公开(公告)号：CN101777558B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200910045238.5

申请日：2009-01-13

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 徐丹 ,  杨中辉 ,  刘经国 ,  孙士祯

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8229 ,  H01L21/762

摘要： 本发明揭露了一种半导体存储器及其制造方法，该半导体存储器的存储单元区包括多条相互正交的位线与字线，位线为形成于半导体衬底中的埋设层，字线为形成于半导体衬底上的栅极阵列，且按照字线将存储单元区划分为多个区域，每个区域具有相同数量的字线，且相邻区域之间具有预留区，其中所述多个区域内的存储单元之间形成有浅沟槽隔离结构。相对于现有Field-less型半导体存储器，存储单元之间利用浅沟槽隔离结构来实现隔离，无需专门进行APT注入，避免了APT注入对阈值电压的影响，且节省了APT注入所需的掩膜，简化了工艺流程。同时，在各个预留区内，浅沟槽隔离结构以自对准的方式形成，便于隔离物质的填充，缓解了空隙的出现和其形状趋于卵形的情况。

公开(公告)号：CN101740327A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810202702.2

申请日：2008-11-13

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 顾中祥 ,  李俊 ,  庄晓辉 ,  徐丹

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/266

摘要： 本发明提供了一种减少应力的芯片制造方法，包括如下步骤：在衬底上生长浅沟道隔离基体，在所述浅沟道隔离基体上生长栅极；在上述芯片表面上共漏极区和栅极区涂上光刻胶；在芯片表面上未涂光刻胶区进行刻蚀；在刻蚀部位注入离子；去除芯片表面上共漏极区和栅极区的光刻胶；清洗芯片表面上共漏极区和栅极区的光刻胶。其中去除光刻胶的步骤具体为：湿法去除芯片表面上共漏极区和栅极区的部分刻胶；干法去除芯片表面上共漏极区和栅极区的剩余刻胶。本发明在去除光刻胶时，先进行湿法去除部分光刻胶，然后再采用干法去除剩余光刻胶，有效避免了干法工艺中由于所述光刻胶硬化而产生的应力，从而有效克服了电路的失效问题，提高生产良率和产品的品质。

公开(公告)号：CN100468704C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200610119053.0

申请日：2006-12-04

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 徐丹 ,  仇圣棻 ,  孙鹏

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/768

摘要： 一种SONOS快闪存储器的制作方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次具有介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构、第一多晶硅层以及腐蚀阻挡层；沿位线方向依次刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构；进行离子注入，在半导体衬底内形成源极和漏极后，沿字线方向进行刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构，形成多晶硅栅极结构阵列；形成覆盖多晶硅栅极结构阵列的介电层；去除腐蚀阻挡层；形成将多晶硅栅极结构沿字线方向连接的多晶硅层。本方法避免在介电层的侧壁以及介电层之间产生多晶硅残留，防止漏电流发生。

公开(公告)号：CN101740327B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810202702.2

申请日：2008-11-13

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 顾中祥 ,  李俊 ,  庄晓辉 ,  徐丹

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/266

摘要： 本发明提供了一种减少应力的芯片制造方法，包括如下步骤：在衬底上生长浅沟道隔离基体，在所述浅沟道隔离基体上生长栅极；在上述芯片表面上共漏极区和栅极区涂上光刻胶；在芯片表面上未涂光刻胶区进行刻蚀；在刻蚀部位注入离子；去除芯片表面上共漏极区和栅极区的光刻胶；清洗芯片表面上共漏极区和栅极区的光刻胶。其中去除光刻胶的步骤具体为：湿法去除芯片表面上共漏极区和栅极区的部分刻胶；干法去除芯片表面上共漏极区和栅极区的剩余刻胶。本发明在去除光刻胶时，先进行湿法去除部分光刻胶，然后再采用干法去除剩余光刻胶，有效避免了干法工艺中由于所述光刻胶硬化而产生的应力，从而有效克服了电路的失效问题，提高生产良率和产品的品质。

公开(公告)号：CN101777558A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200910045238.5

申请日：2009-01-13

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 徐丹 ,  杨中辉 ,  刘经国 ,  孙士祯

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8229 ,  H01L21/762

摘要： 本发明揭露了一种半导体存储器及其制造方法，该半导体存储器的存储单元区包括多条相互正交的位线与字线，位线为形成于半导体衬底中的埋设层，字线为形成于半导体衬底上的栅极阵列，且按照字线将存储单元区划分为多个区域，每个区域具有相同数量的字线，且相邻区域之间具有预留区，其中所述多个区域内的存储单元之间形成有浅沟槽隔离结构。相对于现有Field-less型半导体存储器，存储单元之间利用浅沟槽隔离结构来实现隔离，无需专门进行APT注入，避免了APT注入对阈值电压的影响，且节省了APT注入所需的掩膜，简化了工艺流程。同时，在各个预留区内，浅沟槽隔离结构以自对准的方式形成，便于隔离物质的填充，缓解了空隙的出现和其形状趋于卵形的情况。

