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公开(公告)号：CN110649118B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910821751.2
申请日：2019-09-02
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 , 中节能太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/05
摘要： 本发明公开了一种拼片光伏组件，包括焊带、电池片，焊带划分为中段、两端的头段、以及处于中段与头段之间的过渡段，头段的厚度D1＞中段的厚度D2，过渡段的厚度从D1向D2渐变，焊带以Z字形折弯，其竖向段处于相邻两个电池片的切边之间并与切边贴合，竖向段为中段的一部分，头部的一侧表面与电池片的表面贴合，竖向段上在与切边贴合的部位具有绝缘涂层。本发明通过对焊带结构优化，以及焊带与电池片之间通过绝缘涂层连接优化，实现了焊带与电池片软接触，焊带与电池片焊接、层压过程中涂层完整，焊带与电池片绝缘、无短路，绝缘涂层与铜焊带具有良好的结合性能，从而实现电池片之间的片间隙无限接近于0且具有更高的CTM。
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公开(公告)号：CN110438571A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910747511.2
申请日：2019-08-14
申请人： 中节能太阳能科技有限公司 , 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： C30B33/10 , C30B29/06 , H01L31/0236 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种高效单晶制绒工艺，包括以下步骤：去损伤层、碱制绒、酸制绒、碱洗、酸洗、慢提拉，同时公开了实现这种工艺的设备。本发明的优点是：制绒工艺通过碱制绒与酸制绒结合的方式制作绒面，形成绒面均匀且反射率低的绒面，具有良好的制绒效果；该工艺可操作性强、可靠性高、成本较低，且可提升电池片的电性能和外观，尤其是准单晶制绒方面，独具优势；制绒设备可在传统单晶制绒设备上进行改造，生产效率高、自动化程度高、环保，有效实现制绒工艺过程，为准单晶电池片的生产提供了有效途径。
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公开(公告)号：CN110649118A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910821751.2
申请日：2019-09-02
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 , 中节能太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/05
摘要： 本发明公开了一种拼片光伏组件，包括焊带、电池片，焊带划分为中段、两端的头段、以及处于中段与头段之间的过渡段，头段的厚度D1＞中段的厚度D2，过渡段的厚度从D1向D2渐变，焊带以Z字形折弯，其竖向段处于相邻两个电池片的切边之间并与切边贴合，竖向段为中段的一部分，头部的一侧表面与电池片的表面贴合，竖向段上在与切边贴合的部位具有绝缘涂层。本发明通过对焊带结构优化，以及焊带与电池片之间通过绝缘涂层连接优化，实现了焊带与电池片软接触，焊带与电池片焊接、层压过程中涂层完整，焊带与电池片绝缘、无短路，绝缘涂层与铜焊带具有良好的结合性能，从而实现电池片之间的片间隙无限接近于0且具有更高的CTM。
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公开(公告)号：CN110860803A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911181086.1
申请日：2019-11-27
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 , 中节能太阳能科技有限公司
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/60 , B23K26/073
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池片低损切割方法，对电池片的待切割区域黑化喷涂处理，脉冲激光束以子弹锥形光斑进行切割，子弹锥形的锥角不大于45°、高度与底边半径比1∶1～4∶1、底边直径为20～50μm，光斑热影响区为50～100μm；同时公开了实现这种切割方法的切割装置。本发明通过对电池片的待切割区域黑化喷涂，减少切割时能量损耗，降低热影响区，同时对脉冲激光束光斑调整为子弹锥形，改变光斑形状而最大化降低热影响区，从切割工艺和切割装置双方面改进以实现低损切割。
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公开(公告)号：CN110649128A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910864848.1
申请日：2019-09-12
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 , 中节能太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , B23K26/364
摘要： 本发明公开了一种高效异质结电池片的制备方法，在制备电池片的硅片正面先进行激光预切割，形成切割槽，然后依次进行以下步骤：制绒，在正面和背面形成特定的非晶硅，在正面和背面镀TCO膜，在正面和背面印刷电极，固化，测试分选，得到异质结电池片。本发明通过对制备异质结电池片的硅片首先进行预切割，再进行后续步骤，大幅度降低了电池片在切片过程中由于切割引起的切割损伤和热影响，可降低异质结电池片切割后的效率损失50％以上；硅片在预切割时的切割槽损伤层可在制备电池片的后续制绒和表面钝化等步骤中消除，并可进行充分清洗和钝化，即将预切割的切割槽表面对电池片的效率影响降至最低。
