公开(公告)号：CN103887132B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201210559934.X

申请日：2012-12-20

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 单易飞 ,  邬璐磊 ,  董春荣

IPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/082

摘要： 一种注入装置的离子源和离子注入方法，其中所述离子源，包括：起弧腔，所述起弧腔用于容纳等离子体；灯丝，位于起弧腔的侧壁上，用于产生热电子，使通入起弧腔的离子源气体离子化为等离子体；反射极，位于起弧腔的与灯丝相对的侧壁上，用于反射灯丝产生的热电子；狭缝，位于起弧腔的顶部，作为等离子体的出口；源气体通入口，位于起弧腔的反射极和灯丝之间的侧壁上，用于通入离子源气体；清洁气体通入口，位于起弧腔的源气体通入口同侧的侧壁上，用于通入惰性清洁气体。提高了离子源的使用寿命。

公开(公告)号：CN103887132A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210559934.X

申请日：2012-12-20

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 单易飞 ,  邬璐磊 ,  董春荣

IPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/082

摘要： 一种注入装置的离子源和离子注入方法，其中所述离子源，包括：起弧腔，所述起弧腔用于容纳等离子体；灯丝，位于起弧腔的侧壁上，用于产生热电子，使通入起弧腔的离子源气体离子化为等离子体；反射极，位于起弧腔的与灯丝相对的侧壁上，用于反射灯丝产生的热电子；狭缝，位于起弧腔的顶部，作为等离子体的出口；源气体通入口，位于起弧腔的反射极和灯丝之间的侧壁上，用于通入离子源气体；清洁气体通入口，位于起弧腔的源气体通入口同侧的侧壁上，用于通入惰性清洁气体。提高了离子源的使用寿命。

公开(公告)号：CN202208758U

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201120314317.4

申请日：2011-08-25

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 单易飞 ,  陈中林 ,  邬璐磊 ,  董春荣

IPC分类号： C23C14/48 ,  H05B3/02

摘要： 本实用新型涉及一种加热装置，包括：加热容器，其顶端设置有喷嘴；加热丝，设置于所述加热容器的侧壁外表面上；通气管路，设置于所述加热丝外表面上，所述通气管路尾端穿过所述加热容器的侧壁，所述通气管路尾端的出气口位于所述加热容器内。所述加热装置有效提高了受热物受热形成气态离子源供应的效率，进而提高离子束的形成效率。