公开(公告)号：CN104380425B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201380033434.5

申请日：2013-05-24

申请人： FEI 公司

发明人： G.A.施温德 ,  N.W.帕克

IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/22 ,  H01J37/08

CPC分类号： H01J37/21 ,  H01J27/205 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/31749

摘要： 具有气体腔室的高亮度离子源包括多个通道，其中，多个通道各自具有不同的气体。使电子射束穿过通道之一以提供某些种类的离子用于处理样本。能够通过将电子引导到具有不同的气体种类的另一个通道中并且利用第二种类的离子处理样本来快速地改变离子种类。偏转板用于将电子射束对准到气体腔室中，借此允许快速地切换聚焦离子射束中的气体种类。

公开(公告)号：CN104380425A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380033434.5

申请日：2013-05-24

申请人： FEI公司

发明人： G.A.施温德 ,  N.W.帕克

IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/22 ,  H01J37/08

CPC分类号： H01J37/21 ,  H01J27/205 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/31749

摘要： 具有气体腔室的高亮度离子源包括多个通道，其中，多个通道各自具有不同的气体。使电子射束穿过通道之一以提供某些种类的离子用于处理样本。能够通过将电子引导到具有不同的气体种类的另一个通道中并且利用第二种类的离子处理样本来快速地改变离子种类。偏转板用于将电子射束对准到气体腔室中，借此允许快速地切换聚焦离子射束中的气体种类。

公开(公告)号：CN101449354B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200780018052.X

申请日：2007-05-17

申请人： 艾克塞利斯科技公司

发明人： 宝·梵德伯格 ,  维特·班威尼斯特 ,  约翰·法龙 ,  艾亚·波奇杜夫

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J27/08

CPC分类号： H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/304 ,  H01J37/32467 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/31701

摘要： 本发明公开了一种用于产生离子流的示例性离子源，所述离子源具有至少部分地界定电弧室的离子化区的铝合金电弧室主体。电弧室主体和热丝状体电弧室壳体一起使用，所述热丝状体电弧室壳体或者直接或者间接地将阴极加热到足够的温度，以使电子流动通过电弧室的离子化区。温度传感器监测电弧室内的温度，并提供与感测的温度相关的信号。当传感器进行测量时控制器监测感测的温度，并调节温度以将感测的温度保持在一范围内。

公开(公告)号：CN101960553A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980108024.6

申请日：2009-03-04

申请人： 三井造船株式会社

发明人： 辻康之

IPC分类号： H01J27/08 ,  H01J27/14

CPC分类号： H01J27/14 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/16

摘要： 本发明的离子源(1)具有：等离子体容器(10)；和一对热电子释放元件(12、14)，该一对热电子释放元件在等离子体容器(10)的内部空间中释放热电子；和电源，其使电流各流入至热电子释放元件(12、14)。曝露于等离子体容器(10)内的等离子体的内壁面，和热电子释放元件(12、14)的曝露于等离子体且释放热电子的部分，是以相同金属为主成分的材料所构成。因此，在离子源(1)在运转中，在热电子释放元件(12、14)的表面附着的堆积层的成分和热电子释放元件(12、14)的材料是同一成分，据此，能够释放稳定的热电子，同时，使至交换热电子释放元件(12、14)的离子源(1)的运转时间变长。

公开(公告)号：CN101026080A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710006000.2

申请日：2007-02-25

申请人： FEI公司

发明人： P·克鲁特 ,  V·N·唐达雷

IPC分类号： H01J49/14 ,  H01J37/08 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01J27/205 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/082

摘要： 一种具有高亮度和低能量散度的电子撞击气体离子。通过从一侧将电子注入较小的离子化体积空间(尺寸从小于1μm到几十微米)且从另一侧抽出离子而实现该高亮度。通过高亮度电子源如场致发射器或肖特基发射器产生被注射的电子。在一个实施例中，在源与离子化体积空间之间没有光学器件的情况下，通过将场致发射器接近所述离子化体积空间(如30μm)放置而在所述离子化体积空间中实现所需高电子密度。在另一个实施例中，所述源被成像到微电子机械系统结构上。两个例如50nm的小光阑被隔开例如1μm。电子通过这些光阑中的一个进入，而离子通过另一个光阑离开所述离子化体积空间。例如通过用离子束钻孔制造所述两个光阑，从而导致形成两个小的且适当对齐的光阑。

