公开(公告)号：CN118241309B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410666423.0

申请日：2024-05-28

申请人： 中电晶华(天津)半导体材料有限公司

发明人： 李明达 ,  李杨 ,  薛兵 ,  边娜 ,  李普生 ,  傅颖洁 ,  刘云 ,  刘奇 ,  翟玥

IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种极厚膜硅外延片的制备方法，本发明通过综合设计硅外延片硅外延层所需的氢气流量、生长速率、生长温度等参数，避免了硅外延层厚度为200~230μm的极厚膜硅外延片发生裂片的技术问题，在工艺简单、可批量重复的情况下实现了直径150~200 mm，硅外延层厚度200~230μm的极厚膜硅外延片的制备，满足了超高压大功率器件的使用要求，适用于极厚膜硅外延片的工业批量化生产要求。

公开(公告)号：CN118127623A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410550899.8

申请日：2024-05-07

申请人： 中电晶华(天津)半导体材料有限公司

发明人： 李明达 ,  傅颖洁 ,  刘云 ,  翟玥 ,  刘奇 ,  薛兵 ,  李杨 ,  边娜 ,  李普生

IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种VDMOS器件用重掺衬底N型硅外延片及其制备方法和应用，本发明设计250~300 L/min的大流量载气氢气吹扫反应腔体、1040~1060℃的较低硅外延层生长温度、2.1~2.2μm/min的高速生长厚层高阻硅外延层的方法，在大幅缩减热生长时间的同时，对反应腔体、石墨基座、硅衬底片等各类自掺杂效应现象进行充分抑制，从而实现在厚层高阻硅外延层生长过程中对电阻率均匀性的控制。

公开(公告)号：CN118127623B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410550899.8

申请日：2024-05-07

申请人： 中电晶华(天津)半导体材料有限公司

发明人： 李明达 ,  傅颖洁 ,  刘云 ,  翟玥 ,  刘奇 ,  薛兵 ,  李杨 ,  边娜 ,  李普生

IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种VDMOS器件用重掺衬底N型硅外延片及其制备方法和应用，本发明设计250~300 L/min的大流量载气氢气吹扫反应腔体、1040~1060℃的较低硅外延层生长温度、2.1~2.2μm/min的高速生长厚层高阻硅外延层的方法，在大幅缩减热生长时间的同时，对反应腔体、石墨基座、硅衬底片等各类自掺杂效应现象进行充分抑制，从而实现在厚层高阻硅外延层生长过程中对电阻率均匀性的控制。

公开(公告)号：CN118241309A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410666423.0

申请日：2024-05-28

申请人： 中电晶华(天津)半导体材料有限公司

发明人： 李明达 ,  李杨 ,  薛兵 ,  边娜 ,  李普生 ,  傅颖洁 ,  刘云 ,  刘奇 ,  翟玥

IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了一种极厚膜硅外延片的制备方法，本发明通过综合设计硅外延片硅外延层所需的氢气流量、生长速率、生长温度等参数，避免了硅外延层厚度为200~230μm的极厚膜硅外延片发生裂片的技术问题，在工艺简单、可批量重复的情况下实现了直径150~200 mm，硅外延层厚度200~230μm的极厚膜硅外延片的制备，满足了超高压大功率器件的使用要求，适用于极厚膜硅外延片的工业批量化生产要求。

公开(公告)号：CN116387396A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202210931403.2

申请日：2022-08-04

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所 ,  中电晶华(天津)半导体材料有限公司

发明人： 李明达 ,  傅颖洁 ,  居斌 ,  边娜 ,  刘云 ,  翟玥

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/101 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06

摘要： 本发明涉及一种光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的制备方法，通过在硅衬底片装片前，设计对反应腔体以及石墨基座多次进行氯化氢气体的刻蚀和多晶硅包覆层的循环清洁过程，净化了反应腔体的生长环境，并且通过在硅外延层生长过程中精确调节工艺氢气的流量、三氯氢硅的流量、硅外延层反应生长的温度工艺参数，显著降低硅外延层的生长速率，从而延长薄层硅外延层的反应过程，扩大稳态生长阶段的占比，实现薄层高阻硅外延层的高均匀性分布，最终获得一种硅外延层厚度在1μm量级的薄层高阻硅外延层的制备方法，工艺简单，兼容性强，大大提升生产效率，节省生产成本，适合工业化连续生产，满足光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的生产订单交付要求。