公开(公告)号：CN101740335A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810226383.9

申请日：2008-11-14

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 李志强 ,  张京晶 ,  王军 ,  李良坚

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

摘要： 本发明提供了一种半导体制造设备和半导体结构的刻蚀方法，其中，所述半导体制造设备包括：适于放置晶片的等离子体腔室；适于保护所述晶片的圆环形的边缘保护圈，所述边缘保护圈与所述晶片同心并将所述晶片的边缘部分遮盖；其特征在于，所述边缘保护圈具有能够遮盖所述晶片的边缘部分大于1mm的宽度。上述半导体制造设备中的边缘保护圈保护晶片的边缘部分，能够避免等离子体对晶片边缘部分的损伤，提高晶片的成品率。

公开(公告)号：CN101740335B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200810226383.9

申请日：2008-11-14

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明人： 李志强 ,  张京晶 ,  王军 ,  李良坚

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

摘要： 本发明提供了一种半导体制造设备和半导体结构的刻蚀方法，其中，所述半导体制造设备包括：适于放置晶片的等离子体腔室；适于保护所述晶片的圆环形的边缘保护圈，所述边缘保护圈与所述晶片同心并将所述晶片的边缘部分遮盖；其特征在于，所述边缘保护圈具有能够遮盖所述晶片的边缘部分大于1mm的宽度。上述半导体制造设备中的边缘保护圈保护晶片的边缘部分，能够避免等离子体对晶片边缘部分的损伤，提高晶片的成品率。