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    一种拼片光伏组件
    1.
    发明授权
    一种拼片光伏组件 有权 转让

    公开(公告)号：CN110649118B

    公开(公告)日：2021-11-19

    申请号：CN201910821751.2

    申请日：2019-09-02

    申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 ,  中节能太阳能科技有限公司

    发明人： 姜亚帅 ,  周肃 ,  庄浩 ,  严勋 ,  黄国平 ,  李菁楠 ,  曹华斌 ,  姜利凯 ,  杨忠绪 ,  勾宪芳

    IPC分类号： H01L31/05

    摘要： 本发明公开了一种拼片光伏组件，包括焊带、电池片，焊带划分为中段、两端的头段、以及处于中段与头段之间的过渡段，头段的厚度D1＞中段的厚度D2，过渡段的厚度从D1向D2渐变，焊带以Z字形折弯，其竖向段处于相邻两个电池片的切边之间并与切边贴合，竖向段为中段的一部分，头部的一侧表面与电池片的表面贴合，竖向段上在与切边贴合的部位具有绝缘涂层。本发明通过对焊带结构优化，以及焊带与电池片之间通过绝缘涂层连接优化，实现了焊带与电池片软接触，焊带与电池片焊接、层压过程中涂层完整，焊带与电池片绝缘、无短路，绝缘涂层与铜焊带具有良好的结合性能，从而实现电池片之间的片间隙无限接近于0且具有更高的CTM。

    一种拼片光伏组件
    2.
    发明公开
    一种拼片光伏组件 有权 转让

    公开(公告)号：CN110649118A

    公开(公告)日：2020-01-03

    申请号：CN201910821751.2

    申请日：2019-09-02

    申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 ,  中节能太阳能科技有限公司

    发明人： 姜亚帅 ,  周肃 ,  庄浩 ,  严勋 ,  黄国平 ,  李菁楠 ,  曹华斌 ,  姜利凯 ,  杨忠绪 ,  勾宪芳

    IPC分类号： H01L31/05

    摘要： 本发明公开了一种拼片光伏组件，包括焊带、电池片，焊带划分为中段、两端的头段、以及处于中段与头段之间的过渡段，头段的厚度D1＞中段的厚度D2，过渡段的厚度从D1向D2渐变，焊带以Z字形折弯，其竖向段处于相邻两个电池片的切边之间并与切边贴合，竖向段为中段的一部分，头部的一侧表面与电池片的表面贴合，竖向段上在与切边贴合的部位具有绝缘涂层。本发明通过对焊带结构优化，以及焊带与电池片之间通过绝缘涂层连接优化，实现了焊带与电池片软接触，焊带与电池片焊接、层压过程中涂层完整，焊带与电池片绝缘、无短路，绝缘涂层与铜焊带具有良好的结合性能，从而实现电池片之间的片间隙无限接近于0且具有更高的CTM。

    一种硅太阳能电池及其制备方法
    4.
    发明授权
    一种硅太阳能电池及其制备方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102157624B

    公开(公告)日：2013-01-02

    申请号：CN201110060830.X

    申请日：2011-03-14

    申请人： 中节能太阳能科技有限公司 ,  中节能太阳能科技(镇江)有限公司

    发明人： 勾宪芳 ,  曹华斌 ,  姜利凯 ,  王鹏 ,  宋爽

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明涉及一种硅太阳能电池及其制备方法，其步骤如下：(1)将硅片进行湿式化学清洗后烘干；(2)将硅片进行单面磷源扩散；(3)将硅片放入氧化炉内，形成氧化层；(4)对硅片正面进行第一次光刻；(5)去掉硅片光刻图形部分的氧化层；(6)在硅片的扩散面甩胶保护，再腐蚀其背面氧化层；(7)将硅片进行单面磷源重新局部扩散；(8)去除硅片背面的氧化层；(9)对硅片背面蒸镀Ti/Pd/Ag电极，然后退火；(10)先对硅片背面甩胶保护，再将去除硅片背面的光刻胶；(11)利用磁控溅射设备对硅片正面蒸镀氧化铟锡膜；(12)对硅片正面进行第二次光刻；(13)对硅片正面进行第三次光刻；(14)去除硅片正面的光刻，退火。本发明能有效地提高电池转换效率。本发明可以广泛应用在太阳能电池领域中。

    一种硅太阳能电池及其制备方法
    5.
    发明公开
    一种硅太阳能电池及其制备方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102157624A

    公开(公告)日：2011-08-17

    申请号：CN201110060830.X

    申请日：2011-03-14

    申请人： 中节能太阳能科技有限公司 ,  中节能太阳能科技(镇江)有限公司

    发明人： 勾宪芳 ,  曹华斌 ,  姜利凯 ,  王鹏 ,  宋爽

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明涉及一种硅太阳能电池及其制备方法，其步骤如下：(1)将硅片进行湿式化学清洗后烘干；(2)将硅片进行单面磷源扩散；(3)将硅片放入氧化炉内，形成氧化层；(4)对硅片正面进行第一次光刻；(5)去掉硅片光刻图形部分的氧化层；(6)在硅片的扩散面甩胶保护，再腐蚀其背面氧化层；(7)将硅片进行单面磷源重新局部扩散；(8)去除硅片背面的氧化层；(9)对硅片背面蒸镀Ti/Pd/Ag电极，然后退火；(10)先对硅片背面甩胶保护，再将去除硅片背面的光刻胶；(11)利用磁控溅射设备对硅片正面蒸镀氧化铟锡膜；(12)对硅片正面进行第二次光刻；(13)对硅片正面进行第三次光刻；(14)去除硅片正面的光刻，退火。本发明能有效地提高电池转换效率。本发明可以广泛应用在太阳能电池领域中。

    一种PECVD石墨舟载具的制造方法
    10.
    发明公开
    一种PECVD石墨舟载具的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN110760822A

    公开(公告)日：2020-02-07

    申请号：CN201911220599.9

    申请日：2019-12-03

    申请人： 中节能太阳能科技(镇江)有限公司

    发明人： 邱家梁 ,  黄惜惜 ,  周肃 ,  贾佳 ,  黄国平 ,  李菁楠 ,  曹华斌 ,  张会学 ,  姜利凯 ,  杨忠绪

    IPC分类号： C23C16/458

    摘要： 本发明公开了一种PECVD石墨舟载具的制造方法，将浸渍浆料均匀涂覆在石墨舟半成品零件的表面上，放入具有保护气氛的反应炉中进行高温裂解反应，浸渍浆料在石墨舟半成品零件的表面上形成碳化硅膜层，得到石墨舟成品零件再组装成石墨舟。添加硅粉的聚碳硅烷浸渍浆料在石墨舟半成品零件的碳材料表面高温裂解，通过硅-碳相互作用在碳材料表面原位生长形成一层碳化硅膜层，在疏松多孔的碳材料表面形成一层致密稳定的保护层，耐高温、氧化、冷热冲击，在石墨舟生产过程中能提高其使用寿命，减少石墨舟维护时间以及成本，降低企业生产成本。