公开(公告)号：CN1638015A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510000583.9

申请日：2005-01-10

申请人： 应用材料有限公司

发明人： M·福德 ,  B·哈理森 ,  M·法利 ,  P·坎德斯利 ,  G·莱丁 ,  T·伊藤忠 ,  S·韦尔斯

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/2485 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30488

摘要： 本发明关于使用离子束在衬底中注入离子的方法以及和这种方法一起使用的离子注入机，其中离子束中可能出现不稳定。本发明还关于用于产生离子束的离子源，所述离子束可以被快速切断。实际上，本发明提供了一种注入离子的方法，其包括当检测到离子束中的不稳定时，切断离子束，同时继续进行衬底相对于离子束的运动，以离开穿过衬底的扫描线的未注入部分；再次产生稳定的离子束，并通过对所述轨迹的未注入部分进行注入，完成扫描线。

公开(公告)号：CN108538691A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810181615.7

申请日：2018-03-06

申请人： 住友重机械离子科技株式会社

发明人： 川口宏

IPC分类号： H01J27/16 ,  H01J37/08

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J27/205 ,  H01J27/26 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/31701 ,  H01J27/16

摘要： 本发明提供一种有助于提高离子照射装置的生产率的离子生成装置。离子生成装置(12)具备：电弧室(30)，内部具有等离子体生成区域；阴极(52)，朝向等离子体生成区域放出热电子；反射极(34)，隔着等离子体生成区域与阴极(52)轴向对置；以及屏蔽罩(72)，在电弧室(30)的内面与等离子体生成区域之间的位置，以部分包围等离子体生成区域的方式配置。

公开(公告)号：CN104217981A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410367226.5

申请日：2009-08-12

申请人： 先进科技材料公司

发明人： 约瑟·D·史威尼 ,  莎拉德·N·叶达夫 ,  欧利格·拜 ,  罗伯·金姆 ,  大卫·艾德瑞吉 ,  丰琳 ,  史蒂芬·E·毕夏普 ,  W·卡尔·欧兰德 ,  唐瀛

IPC分类号： H01L21/67 ,  C23C14/48 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  C23C14/54 ,  C23C14/564 ,  H01J27/08 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/0209 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/22

摘要： 一种半导体制造系统中的离子源清洁方法。本发明系关于藉由监测阴极偏压功率且取决于比较值采取校正动作而藉由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中的该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。

公开(公告)号：CN102396048B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN200980158194.5

申请日：2009-08-12

申请人： 先进科技材料公司

发明人： 约瑟·D·史威尼 ,  莎拉德·N·叶达夫 ,  欧利格·拜 ,  罗伯·金姆 ,  大卫·艾德瑞吉 ,  丰琳 ,  史蒂芬·E·毕夏普 ,  W·卡尔·欧兰德 ,  唐瀛

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01J37/08 ,  C23C14/48 ,  C23C14/54 ,  C23C14/564 ,  H01J27/08 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/0209 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/22

摘要： 本发明系关于藉由监测阴极偏压功率且取决于比较值采取校正动作而藉由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中的该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。

公开(公告)号：CN103887132A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210559934.X

申请日：2012-12-20

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 单易飞 ,  邬璐磊 ,  董春荣

IPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J37/317

CPC分类号： H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/082

摘要： 一种注入装置的离子源和离子注入方法，其中所述离子源，包括：起弧腔，所述起弧腔用于容纳等离子体；灯丝，位于起弧腔的侧壁上，用于产生热电子，使通入起弧腔的离子源气体离子化为等离子体；反射极，位于起弧腔的与灯丝相对的侧壁上，用于反射灯丝产生的热电子；狭缝，位于起弧腔的顶部，作为等离子体的出口；源气体通入口，位于起弧腔的反射极和灯丝之间的侧壁上，用于通入离子源气体；清洁气体通入口，位于起弧腔的源气体通入口同侧的侧壁上，用于通入惰性清洁气体。提高了离子源的使用寿命。