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公开(公告)号：CN107805797A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610817234.4
申请日：2016-09-09
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC分类号： C23C16/52 , C30B25/16 , C30B28/14 , H01L21/67011
摘要： 本发明涉及一种过温保护装置及方法，适用于MOCVD设备，包含：信息采集装置，采集MOCVD设备的运行参数信息；信号转换装置，与信息采集装置连接，对采集到的MOCVD设备的运行参数信息进行信号转换；实时控制器，与信号转换装置连接，接收转换后的MOCVD设备的运行参数信息，检测其是否满足MOCVD设备的预设运行条件；连锁保护电路，与实时控制器连接，当实时控制器检测到MOCVD设备的当前运行参数不满足预设运行条件时，该连锁保护电路被触发，启动应急保护措施。本发明通过采集MOCVD设备的运行参数信息对于可能发生的温度失控等事故进行准确的预测和判断，及时启动有效的应急保护措施，确保设备不受损伤并且避免人员伤亡。
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公开(公告)号：CN103628046B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210305989.8
申请日：2012-08-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种在化学气相沉积反应器或者外延层生长反应器内调节基片表面温度的控温系统，所述控温系统包括至少两个加热部件，每个加热部件至少连接一个加热电源输出；将预先测得的反应器内的基片表面温度和其他影响温度的参数以及为了实现基片表面温度均匀，加热电源输出的温度调节参数储存在一控制器内，在反应器实际工作时，通过温度测量装置、气体流速测量装置、压力测量装置以及转速控制装置测量反应器内部相应的工艺参数，将测得的工艺参数输入所述控制器内，与预先储存在控制器内的工艺条件参数进行比对，找到相同或最相似的工艺条件下对应的加热电源输出的温度调节参数，从而控制对应加热部件的温度，实现基片表面温度的均匀分布。
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公开(公告)号：CN107806834A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610817235.9
申请日：2016-09-09
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： G01B11/16
摘要： 本发明提供一种多波长光学测量装置及其测量方法，该多波长光学测量装置包含：激光发生组件、光学组件、反射光接收组件、以及控制组件，多波长光学测量装置可以产生两种以上的具有不同波长的激光，不同波长的激光的反射率不会同时小于设定阈值，多波长光学测量装置通过切换不同波长的激光作为入射光源，始终保证当前波长的激光的当前反射率大于设定阈值。本发明利用多种波长的激光交替切换进行光学测量，始终保证正在进行检测的激光的反射率具有较高值，由于确保了不同波长的激光的反射率不会同时接近0，从而确保了在薄膜生长的任何阶段，对翘曲率的测量都是有效的。
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公开(公告)号：CN102534567B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210077039.4
申请日：2012-03-21
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC分类号： F27D19/00 , C23C16/46 , C23C16/52 , F27D21/0014 , F27D21/04 , F27D2019/0025
摘要： 一种控制化学气相沉积腔室内的基底加热的装置及方法，尤其适用于MOCVD反应室。装置包括：位于腔室内的加热器；位于腔室内加热器附近且与加热器相间隔开的托盘，用于承载基底；第一温度控制单元，与承载基底的托盘表面耦接，用于测量该托盘表面温度，基于设定温度和托盘表面温度输出第一控制信号；第二温度控制单元，与第一温度控制单元相连，用于测量托盘和加热器之间区域的中间温度，还用于根据第一控制信号和中间温度输出第二控制信号；加热器，与第二温度控制单元耦接，用于根据第二控制信号进行加热。相应地，本发明还提供一种控制化学气相沉积腔室内的基底加热的方法。本发明可以获得稳定的基底温度。
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公开(公告)号：CN102534567A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210077039.4
申请日：2012-03-21
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC分类号： F27D19/00 , C23C16/46 , C23C16/52 , F27D21/0014 , F27D21/04 , F27D2019/0025
摘要： 一种控制化学气相沉积腔室内的基底加热的装置及方法，尤其适用于MOCVD反应室。装置包括：位于腔室内的加热器；位于腔室内加热器附近且与加热器相间隔开的托盘，用于承载基底；第一温度控制单元，与承载基底的托盘表面耦接，用于测量该托盘表面温度，基于设定温度和托盘表面温度输出第一控制信号；第二温度控制单元，与第一温度控制单元相连，用于测量托盘和加热器之间区域的中间温度，还用于根据第一控制信号和中间温度输出第二控制信号；加热器，与第二温度控制单元耦接，用于根据第二控制信号进行加热。相应地，本发明还提供一种控制化学气相沉积腔室内的基底加热的方法。本发明可以获得稳定的基底温度。
