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公开(公告)号：CN103510064A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210199548.4
申请日：2012-06-15
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明涉及一种真空处理装置，用于对放置在其中的基片通过金属有机化学气相沉积反应进行加工处理，包括：基座、反应腔室、喷淋头，基座和喷淋头分别位于反应腔室内的下部和上部，喷淋头用于向反应腔室供给金属有机化学气相沉积反应所用的制程气体，基片放置在基座上，该装置还包括一个超声波发生单元，用于在反应腔室中产生超声波，使得制程气体的制程颗粒向下运动，与基片进行反应。采用这种装置不再需要专门的反应腔室清洗工艺，提高了生产效率、节省了开销。
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公开(公告)号：CN102915902B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110219413.5
申请日：2011-08-02
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC分类号： H01J37/32669 , H01J37/32091 , H05H1/46 , H05H2001/4675
摘要： 本发明涉及一种电容耦合式的等离子体处理装置，其通过在反应腔内设置电场调节元件--“电场透镜”，从而在反应腔内产生与原射频电场方向相反的再生电场，来消减原有射频电场产生的等离子体在基片表面刻蚀速率分布的不均匀性；电场调节元件--“电场透镜”还降低了反应腔体的等效品质因数Q值，从而展宽了射频频带，并防止高压电弧的产生。本发明还提供了一种利用该处理装置进行基片加工的方法。
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公开(公告)号：CN103002649A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110269393.2
申请日：2011-09-13
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
发明人： 刘忠笃
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32669
摘要： 本发明涉及一种电感耦合式的等离子体处理装置及其基片处理方法，通过设置导磁材料制成的磁力线调整部件，构成一准闭合的低磁阻通路作为磁力线回路在反应腔外流通的路径，所述低磁阻通路将感应磁场的大部分磁力线路径进行规范，以此收集原先发散的大部分磁场能量，从而使反应腔的磁场强度倍增；或者，仅需要比现有更少的能源供给，就能以同样的磁场强度生成处理用的等离子体，提高了能源的利用效率。还显著减少RF电磁泄漏，降低对环境的电磁干扰，减低设备的发热，增加了系统的可靠性与稳定性。磁力线调整部件设置了相对延伸的突出部分与两个磁极相对应，使两个磁极之间的磁力线为均匀线性分布，以改善基片表面的等离子体分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN102915902A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110219413.5
申请日：2011-08-02
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC分类号： H01J37/32669 , H01J37/32091 , H05H1/46 , H05H2001/4675
摘要： 本发明涉及一种电容耦合式的等离子体处理装置，其通过在反应腔内设置电场调节元件——“电场透镜”，从而在反应腔内产生与原射频电场方向相反的再生电场，来消减原有射频电场产生的等离子体在基片表面刻蚀速率分布的不均匀性；电场调节元件——“电场透镜”还降低了反应腔体的等效品质因数Q值，从而展宽了射频频带，并防止高压电弧的产生。本发明还提供了一种利用该处理装置进行基片加工的方法。
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公开(公告)号：CN103002649B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201110269393.2
申请日：2011-09-13
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
发明人： 刘忠笃
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32669
摘要： 本发明涉及一种电感耦合式的等离子体处理装置及其基片处理方法，通过设置导磁材料制成的磁力线调整部件，构成一准闭合的低磁阻通路作为磁力线回路在反应腔外流通的路径，所述低磁阻通路将感应磁场的大部分磁力线路径进行规范，以此收集原先发散的大部分磁场能量，从而使反应腔的磁场强度倍增；或者，仅需要比现有更少的能源供给，就能以同样的磁场强度生成处理用的等离子体，提高了能源的利用效率。还显著减少RF电磁泄漏，降低对环境的电磁干扰，减低设备的发热，增加了系统的可靠性与稳定性。磁力线调整部件设置了相对延伸的突出部分与两个磁极相对应，使两个磁极之间的磁力线为均匀线性分布，以改善基片表面的等离子体分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN103510064B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210199548.4
申请日：2012-06-15
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明涉及一种真空处理装置，用于对放置在其中的基片通过金属有机化学气相沉积反应进行加工处理，包括：基座、反应腔室、喷淋头，基座和喷淋头分别位于反应腔室内的下部和上部，喷淋头用于向反应腔室供给金属有机化学气相沉积反应所用的制程气体，基片放置在基座上，该装置还包括一个超声波发生单元，用于在反应腔室中产生超声波，使得制程气体的制程颗粒向下运动，与基片进行反应。采用这种装置不再需要专门的反应腔室清洗工艺，提高了生产效率、节省了开销。
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公开(公告)号：CN202839557U
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201220448808.2
申请日：2012-09-05
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
发明人： 刘忠笃
摘要： 本实用新型公开了一种带显示功能的反应机台，所述反应机台在所述外壁外表面设置一显示装置，用于将反应机台的反应腔内部参数以图案或色彩的方式醒目的显示在显示装置上，使得反应机台的操作人员在较远距离和不同角度都可以直观的观察到反应腔内参数的变化，便于操作人员对反应制程进行跟踪和修改。本实用新型的显示装置作为辅助显示，将反应腔内重要的工艺参数在显示装置上进行显示。同时该反应机台的控制装置还包括一可编辑的输入端口，所述可编辑的输入端口根据用户需求，可以输入不同的显示参数指令，从而可以实现在所述显示装置上自定义显示反应腔内不同参数情况。
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