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公开(公告)号：CN109001610B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201710417816.8
申请日：2017-06-06
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 一种ESD通路探测方法及系统，所述方法包括：当待测试芯片泄放ESD电流时，对所述待测试芯片因泄放ESD电流产生的光子进行探测；基于探测得到的光子的位置信息，获得ESD通路影像；基于所述ESD通路影像，确定所述待测试芯片中对应的ESD通路是否正常。上述的方案，可以对待测试芯片中ESD通路进行定位，满足对待测试芯片ESD通路失效原因的分析需求。
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公开(公告)号：CN108418581A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201710074125.2
申请日：2017-02-10
IPC分类号： H03L7/099
摘要： 本发明提供了一种用于生成时钟信号的电路，包括：时钟生成模块，用于生成多个第一时钟信号；逻辑模块，与所述时钟生成模块连接，用于对多个所述第一时钟信号进行组合，以生成多个第二时钟信号；选择模块，与所述逻辑模块连接，用于对多个所述第二时钟信号进行选择，以输出所需频率的时钟信号。本发明的用于生成时钟信号的电路，不用耗费锁定时间，能够快速得到所需要的频率。
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公开(公告)号：CN108418581B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201710074125.2
申请日：2017-02-10
IPC分类号： H03L7/099
摘要： 本发明提供了一种用于生成时钟信号的电路，包括：时钟生成模块，用于生成多个第一时钟信号；逻辑模块，与所述时钟生成模块连接，用于对多个所述第一时钟信号进行组合，以生成多个第二时钟信号；选择模块，与所述逻辑模块连接，用于对多个所述第二时钟信号进行选择，以输出所需频率的时钟信号。本发明的用于生成时钟信号的电路，不用耗费锁定时间，能够快速得到所需要的频率。
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公开(公告)号：CN108008933B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201610949775.2
申请日：2016-11-02
摘要： 本发明公开了一种用于产生芯片的随机序列号的电路及包括该电路的芯片，所述电路包括第一输出端和第二输出端，其中，所述第一输出端和所述第二输出端基于所述芯片制造过程中的天线效应同时输出相反的数字信号。本发明的电路利用芯片制造过程中的天线效应，电路产生的1和0所占的比例分别为50％，且电路重新上电后产生的随机序列号和断电前保持完全一致，电路简单易实现。
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公开(公告)号：CN109001610A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201710417816.8
申请日：2017-06-06
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： G01R31/002 , G06T7/001 , G06T2207/30148 , H01L22/12 , H01L22/14 , H01L27/0248 , G01R31/2853
摘要： 一种ESD通路探测方法及系统，所述方法包括：当待测试芯片泄放ESD电流时，对所述待测试芯片因泄放ESD电流产生的光子进行探测；基于探测得到的光子的位置信息，获得ESD通路影像；基于所述ESD通路影像，确定所述待测试芯片中对应的ESD通路是否正常。上述的方案，可以对待测试芯片中ESD通路进行定位，满足对待测试芯片ESD通路失效原因的分析需求。
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公开(公告)号：CN108008933A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610949775.2
申请日：2016-11-02
摘要： 本发明公开了一种用于产生芯片的随机序列号的电路及包括该电路的芯片，所述电路包括第一输出端和第二输出端，其中，所述第一输出端和所述第二输出端基于所述芯片制造过程中的天线效应同时输出相反的数字信号。本发明的电路利用芯片制造过程中的天线效应，电路产生的1和0所占的比例分别为50％，且电路重新上电后产生的随机序列号和断电前保持完全一致，电路简单易实现。
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公开(公告)号：CN105823976A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201510011959.X
申请日：2015-01-09
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及对芯片进行检测及对芯片测试结果进行验证的方法。对芯片进行检测的方法包括如下步骤：提取所述功能模块的等效电阻及适于从所述芯片电阻中划分功能模块电阻的过渡器件；建立所述功能模块的电阻特性矩阵；在所述过渡器件的位置上设定所述功能模块的等效电流并进行仿真以获得所述功能模块第一端口上的加载电压；基于每次仿真时所述功能模块的等效电流及所述加载电压求取所述功能模块的电阻特性矩阵；验证所述功能模块的电阻特性矩阵；验证通过时基于所述电阻特性矩阵输出检测结果。本发明能够在芯片检测过程中实现自我验证，从而加强检测结果的正确性。
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公开(公告)号：CN106291300B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201510272047.8
申请日：2015-05-25
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明提供了一种芯片压降、结构的测试方法以及芯片改进方法。在芯片压降的测试方法中，通过获取点对点的电阻数值(包括外部电压输入端与各功能模块之间的第一等效电阻、以及多个功能模块两两之间的第二等效电阻)，以及各功能模块的功耗电流数值，形成电阻特性矩阵Mii和功耗电流的列矩阵Ni，并由Mii乘Ni获取芯片压降值，上述方法可准确、便捷且快速地获取芯片中各功能模块的压降值，快速地反应芯片各部分的压降值信息，从而客观地获取芯片上各部分的压降值分布数据，进而为后续芯片结构改进提供准确而快速的信息，以提高芯片制造整体的进度。
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公开(公告)号：CN106291300A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510272047.8
申请日：2015-05-25
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供了一种芯片压降、结构的测试方法以及芯片改进方法。在芯片压降的测试方法中，通过获取点对点的电阻数值(包括外部电压输入端与各功能模块之间的第一等效电阻、以及多个功能模块两两之间的第二等效电阻)，以及各功能模块的功耗电流数值，形成电阻特性矩阵Mii和功耗电流的列矩阵Ni，并由Mii乘Ni获取芯片压降值，上述方法可准确、便捷且快速地获取芯片中各功能模块的压降值，快速地反应芯片各部分的压降值信息，从而客观地获取芯片上各部分的压降值分布数据，进而为后续芯片结构改进提供准确而快速的信息，以提高芯片制造整体的进度。
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公开(公告)号：CN105823976B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201510011959.X
申请日：2015-01-09
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及对芯片进行检测及对芯片测试结果进行验证的方法。对芯片进行检测的方法包括如下步骤：提取所述功能模块的等效电阻及适于从所述芯片电阻中划分功能模块电阻的过渡器件；建立所述功能模块的电阻特性矩阵；在所述过渡器件的位置上设定所述功能模块的等效电流并进行仿真以获得所述功能模块第一端口上的加载电压；基于每次仿真时所述功能模块的等效电流及所述加载电压求取所述功能模块的电阻特性矩阵；验证所述功能模块的电阻特性矩阵；验证通过时基于所述电阻特性矩阵输出检测结果。本发明能够在芯片检测过程中实现自我验证，从而加强检测结果的正确性。
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