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    离子注入装置
    1.
    发明公开
    离子注入装置 有权

    公开(公告)号：CN107078005A

    公开(公告)日：2017-08-18

    申请号：CN201480082170.7

    申请日：2014-09-25

    申请人： 三菱电机株式会社

    发明人： 绫淳

    IPC分类号： H01J27/08 ,  H01J37/317

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/18 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08

    摘要： 目的在于得到能够缩短固体材料的升华温度稳定化时间而提高工作效率的离子注入装置。离子注入装置具有：真空分隔壁(1)，其内部保持为真空；固体填充容器(3)，其整体配置于所述真空分隔壁(1)的内部，填充有固体材料(8)；加热器(7)，其使在所述固体填充容器(3)中填充的所述固体材料(8)升华而生成原料气体(9)；电弧室(6)，其将所述原料气体(9)离子化而作为离子束(11)射出；气体供给喷嘴(10)，其将所述原料气体(9)从所述固体填充容器(3)引导至所述电弧室(6)；以及支撑件(4)，其将所述固体填充容器(3)支撑固定于所述真空分隔壁(1)，所述支撑件(4)与所述真空分隔壁(1)及所述固体填充容器(3)相比导热性低。

    一种沿面触发结构及其构成的真空弧离子源
    3.
    发明公开
    一种沿面触发结构及其构成的真空弧离子源 失效

    公开(公告)号：CN106356269A

    公开(公告)日：2017-01-25

    申请号：CN201610984994.4

    申请日：2016-11-09

    申请人： 中国工程物理研究院流体物理研究所

    发明人： 董攀 ,  龙继东 ,  王韬 ,  李杰 ,  陈伟 ,  蓝朝晖 ,  杨振 ,  郑乐 ,  李喜 ,  陈德彪 ,  刘飞翔 ,  李晨

    IPC分类号： H01J27/02 ,  H01J27/08

    CPC分类号： H01J27/022 ,  H01J27/08

    摘要： 本发明公开了一种沿面触发结构，包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源，其中，触发绝缘块水平设置且其上端面为平面，触发极为圆环状，触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发极中央，阴极下端与触发电源负极连接。触发极馈电杆穿过触发绝缘块且其上端与触发极连接，触发极馈电杆下端与触发电源正极连接，触发绝缘块上端面位于阴极与触发极之间的区域涂覆有金属薄膜。本发明还公开了上述沿面触发结构构成的真空弧离子源。本发明整体结构简单，便于实现，成本低，且应用时能提升触发放电的可靠性和离子源稳定性，便于推广应用。

    离子发生装置
    5.
    发明公开
    离子发生装置 有权

    公开(公告)号：CN104115351A

    公开(公告)日：2014-10-22

    申请号：CN201380009266.6

    申请日：2013-03-21

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 转法轮德子 ,  汤川正吾 ,  北平真人 ,  原田茂幸

    IPC分类号： H01T23/00 ,  A61L9/22 ,  H01T19/04

    CPC分类号： H01J27/08 ,  A61L9/22 ,  H01T23/00

    摘要： 用于产生离子的放电电极(5)和对放电电极(5)提供高电压的高电压发生电路部(2)收纳于壳体(3)。壳体(3)形成有用于释放产生的离子的释放口(12)，壳体(3)被外壳(15)覆盖，外壳(15)连接到高电压发生电路部(2)而作为感应电极发挥功能。外壳(15)形成有与释放口(12)相通的通过口(33)。绝缘片(36)覆盖与离子释放到的空间相对的外壳(15)的通过口(33)的周边，以使得所释放的离子不附着于外壳(15)。能将放电电极(5)的周边的部件用作感应电极，并且能实现防止离子释放量减少。

    用于离子注入器的离子源
    7.
    发明授权
    用于离子注入器的离子源 有权

    公开(公告)号：CN101167154B

    公开(公告)日：2010-10-13

    申请号：CN200680003793.6

    申请日：2006-01-31

    申请人： 艾克塞利斯技术公司

    发明人： K·贝克 ,  W·贝尔 ,  K·佩特利

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08

    CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J37/3171

    摘要： 提供了一种离子注入器，其包括源、工件支撑、和将离子从源传送到离子注入弧光室的传输系统，其中离子注入弧光室包括工件支撑。离子源具有弧光室，用于将引导至弧光室内的源材料离子化，弧光室限定有出口孔洞，以将离子引导至传输系统，弧光室包括弧光室凸缘，其与弧光室相连，并包括第一表面，第一表面限定了从源接受气体的气体入口，还限定了通向弧光室内的气体出口。弧光室支撑包括支撑凸缘，凸缘具有顺应表面，此顺应表面在气体入口区域与弧光室凸缘的第一表面密封接合，弧光室支撑还包括与气体入口对准的贯穿通道。气体供应管线将气体从气体源通过支撑凸缘的贯穿通道，引导至弧光室凸缘的气体入口内。

    离子源及用于离子源的蒸发器
    9.
    发明授权
    离子源及用于离子源的蒸发器 失效

    公开(公告)号：CN1227709C

    公开(公告)日：2005-11-16

    申请号：CN99105339.7

    申请日：1999-04-30

    申请人： 艾克塞利斯技术公司

    发明人： T·N·霍斯基

    IPC分类号： H01J37/08 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22 ,  C23C14/48

    CPC分类号： H01L21/2658 ,  H01J27/08

    摘要： 一种用于离子注入装置的离子源(50)，它包括：(i)一个升华装置(52)，它有一腔室(66)，用来容纳被升华的源材料(68)并使此源材料升华，其中所述源材料是一种分子固体，它有1.333Pa到133.32kPa(10-2到103乇)之间的蒸汽压和20℃到150℃之间的升华温度；(ii)一电离腔室(58)，用来把升华了的源材料电离，所述电离腔室与所述升华装置分开地设置，并且与所述升华装置热绝缘；(iii)一送料管(62)，用来把所述升华装置(52)连接到所述电离腔室(58)上；(iv)一加热介质(70)，用来加热所述升华装置(52)和所述送料管(62)的至少一部分：以及一控制机构，用来控制加热介质(70)的温度。

    具有改进的蒸气流的十硼烷汽化器
    10.
    发明公开
    具有改进的蒸气流的十硼烷汽化器 无效

    公开(公告)号：CN1541401A

    公开(公告)日：2004-10-27

    申请号：CN02815643.9

    申请日：2002-08-07

    申请人： 艾克塞利斯技术公司

    发明人： A·佩雷尔 ,  B·范德伯格

    IPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/317

    CPC分类号： H01J27/08

    摘要： 提供用于离子注入器的离子源，包括：(i)升华器(52)，它具有接收要升华的源材料(68)和升华所述源材料的腔室(66)；(ii)气体注入器(104)，其向腔室(66)注入气体；(iii)离子化室(58)，其用于离子化升华的源材料，所述离子化室远离所述升华器；供给管(62)，其用于将升华器(52)连接到离子化室(58)。向腔室注入的气体可以是氦或氢，用于改善在升华器(52)的壁(64)和源材料(68)之间的传热能力。