公开(公告)号：CN117038650A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202210468722.4

申请日：2022-04-29

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王晓东 ,  吴轶超 ,  钱蔚宏 ,  王西宁 ,  王晓林

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的底层金属结构；位于底层金属结构上的第一介质层；位于底层金属结构上的第一开口结构，第一开口结构包括第一凹槽和位于第一凹槽顶部的第二凹槽，第一凹槽在衬底上的投影位于第二凹槽在衬底上的投影范围内；位于底层金属结构上第一介质层内的第二开口结构，第二开口结构包括第三凹槽和位于第三凹槽顶部的第四凹槽，第三凹槽在衬底上的投影位于第四凹槽在衬底上的投影范围内，第三凹槽暴露出底层金属结构顶部表面，第一凹槽的深度小于第三凹槽的深度；位于第一凹槽内的第一插塞结构；位于第三凹槽内的第二插塞结构；位于第二凹槽内和第四凹槽内的第一金属结构。所述结构的电容增大。

公开(公告)号：CN118795735A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310390612.5

申请日：2023-04-12

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 柏耸 ,  张高颖 ,  何弦 ,  蔡哲炜 ,  王晓林 ,  徐爱群 ,  朱占魁

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 一种套刻精度的检测方法及其检测结构，其中检测方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一膜层，第一膜层内具有若干组第一测试部；在第一膜层上形成第二膜层，第二膜层内具有若干组第二测试部，一组第一测试部和对应的一组第二测试部构成一组测试组，不同的测试组之间的设计套刻偏差值不同；采用第一光学信号对各测试组进行检测，第一光学信号转变为第二光学信号；根据转变为第二光学信号对应的测试组的设计套刻偏差值，获取实际套刻偏差值。在此检测过程中利用的是客观的物理表征特性，降低了外部因素造成的影响，提升了套刻精度的准确性。另外，由于光学检测具有较强的穿透性，在形成所述第二膜层之后即可进行检测，有效缩短的检测周期。