公开(公告)号：CN101777515A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200910045243.6

申请日：2009-01-13

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 徐丹 ,  杨中辉 ,  刘经国 ,  孙士祯

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/027

摘要： 本发明揭露了一种半导体存储器的制造方法，包括：提供具有存储单元区和周边电路区的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极物质层；在所述栅极物质层上形成第一掩膜，该第一掩膜遮挡周边电路区并在存储单元区定义出栅极阵列；以所述第一掩膜为阻挡层，刻蚀形成栅极阵列；以所述第一掩膜为阻挡层，进行防穿透(APT)注入。可见，其不同于现有技术利用栅极阵列作为APT注入的阻挡层，而是保留定义存储单元区栅极阵列的掩膜，作为APT注入的阻挡层，以减少栅极阵列的厚度与APT注入的关联程度，从而根据存储单元其他性能要求来降低栅极阵列的厚度，进而提高半导体存储器的集成度。

公开(公告)号：CN101246856A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200710037672.X

申请日：2007-02-13

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 徐丹 ,  蔡信裕 ,  仇圣棻 ,  孙鹏

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/768

摘要： 一种SONOS快闪存储器的制作方法，包括：提供依次具有介质层－捕获电荷层－介质层的三层堆叠结构、第一多晶硅层以及腐蚀阻挡层的半导体衬底；沿位线方向依次刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层－捕获电荷层－介质层的三层堆叠结构，直至暴露出半导体衬底，形成开口；通过开口在半导体衬底内形成源极和漏极；在开口内以及腐蚀阻挡层上形成介电层，并进行平坦化处理直至曝露出腐蚀阻挡层；去除腐蚀阻挡层；在第一多晶硅层以及介电层表面形成第二多晶硅层，沿字线方向刻蚀第二多晶硅层，直至暴露介电层；进行10至20秒的快速热退火。本方法去除在介电层的侧壁以及第一多晶硅层之间产生多晶硅残留，防止漏电流发生。

公开(公告)号：CN101197327A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200610119053.0

申请日：2006-12-04

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 徐丹 ,  仇圣棻 ,  孙鹏

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/768

摘要： 一种SONOS快闪存储器的制作方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次具有介质层－捕获电荷层－介质层的三层堆叠结构、第一多晶硅层以及腐蚀阻挡层；沿位线方向依次刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层－捕获电荷层－介质层的三层堆叠结构；进行离子注入，在半导体衬底内形成源极和漏极后，沿字线方向进行刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层－捕获电荷层－介质层的三层堆叠结构，形成多晶硅栅极结构阵列；形成覆盖多晶硅栅极结构阵列的介电层；去除腐蚀阻挡层；形成将多晶硅栅极结构沿字线方向连接的多晶硅层。本方法避免在介电层的侧壁以及介电层之间产生多晶硅残留，防止漏电流发生。

公开(公告)号：CN101246856B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200710037672.X

申请日：2007-02-13

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 徐丹 ,  蔡信裕 ,  仇圣棻 ,  孙鹏

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/768

摘要： 一种SONOS快闪存储器的制作方法，包括：提供依次具有介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构、第一多晶硅层以及腐蚀阻挡层的半导体衬底；沿位线方向依次刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构，直至暴露出半导体衬底，形成开口；通过开口在半导体衬底内形成源极和漏极；在开口内以及腐蚀阻挡层上形成介电层，并进行平坦化处理直至曝露出腐蚀阻挡层；去除腐蚀阻挡层；在第一多晶硅层以及介电层表面形成第二多晶硅层，沿字线方向刻蚀第二多晶硅层，直至暴露介电层；进行10至20秒的快速热退火。本方法去除在介电层的侧壁以及第一多晶硅层之间产生多晶硅残留，防止漏电流发生。

公开(公告)号：CN100517657C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710126597.4

申请日：2007-06-22

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 颜进甫 ,  徐丹 ,  孙士祯 ,  孙智江

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/768

摘要： 一种SONOS快闪存储器的制作方法，包括下列步骤：提供硅衬底，所述半导体衬底上依次包含氧化硅-氮化硅-氧化硅层、第一多晶硅层以及第一硬掩膜层；沿位线方向蚀刻第一硬掩膜层至露出第一多晶硅层；沿字线方向蚀刻第一硬掩膜层至露出第一多晶硅层；以第一硬掩膜层为阻挡层，蚀刻第一多晶硅层和氧化硅-氮化硅-氧化硅层至露出硅衬底，形成多晶硅栅极结构阵列。本方法避免在介电层的侧壁产生多晶硅残留，避免了不同存储单元之间产生短路。