公开(公告)号：CN104136447A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380010463.X

申请日：2013-01-16

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 手岛卓也 ,  柴山茂朗 ,  中村阳介 ,  平冈知之

IPC: C07F7/20 ,  C07F7/08

CPC classification number: C07F7/20 ,  C07F7/0896

Abstract: 本发明公开了一种三甲基硅烷的纯化方法，其包括(1)准备至少浸渍有氧化铜(II)以及氧化锌的活性碳的工序；(2)使三甲基硅烷吸附于前述活性碳的工序；(3)使包含硅烷、甲基硅烷、或者二甲基硅烷作为杂质的三甲基硅烷接触完成了前述(2)的工序的活性碳，吸附该杂质并从三甲基硅烷去除的工序。通过该方法，可以抑制活性碳的发热，高效地去除二甲基硅烷等杂质。

公开(公告)号：CN104136447B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201380010463.X

申请日：2013-01-16

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 手岛卓也 ,  柴山茂朗 ,  中村阳介 ,  平冈知之

IPC: C07F7/20 ,  C07F7/08

CPC classification number: C07F7/20 ,  C07F7/0896

Abstract: 本发明公开了一种三甲基硅烷的纯化方法，其包括(1)准备至少浸渍有氧化铜(II)以及氧化锌的活性碳的工序；(2)使三甲基硅烷吸附于前述活性碳的工序；(3)使包含硅烷、甲基硅烷、或者二甲基硅烷作为杂质的三甲基硅烷接触完成了前述(2)的工序的活性碳，吸附该杂质并从三甲基硅烷去除的工序。通过该方法，可以抑制活性碳的发热，高效地去除二甲基硅烷等杂质。

公开(公告)号：CN102762772A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201080054728.2

申请日：2010-11-25

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 八尾章史 ,  宫崎达夫 ,  中村阳介 ,  中原启太 ,  德永敦之

IPC: C25B1/24 ,  C25B9/00

CPC classification number: C25B1/245

Abstract: 本发明涉及通过将熔融盐中的氟化氢电解从而生成氟气的氟气生成装置，其包括：电解槽，其在熔融盐液面上隔离、划分为第1气室和第2气室，在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气为主成分的主产气体被导入该第1气室，在浸渍于熔融盐的阴极处生成的以氢气为主成分的副产气体被导入该第2气室；氟化氢供给源，其积存有用于补充到电解槽中的氟化氢；精制装置，其捕集从电解槽的熔融盐中气化而混入到由所述阳极生成的主产气体中的氟化氢气体并精制氟气；以及回收设备，其将用精制装置捕集的氟化氢输送到电解槽或氟化氢供给源并进行回收。

公开(公告)号：CN107533969A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680020330.4

申请日：2016-03-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 中村阳介 ,  藤原昌生 ,  大森启之 ,  八尾章史

IPC: H01L21/3065 ,  C09K13/08 ,  C07C17/383 ,  C07C21/18

Abstract: 本申请涉及一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且在气体中混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3‑四氟丙烯。对于该干法蚀刻气体，进一步优选氮含量为0.5体积％以下、水分含量为0.05质量％以下，在使用对干法蚀刻气体进行等离子体化而得到的等离子体气体的干法蚀刻中，能够提高硅系材料相对于掩模的蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN116324036A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180070131.5

申请日：2021-10-11

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 吉浦一基 ,  冈田卓也 ,  渡边谦太 ,  公文创一 ,  中村阳介 ,  谷口敬寿

IPC: C23F1/10

Abstract: 本公开中提出的湿式蚀刻方法，其为利用表面改质液对基板上的含金属膜进行预处理，接着使用蚀刻液进行蚀刻的湿式蚀刻方法，前述蚀刻液为包含键合有三氟甲基及羰基的β‑二酮和有机溶剂的溶液，前述含金属膜包含能够与前述β‑二酮形成络合物的金属元素，前述表面改质液包含对前述金属元素的氧化性物质，前述湿式蚀刻方法包括：第一工序，使前述表面改质液与前述含金属膜接触而在前述含金属膜的表面形成前述金属元素的氧化膜；和第二工序，使前述蚀刻液与具有前述氧化膜的前述含金属膜接触。

公开(公告)号：CN107533969B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201680020330.4

申请日：2016-03-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 中村阳介 ,  藤原昌生 ,  大森启之 ,  八尾章史

IPC: H01L21/3065 ,  C09K13/08 ,  C07C17/383 ,  C07C21/18

Abstract: 本申请涉及一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且在气体中混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3‑四氟丙烯。对于该干法蚀刻气体，进一步优选氮含量为0.5体积％以下、水分含量为0.05质量％以下，在使用对干法蚀刻气体进行等离子体化而得到的等离子体气体的干法蚀刻中，能够提高硅系材料相对于掩模的蚀刻选择性。