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公开(公告)号：CN107680932B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201610620762.0
申请日：2016-08-01
发明人： 周鸣
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/52
摘要： 本发明公开了一种互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的第一电介质层；和在所述衬底上贯穿所述第一电介质层的金属互连线；去除金属互连线两侧的第一电介质层以形成凹陷；在金属互连线暴露的表面上形成石墨烯层；沉积第二电介质层以填充所述凹陷并覆盖所述石墨烯层。本发明能够阻挡金属互连线中的金属向电介质层扩散。
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公开(公告)号：CN112993151A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911215888.X
申请日：2019-12-02
发明人： 周鸣
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成底部铁磁结构；在所述底部铁磁结构上形成缓冲材料层和非磁绝缘层；在所述非磁绝缘层上形成顶部铁磁结构。本发明实施例所提供的半导体结构的形成方法中，底部铁磁结构和顶部铁磁结构的材料通常均包括FeCoB，缓冲材料层能够阻挡底部铁磁结构中的B离子扩散至非磁绝缘层中，缓冲材料层能够阻挡顶部铁磁结构中的B离子扩散至非磁绝缘层中，非磁绝缘层不易受到B离子的影响，具有较高的磁阻比，后续对底部铁磁结构、缓冲材料层、非磁绝缘层和顶部铁磁结构图形化后形成多个磁隧道结单元，使得磁隧道结单元的隧道磁阻效应较强。
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公开(公告)号：CN107968046B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201610915624.5
申请日：2016-10-20
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/8232
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成倒梯形的光刻胶图案；对所述光刻胶图案进行各向同性蚀刻，以使所述光刻胶图案的侧壁与所述半导体衬底的表面垂直；进行各向异性蚀刻，以蚀刻去除所述光刻胶图案侧壁外侧的所述阻挡层；在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隙壁；去除所述光刻胶图案和所述阻挡层。根据本发明的制造方法，优化了目标图案的轮廓，提高了目标图案的关键尺寸(CD)的均匀性，且该方法成本低，在线控制容易，进而提高了器件的良率和性能。
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公开(公告)号：CN107564818B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201610512145.9
申请日：2016-07-01
发明人： 周鸣
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；以及在所述衬底上的半导体鳍片和在所述半导体鳍片侧面的凹陷；形成覆盖所述半导体鳍片的催化材料层；在所述凹陷的下部形成隔离区，所述隔离区覆盖半导体鳍片的下部的催化材料层；在半导体鳍片的上部的催化材料层上形成石墨烯纳米带；在所述石墨烯纳米带上形成栅极结构。本发明能够提高载流子的迁移率。
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公开(公告)号：CN108231659B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201611156276.4
申请日：2016-12-15
发明人： 周鸣
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
摘要： 本发明公开了一种互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供在金属互连层上的电介质层；在所述电介质层上沉积碳氟化合物层；在所述碳氟化合物层上形成图案化的硬掩模层；以所述硬掩模层为掩模刻蚀所述碳氟化合物层和所述电介质层，以形成到所述电介质层中的沟槽和到所述金属互连层的通孔；沉积金属以填充所述沟槽和所述通孔；执行平坦化工艺，以使得剩余的金属和剩余的碳氟化合物层基本齐平。本发明能够提高互连结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN105244257B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201410323130.9
申请日：2014-07-08
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 周鸣
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/00
摘要： 本发明公开改善多孔低k薄膜的突起缺陷的方法。根据本发明的一个方面，提出一种处理半导体晶片的方法，包括：在半导体基片上沉积电介质薄膜；对经沉积的电介质薄膜进行UV固化，得到多孔低k薄膜；以及处理所述多孔低k薄膜的表面，形成致密薄膜。根据本发明，处理所述多孔低k薄膜的表面的步骤可包括：对多孔低k薄膜的表面施加SiH4或DEMS浸渍处理；以及对所述多孔低k薄膜的表面施加He等离子体处理。
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公开(公告)号：CN107369645B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201610319283.5
申请日：2016-05-13
发明人： 周鸣
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02
摘要： 一种半导体结构的形成方法，本发明通过在第一开口中形成保护层，保护层露出第一开口侧壁与基底表面连接处的导电结构；之后通过使部分导电结构氧化，使位于第一开口侧壁与基底表面连接处的导电结构被氧化；再去除被氧化的导电结构，能够去除位于导电结构上的凸起结构。也就是说，本发明技术方案能够通过去除被氧化的导电结构，去除导电结构上，且位于第一开口侧壁与基底表面连接处的凸起结构，从而能够增大第二开口的尺寸，能够减少填充第二开口时空腔的形成，能够有效的改善导电材料的填充效果，提高所形成互连结构的电连接性能，改善所形成半导体结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN107275279B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201610216906.6
申请日：2016-04-08
发明人： 周鸣
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括金属层和围绕所述金属层的介质层，所述衬底表面暴露出金属层的表面以及介质层表面；在所述金属层表面形成石墨烯层、在介质层表面形成无定形碳层；对所述石墨烯层进行氟离子掺杂，形成掺氟石墨烯层；在所述无定形碳层和掺氟石墨烯层表面形成粘附层。上述方法有利于提高所述半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN107492506B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201610407471.3
申请日：2016-06-12
发明人： 周鸣
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
摘要： 一种半导体结构及形成方法，其中形成方法包括：形成衬底，所述衬底内具有前层待连接件；形成覆盖所述前层待连接件的第一帽层；形成位于所述第一帽层上的介质叠层；在所述介质叠层和所述第一帽层内形成开口，所述开口底部露出所述前层待连接件；向所述开口内填充导电材料，形成互连结构；使所述第一帽层与所述前层待连接件反应，形成强化层。本发明通过在介质叠层与前层待连接件之间形成第一帽层；并在形成互连结构时使所述第一帽层与所述前层待连接件相互反应形成强化层。所述强化层的形成，能够提高所述前层待连接件与介质叠层的连接强度，从而能够改善所形成互连结构的电迁移问题，提高所形成互连结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN106298637B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201510293278.7
申请日：2015-06-01
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/02074 , H01L21/76849 , H01L21/76867 , H01L21/76883 , H01L23/5329
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有介质层；在所述介质层中形成开口，开口底部暴露出所述半导体基底表面；形成填充满开口的金属层，且金属层还覆盖于介质层顶部表面；研磨去除高于介质层顶部表面的金属层，且研磨后的金属层顶部表面形成有金属氧化物层；去除金属氧化物层；在研磨后的金属层表面形成金属阻挡层，且金属阻挡层的厚度均匀性大于金属氧化物层的厚度均匀性，金属阻挡层的致密度大于金属氧化物层的致密度；向金属阻挡层表面通入硅源气体，将金属阻挡层转化为金属帽层。本发明在改善半导体结构抗电迁移能力的同时，避免金属层的电阻率升高，从而提高半导体结构的电学性能。
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