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公开(公告)号：CN107803071A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610812779.6
申请日：2016-09-09
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种排气系统及防止尘粒回流的装置及方法，通过实时监测真空泵的马达转速信号及过滤器上游及下游的气体压力，当测得的马达转速等于或低于设定的第一转速，并且测得的上下游压力的差值达到为当前工艺所设定的阈值时，控制阀门在马达转速下降到第二转速之前关闭。因此，本发明可以在故障导致真空泵马达转速降低或停转之前，先行关闭连通反应腔的排气管路，对尘粒回流进行阻断，有效避免反应腔内核心硬件因回流污染造成的损失。
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公开(公告)号：CN108728828A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710261801.7
申请日：2017-04-20
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： C23C16/46 , C23C16/458 , C30B25/10 , C30B25/12
摘要： 本发明提供CVD设备及其温度控制方法与发热体。其中，用于加热可旋转基片承载盘的发热体至少包括加热功率可独立控制的第一加热丝(S1)与第二加热丝(S2)；所述第一、二加热丝在所述基片承载盘上的加热区域至少部分重叠；所述第一加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿以点(O’)为圆心的半径方向上的分布，与所述第二加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿所述半径方向上的分布不同，其中，所述点(O’)为基片承载盘旋转轴线(OO’)与基片承载盘下表面的交点。
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公开(公告)号：CN103628046A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210305989.8
申请日：2012-08-24
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种在化学气相沉积反应器或者外延层生长反应器内调节基片表面温度的控温系统，所述控温系统包括至少两个加热部件，每个加热部件至少连接一个加热电源输出；将预先测得的反应器内的基片表面温度和其他影响温度的参数以及为了实现基片表面温度均匀，加热电源输出的温度调节参数储存在一控制器内，在反应器实际工作时，通过温度测量装置、气体流速测量装置、压力测量装置以及转速控制装置测量反应器内部相应的工艺参数，将测得的工艺参数输入所述控制器内，与预先储存在控制器内的工艺条件参数进行比对，找到相同或最相似的工艺条件下对应的加热电源输出的温度调节参数，从而控制对应加热部件的温度，实现基片表面温度的均匀分布。
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公开(公告)号：CN206706206U
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201720419213.7
申请日：2017-04-20
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： C23C16/46
摘要： 本实用新型提供用于加热可旋转基片承载盘的发热体及CVD设备。其中，发热体至少包括加热功率可独立控制的第一加热丝(S1)与第二加热丝(S2)；所述第一、二加热丝在所述基片承载盘上的加热区域至少部分重叠；所述第一加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿以点(O’)为圆心的半径方向上的分布，与所述第二加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿所述半径方向上的分布不同，其中，所述点(O’)为基片承载盘旋转轴线(OO’)与基片承载盘下表面的交点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205991846U
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201621055802.3
申请日：2016-09-14
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： G01K1/14
摘要： 本实用新型提供一种MOCVD温度探测器的安装机构，该安装机构包含：探测器支架，其架设在反应腔顶部的腔体盖板上；连接块，其架设在探测器支架上，用于连接温度探测装置；探测器支架包含固定区域和/或滑轨区域；固定区域中连接块与探测器支架固定连接；滑轨区域中设有滑轨，连接块活动设置于滑轨中。本实用新型具有径向导轨定位的灵活安装配置，独立的可调安装孔位设计，可以方便有效地调整各探头安装位置，便于对不同类型的石墨盘和不同尺寸的晶片进行有效的工艺参数测量；具有高精度光学定位机构，精确定位探头及其探测区域的位置，具有定位精度高、重复性好的特点，提高了设备适用性与灵活。
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