至4.8μm，芯层的最大相对折射率差△1max的范围为0.2%至0.3%；内包层包覆于芯层的外侧，内包层的外半径为R1，内包层的宽度R1‑R0的范围为4.0μm至4.3μm，内包层的最小相对折射率差△2min的范围为‑0.25%至‑0.3%；凹陷包层的宽度范围为30μm至40μm，凹陷台阶层的宽度大于深凹陷层的宽度，凹陷平台层的宽度大于凹陷台阶层的宽度；外包层包覆于凹陷包层的外侧。超低损耗光纤对应的1550nm波长衰减系数小于或等于0.170dB/km，超低损耗光纤对应的1480nm波长衰减系数小于或等于0.210dB/km。本申请的超低损耗光纤具有不大于1400nm的光缆截止波长，满足G.654.C光纤标准，优选光缆截止波长≤1260nm，满足G.652光纤标准。
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公开(公告)号：CN115951445A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310244056.0
申请日：2023-03-15
申请人： 中天科技光纤有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司 , 江东科技有限公司
IPC分类号： G02B6/02 , G02B6/036 , C03B37/027 , C03C25/1065 , C03C25/105 , C03C25/50
摘要： 本申请提供一种抗弯曲高耐压光纤及其制备方法，涉及光纤技术领域，其用于解决现有光纤在微弯曲状态下的附加损耗增加明显，并使光纤信号的衰减增大的技术问题。该光纤包括由内向外依次且同心设置的芯层、包层及涂层；芯层掺杂锗，包层掺杂有锗和/或氟；包层包括依次设置的内包层、凹陷层及外包层，任意两者之间的杨氏模量差异小于3%、泊松比差异小于0.5%；涂层包括内涂覆层和外涂覆层，内涂覆层、外涂覆层之间泊松比差异小于5%；内涂覆层的杨氏模量设定在0.3～0.5MPa之间，热膨胀系数设定在60～70×10‑5/℃之间，外涂覆层的杨氏模量设定在500～800MPa之间，热膨胀系数设定在5～7×10‑5/℃之间。本申请提供的光纤，适用于深海通信。
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公开(公告)号：CN115490419A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211215689.0
申请日：2022-09-30
申请人： 中天科技光纤有限公司 , 江东科技有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司
IPC分类号： C03B37/023
摘要： 本发明提供了一种光纤及其制备方法。该光纤所由内向外依次包括芯层、内包层、下陷层、外包层和涂覆层，制备方法包括，使用VAD工艺依次制备芯层、内包层和下陷层，OVD工艺制备外包层，得到光纤预制棒前驱体进行熔缩、降温，得到光纤预制棒，然后进行熔融拉丝，在惰性气体的氛围中退火，得到裸纤进行涂覆和固化，得到光纤。本发明在光纤预制棒制造时，采用斜内包层结合宽凹陷浅掺氟的设计，有效降低了芯层和下陷层的折射率差，使得光纤具备更高的强度，同时增加了光纤的抗弯曲能力，弯曲损耗大大减小；熔缩后的光纤预制棒采用特定降温工艺，熔融拉丝后使用惰性气氛下的自然冷却，从而进一步降低光纤内应力，有效降低光纤损耗。
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公开(公告)号：CN110408391B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201810408832.5
申请日：2018-04-27
申请人： 中天科技光纤有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司 , 江东科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种量子点、量子点/UV胶溶液及量子点掺杂光纤的制备方法，属于纳米材料及光通讯技术领域。本发明实施例提供的量子点制备方法通过热分解法制备Cu2ZnSnS4量子点，可以实现量子点结构、尺寸的可控合成，且产物具有高分散性和均一性，杂相少，解决了纯相Cu2ZnSnS4量子点难以合成的技术问题，制得的量子点可直接用于制备量子点掺杂光纤，具有较大的行业价值。
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公开(公告)号：CN113885121A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111160727.2
申请日：2021-09-30
申请人： 中天科技光纤有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司 , 江东科技有限公司 , 中天科技精密材料有限公司
摘要： 本发明提供的一种多模光纤，从内到外依次包括芯层和包层，所述芯层的折射率剖面呈抛物线形，分布指数α为1.9～2.2，所述芯层中心的相对折射率差Δ1为1.0～1.4％；所述包层由内到外包括过渡层、内包层、凹陷包层和外包层，所述过渡层的相对折射率差Δ2为0.1～0.3％，所述凹陷包层的相对折射率差Δ3为‑1.2～‑0.4％，所述内包层和所述外包层均为二氧化硅。本发明提供的多模光纤，通过合理设计光纤结构，使宏弯损耗减小，使带宽性能进一步提高。
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公开(公告)号：CN113772944A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111088338.3
申请日：2021-09-16
申请人： 中天科技光纤有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司 , 南京邮电大学 , 江东科技有限公司
IPC分类号： C03B37/012 , C03B37/027 , G02B6/02
摘要： 本发明提供一种光纤预制棒、光纤、光纤布拉格光栅及其制备方法，涉及光纤光栅技术领域。该光纤由内向外包括芯棒、第一掺氟包层、第二掺氟包层、第三掺氟包层、外包层和耐高温涂层；芯棒主要由掺锗二氧化硅制成，其相对于外包层的折射率为0.42％～0.48％；第一掺氟包层、第二掺氟包层以及第三掺氟包层都主要由掺氟二氧化硅制成；第一掺氟包层相对于外包层的折射率为‑0.001％～‑0.005％，第二掺氟包层相对于外包层的折射率为‑0.05％～‑0.1％，第三掺氟包层相对于外包层的折射率为‑0.02％～‑0.03％；外包层主要由二氧化硅制成；耐高温涂层涂覆在外包层外。光纤布拉格光栅由光纤曝光刻写形成。本发明提供的光纤布拉格光栅具有较好的抗弯曲性能。
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公开(公告)号：CN111929764A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010830293.1
申请日：2020-08-18
申请人： 中天科技光纤有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司 , 江东科技有限公司
IPC分类号： G02B6/036 , C03C25/50 , C03B37/027 , C03B37/018
摘要： 本申请提供一种光纤，包括芯层与围绕所述芯层的包层，所述包层包括包覆设置的内包层、第一下陷层、第二下陷层与外包层，所述第一下陷层的单侧宽度大于所述第二下陷层的单侧宽度，所述第一下陷层的相对折射率为-0.03％～-0.06％，所述第二下陷层的相对折射率为-0.08％～-0.15％，所述外包层外还包括涂覆层，所述涂覆层包括包覆设置的第一涂覆层与第二涂覆层，所述第二涂覆层的直径为175μm～195μm。本申请还提供一种光纤制备方法。通过本申请，能够降低光纤尺寸，提高光纤的抗弯曲性能。
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公开(公告)号：CN116589174B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202310527894.9
申请日：2023-05-09
申请人： 中天科技光纤有限公司 , 江东科技有限公司 , 江苏中天科技股份有限公司
IPC分类号： C03B37/012 , C03B37/027 , C03C25/1065
摘要： 本申请涉及光纤技术领域，具体涉及一种石英预制件、光纤及光纤制备方法。该石英预制件用于制备光纤，该石英预制件包括芯层和围绕芯层的包层，芯层的相对折射率差大于包层的相对折射率差，所述芯层由内向外包括：抛物线渐变层和线性渐变层，包层包括凹陷层以及围绕所述凹陷层的外包层，凹陷层的相对折射率差不大于零，且凹陷层的相对折射率差小于所述外包层的相对折射率差。本申请通过该石英预制件制备光纤，可以提高制备得到的光纤的机械强度。
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