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公开(公告)号：CN210805790U
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201922028470.X
申请日：2019-11-22
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 , 中节能太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/048
摘要： 本实用新型公开了一种基于双功能胶膜的高效太阳能电池组件，组件为前板/第一胶膜层/第二胶膜层/电池片/第三胶膜层/第四胶膜层/背板的叠层结构，第一、四胶膜层为低折光高熔指PVB胶膜，第二、三胶膜层为高折光低熔指PVB胶膜，第一胶膜层的平面尺寸小于前板，第二胶膜层的平面尺寸大于前板，第三胶膜层的平面尺寸大于背板，第四胶膜层的平面尺寸小于背板，电池片的平面尺寸小于第二胶膜层和第三胶膜层，叠层层压后，第二胶膜层的边缘到达前板而包覆住第一胶膜层的边缘，第三胶膜层的边缘到达背板而包覆住第四胶膜层的边缘。通过双侧双层胶膜的组件结构，实现了组件内梯度折射，降低了组件封装损失，保证了组件封装可靠性，缩短了工艺时间。
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公开(公告)号：CN210684001U
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201921319021.4
申请日：2019-08-14
申请人： 中节能太阳能科技有限公司 , 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： C30B33/10 , C30B29/06 , H01L31/0236 , H01L31/18
摘要： 本实用新型公开了一种高效单晶制绒设备，包括按硅片输送方向依次连接的上料装置、超声清洗槽、水槽A、单晶碱制绒槽、水槽B、酸制绒槽、水槽C、酸洗去银槽、水槽D、酸洗修饰槽、水槽E、碱洗槽、水槽F、酸洗槽、水槽G、慢提拉槽、下料装置。本实用新型的优点是：本实用新型的制绒设备为通过碱制绒与酸制绒结合的方式进行制绒的工艺提供了可实现的制绒设备，形成绒面均匀且反射率低的绒面，具有良好的制绒效果，且可提升电池片的电性能和外观，可在传统单晶制绒设备上进行改造，生产效率高、自动化程度高、环保，有效实现制绒工艺过程，为准单晶电池片的生产提供了有效途径。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211428182U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020357746.9
申请日：2020-03-20
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 , 中节能太阳能科技有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/042 , H01L31/054 , H01L31/052
摘要： 本实用新型公开了一种切片电池组件，包括从上到下依次设置的背板层、第一EVA胶膜层、铝箔层、第二EVA胶膜层、电池片层、第三EVA胶膜层以及玻璃层；所述电池片层包括N个并联单元，每个并联单元为多个1/N切太阳能电池片串联组成的串联结构电池串，其中N＝3或4。本实用新型采用并联单元组合一体化设计，较常规整片组件具有更高的功率增益、更加优异的导热效果及更低的工作温度，综合以上结构设计再加上组件内铝箔层的加入，可有效提高组件功率及抗热斑、导热、阻水能力，进一步降低组件的工作温度，提升组件的发电效率和抗老化性能。
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公开(公告)号：CN109616538A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811529707.6
申请日：2018-12-13
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/049 , B32B27/32 , B32B27/08 , B32B7/12 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B33/00
摘要： 本发明涉及一种自修复背板及其制备方法和叠瓦组件，属于太阳能组件技术领域。本发明采用改性耐候型树脂、粘接剂、改性聚烯烃和改性聚乙烯为组分，其中，改性耐候型树脂包括耐候型树脂70～95份、自修复剂0.1～20份和其他助剂10.4～38份。通过一步共挤法一次成型制得自修复背板，该自修复背板在受损产生裂纹时具有自修复功能，可以延长背板的使用寿命。一种叠瓦组件，包括上述自修复背板，具有较长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104037264B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410258261.3
申请日：2014-06-12
申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , C23C16/505
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种PECVD沉积低表面复合太阳电池介电层的方法，将经过清洗制绒、扩散和刻蚀的硅片放入PECVD腔室，抽真空后通入反应气体，加射频起辉低温沉积一层厚度为1~30nm的介电层薄膜；再次抽真空并升高沉积温度，待温度稳定后通入反应气体，加射频起辉高温沉积一层厚度为50~100nm的介电层薄膜。本发明采用分步变温沉积方式，先进行低温沉积同时使用较低的射频电源功率，降低等离子体对硅片表面的轰击作用；再进行高温沉积，同时使用较高的激励源功率，增加氢原子的产生以及其在介电膜和硅的界面处的扩散，此时由于低温沉积层的保护，高能量密度等离子体并不会直接作用在硅片表面，从而实现硅片表面缺陷态密度的降低和氢钝化的增强，降低载流子复合，提升太阳电池电性能。
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